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4H-SiC SBD和JBS退火研究 被引量：3
1
作者 闫锐 杨霏 +2 位作者 陈昊 彭明明 潘宏菽 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第7期433-436,共4页
在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻... 在4H-SiC外延材料上制备了SBD和JBS器件,研究并分析了退火温度对这两种器件正反向特性的影响。结果表明,低于350℃退火可同时提高SBD和JBS的正反向特性。当退火温度高于350℃时,二者的正向特性都出现退化,SBD退化较JBS更为严重。JBS阻断电压随退火温度升高而增大,在退火温度高于450℃时增加趋势变缓。SBD阻断电压随退火温度升高先升后降,在500℃退火时达到一个最大值。可见一定程度的退火有助于提高4H-SiCSBD和JBS器件的正反向特性,但须考虑其对正反向特性的不同影响。综合而言,退火优化后JBS优于SBD器件性能。 展开更多
关键词 4h-sic肖特基势垒二极管 4h-sic结势垒肖特基 退火 正向特性 反向特性
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SiC肖特基势垒二极管在PFC电路中的应用 被引量：2
2
作者 向晋星 张涛 关健铭 《通信电源技术》 2006年第2期48-50,共3页
介绍了一种SiC肖特基势垒二极管在PFC电路上的应用。利用新型材料———SiC作成的二极管具有高工作温度、高耐压、正温度系数,反向特性好的特点,降低了自身及其MOSFET的开通损耗,最直接的效果就是效率升高,同时也使EMC的效果得以改善,... 介绍了一种SiC肖特基势垒二极管在PFC电路上的应用。利用新型材料———SiC作成的二极管具有高工作温度、高耐压、正温度系数,反向特性好的特点,降低了自身及其MOSFET的开通损耗,最直接的效果就是效率升高,同时也使EMC的效果得以改善,而且二极管可以并联使用。 展开更多
关键词 sic肖特基势垒二极管 功率因数校正 电磁兼容
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1200V 200A Si/SiC混合模块性能对比研究 被引量：3
3
作者 徐文辉 刘凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期191-194,共4页
提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的... 提出了一种SiC混合模块,相比传统的Si IGBT模块,将Si续流二极管替换成SiC SBD。两种模块的额定参数均为1 200V/200A,在相同的测试条件下,分别测试其动、静态参数及波形,对比研究测试数据,混合模块中二极管反向恢复损耗可以降低84%,总的开关损耗可以降低40%。提取模块的寄生电感数值为13.3nH,结合动态测试波形,混合模块可以满足正常使用。 展开更多
关键词 混合模块 sic肖特基势垒二极管 开关损耗 寄生电感
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Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析 被引量：1
4
作者 钟德刚 徐静平 +1 位作者 高俊雄 于军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期26-28,共3页
　采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳... 　采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳定地工作,适合于在高温(600°C)等恶劣环境下长期可靠地工作。 展开更多
关键词 碳化硅 6h—sic肖特基势垒二极管 宽禁带半导体 肖特基势垒二极管 直流磁控溅射 碳化硅
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