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基于磷钝化栅介质的1.2kV 4H-SiC DMOSFET 被引量：1
1
作者 刘佳佳 刘英坤 +2 位作者 谭永亮 张力江 崔玉兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第8期2026-2029,共4页
本文对比了NO退火和磷掺杂两种栅钝化工艺,其中磷钝化采用了平面扩散源进行掺杂,通过C-V特性进行了4H-SiC/SiO2界面特性评价,使用Terman法分析计算获得距导带底0.2-0.4e V范围内界面态密度.结果表明引入磷比氮能更有效降低界面态密度,... 本文对比了NO退火和磷掺杂两种栅钝化工艺,其中磷钝化采用了平面扩散源进行掺杂,通过C-V特性进行了4H-SiC/SiO2界面特性评价,使用Terman法分析计算获得距导带底0.2-0.4e V范围内界面态密度.结果表明引入磷比氮能更有效降低界面态密度,提高沟道载流子迁移率.其次,对比了两种栅钝化工艺制备的4H-SiC DMOSFET器件性能,实验表明采用磷钝化工艺处理的器件性能更优.最后,基于磷掺杂钝化工艺首次制备出击穿电压为1200V、导通电阻为20mΩ、漏源电流为75 A、阈值电压为2.4V的4H-SiC DMOSFET. 展开更多
关键词 4h-sic MOSFET 4h-sic/sio2界面 磷钝化 界面态密度
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基于第一性原理的碳化硅界面态机制研究进展 被引量：1
2
作者 王方方 李玲 +5 位作者 徐向前 郑柳 杨霏 温家良 陈新 潘艳 《智能电网》 2016年第5期488-492,共5页
碳化硅(SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有低导通电阻及高击穿临界场强等特点,在高压开关器件领域有着较为广阔的应用及发展前景。但由于SiC/SiO_2具有较高的界面... 碳化硅(SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)具有低导通电阻及高击穿临界场强等特点,在高压开关器件领域有着较为广阔的应用及发展前景。但由于SiC/SiO_2具有较高的界面态密度,使得器件反型沟道电子迁移率过低,从而严重阻碍SiC器件的广泛应用。为有效地控制界面态,回顾了国内外对SiC/SiO_2界面态的第一性原理研究进展,分析界面态的形成机制,讨论近导带边界中高界面态的根本原因,为SiC器件工艺制备提供理论指导。 展开更多
关键词 金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor FIELD-EFFECT transistor MOSFET) sic/sio2界面 缺陷态密度
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