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4H-SiC MOSFET交流特性的仿真和研究

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摘要本文通过二维数值模拟,从碳化硅MOSFET的结构中分离出P型和N型结构,同时考虑界面陷阱的影响,研究了SiO_(2)/SiC界面态密度对C/V曲线的影响。

作者李国鑫

机构地区上海电力大学

出处《电子技术与软件工程》 2021年第1期108-110,共3页 ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

关键词 4H-SiCMOSFET 态密度施主陷阱受主陷阱电容

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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