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圆片级封装的新颖对准技术
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作者 C.Brubaker T.Glinsner +2 位作者 P.Lindner M.Tischler 高仰月(译) 《电子工业专用设备》 2006年第7期20-23,共4页
对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准... 对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。 展开更多
关键词 3D互连 对准 键合 MEMS 封装 多层叠加
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多层介质中通孔结构准静态电容参数的提取
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作者 宋犇 洪伟 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第1期109-113,共5页
本文采用维数缩减技术(DRT)提取了多层介质中通孔结构的准静态电容参数。由于该方法充分利用了集成电路结构分层性的特点,从而可以很方便地处理任意的介质层数和结构参数,而仅需很少的计算时间和内存.文中的计算结果与Ansoft软件结果符... 本文采用维数缩减技术(DRT)提取了多层介质中通孔结构的准静态电容参数。由于该方法充分利用了集成电路结构分层性的特点,从而可以很方便地处理任意的介质层数和结构参数,而仅需很少的计算时间和内存.文中的计算结果与Ansoft软件结果符合较好。 展开更多
关键词 参数提取 准静态电容 数字集成电路
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多孔平面的快速边界元划分 被引量:3
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作者 古江春 王泽毅 洪先龙 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第3期211-215,共5页
在 3D VL SI互连寄生电容的边界元素法计算中 ,多孔平面的边界元划分是十分困难的问题 .文中提出一种快速划分多孔平面边界元的方法 ,它可高效处理非正交几何边界形状 ,形成规则的梯形元 .与全局扫描线法相比 ,有较高的划分速度。
关键词 VLSI 边界元划分 多孔平面 互连线
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高速电路中三维互连结构频变电感参数的提取
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作者 郑戟 李征帆 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期4-6,共3页
高速集成电路系统中互连线和封装结构的等效电感对系统电性能有十分重要的影响.文中提出了用一种简单模型计算随频率变化的电感.该模型将导体横截面划分成若干分块以考虑在不同频率下电流的不均匀分布,利用在电流均匀分布情况下自感... 高速集成电路系统中互连线和封装结构的等效电感对系统电性能有十分重要的影响.文中提出了用一种简单模型计算随频率变化的电感.该模型将导体横截面划分成若干分块以考虑在不同频率下电流的不均匀分布,利用在电流均匀分布情况下自感和互感的计算结果,避免了在计算离散方程稀疏矩阵时的多重数值积分,简化计算过程简化.利用本方法计算单导体和双耦合导体频变电感。 展开更多
关键词 频变电感 参数提取 互连线 高速集成电路 封装
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超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术 被引量:44
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作者 王阳元 康晋锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1121-1134,共14页
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之... 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之一 .在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上 ,重点介绍和评述了低 k介质和 Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题 ,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等 展开更多
关键词 超深亚微米 集成电路 低K介质 互连集成技术 RF互连 光互连
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基于K参数思想的快速三维互连电感电阻提取算法 被引量:4
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作者 魏洪川 喻文健 +1 位作者 杨柳 王泽毅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1365-1369,共5页
在GHz以上高频集成电路中,电感寄生效应已严重影响了电路性能,必须研究有效的算法提取互连电感电阻.本文基于K参数(电感矩阵的逆)较好的局部化特性,提出适应高频情况的互连电感电阻提取算法.通过采用有效的窗口选择技术和导体细丝划分,... 在GHz以上高频集成电路中,电感寄生效应已严重影响了电路性能,必须研究有效的算法提取互连电感电阻.本文基于K参数(电感矩阵的逆)较好的局部化特性,提出适应高频情况的互连电感电阻提取算法.通过采用有效的窗口选择技术和导体细丝划分,以及在细丝电感计算复用和导纳矩阵求逆两方面的改进,本文算法可有效处理复杂的多层互连结构,在保持较好精度的情况下,计算速度比FastHenry快上百倍. 展开更多
关键词 三维互连 电感电阻提取 K参数 高频率 窗口技术
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一种叠孔三阶HDI板制作技术研究 被引量:5
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作者 陈世金 罗旭 +2 位作者 覃新 乔鹏程 徐缓 《印制电路信息》 2012年第S1期287-293,共7页
近年来,由于3G手机的普及和智能手机的出现,推动PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)技术不断向前发展,加快HDI类产品的增长需求,尤其是三阶HDI产品将成为3G手机未来的主流,而智能手机则以三阶、any-layer HDI设计为主。这些需求带动... 近年来,由于3G手机的普及和智能手机的出现,推动PCB(Printed Circuit Board,印制电路板)技术不断向前发展,加快HDI类产品的增长需求,尤其是三阶HDI产品将成为3G手机未来的主流,而智能手机则以三阶、any-layer HDI设计为主。这些需求带动HDI技术逐渐向更高布线密度方向发展,线宽线距不断减小,板件结构从1+N+1到stagger-via(交错孔),再到stack-via(叠孔),其制作难度不断加大。因此,对三阶HDI板的制作工艺技术进行研究,掌握叠孔三阶及多阶HDI板制作技术将成为抢占当今市场的关键所在。 展开更多
关键词 印制电路板 盲孔 叠孔设计 三阶HDI 镭射 填孔电镀
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New Multipole Method for 3-D Capacitance Extraction
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作者 Zhao-ZhiYang Ze-YiWang 《Journal of Computer Science & Technology》 SCIE EI CSCD 2004年第4期544-549,共6页
This paper describes an efficient improvement of the multipole accelerated boundary element method for 3-D capacitance extraction. The overall relations between the positions of 2-D boundary elements are considered in... This paper describes an efficient improvement of the multipole accelerated boundary element method for 3-D capacitance extraction. The overall relations between the positions of 2-D boundary elements are considered instead of only the relations between the center-points of the elements, and a new method of cube partitioning is introduced. Numerical results are presented to demonstrate that the method is accurate and has nearly linear computational growth as O(n), where n is the number of panels/boundary elements. The proposed method is more accurate and much faster than Fastcap. 展开更多
关键词 3-D interconnect parasitic capacitance extraction IBEM (indirect boundary element method) electronic design automation parasitic parameter extraction VLSI simulation verification
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