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4H-SiC MOSFET交流特性的仿真和研究
1
作者
李国鑫
《电子技术与软件工程》
2021年第1期108-110,共3页
本文通过二维数值模拟,从碳化硅MOSFET的结构中分离出P型和N型结构,同时考虑界面陷阱的影响,研究了SiO_(2)/SiC界面态密度对C/V曲线的影响。
关键词
4
h
-
sicmosfet
态密度
施主陷阱受主陷阱电容
下载PDF
职称材料
题名
4H-SiC MOSFET交流特性的仿真和研究
1
作者
李国鑫
机构
上海电力大学
出处
《电子技术与软件工程》
2021年第1期108-110,共3页
文摘
本文通过二维数值模拟,从碳化硅MOSFET的结构中分离出P型和N型结构,同时考虑界面陷阱的影响,研究了SiO_(2)/SiC界面态密度对C/V曲线的影响。
关键词
4
h
-
sicmosfet
态密度
施主陷阱受主陷阱电容
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
4H-SiC MOSFET交流特性的仿真和研究
李国鑫
《电子技术与软件工程》
2021
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