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题名高纯钽铌原料研究进展
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作者
张衡
陈昆峰
薛冬峰
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机构
山东大学新一代半导体材料研究院晶体材料国家重点实验室
电子科技大学(深圳)高等研究院
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出处
《无机盐工业》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第12期1-12,共12页
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基金
济南市市校融合发展战略工程项目(JNSX2023103)
国家自然科学基金重点国际(地区)合作与交流项目(2220105010)。
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文摘
钽铌金属广泛应用于集成电路、航空航天、汽车、超导等领域,是不可或缺的战略材料。首先,介绍了钽铌资源分布、湿法冶金和高纯材料制备的内容,分析了国内外现状。文章指出世界钽铌资源主要分布在巴西、加拿大、澳大利亚和非洲地区等国家,中国钽铌资源品位低难利用,高度依赖进口。钽铌的湿法冶金方法分为碱法、酸法和氯化法,碱法有碱熔法和碱性水热法,酸法有硫酸法和氢氟酸法。而高纯氧化物的制备须经历浸出、萃取、分离提纯、过滤洗涤和煅烧过程。其次,阐述了利用真空电子束熔炼制备高纯钽铌和金属中杂质元素去除的方法,该法可使钽纯度在5 N(99.999%)以上,铌纯度在4 N(99.99%)以上。最后,对高纯钽铌原料在集成电路、人工晶体生长等领域的应用及需求进行了介绍,对高纯钽铌制备技术及产品的国内外企业进行了分析对比,指出了未来高纯钽铌原料发展方向。
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关键词
钽铌原料
湿法冶金
高纯钽铌制备
真空电子束熔炼
高纯靶材
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Keywords
tantalum niobium raw materials
hydrometallurgy
high purity tantalum and niobium synthesis
vacuum electron beam melting
high purity sputtering target
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分类号
TQ135.1
[化学工程—无机化工]
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题名半导体用高纯钨靶材的制备技术与应用
被引量：12
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作者
魏修宇
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机构
硬质合金国家重点实验室
株洲硬质合金集团有限公司
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出处
《硬质合金》
CAS
2017年第5期353-359,共7页
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基金
国家重点研发计划资助(2017YFB0305601)
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文摘
难熔金属钨及钨合金由于具有高温稳定性好、电子迁移抗力高以及电子发射系数高等优点,在半导体大规模集成电路制造过程中有着广泛的应用。本文对半导体用高纯钨及钨合金靶材的应用领域、性能要求以及制备方法进行了详细的分析,并对其发展趋势进行了展望。高纯钨及钨合金靶材主要用于制造半导体集成电路的栅电极、连接布线、扩散阻挡层等,对材料的纯度、杂质元素含量、致密度、晶粒尺寸及晶粒组织均匀性等方面都有着极高的要求。高纯钨及钨合金靶材主要采用热压、热等静压等方式来制备,采用中频烧结+压力加工的方式可以制备出高纯度、高致密度的钨靶材,但晶粒尺寸及晶粒组织均匀性控制方面,与热等静压制备的钨靶仍有一定的差距。
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关键词
半导体
高纯钨靶材
制备技术
应用
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Keywords
semiconductor
high purity tungsten target
preparation technology
application
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分类号
TG146.411
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名磁控溅射用高纯铬靶材的研究现状及发展趋势
被引量：3
- 3
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作者
徐飞
布国亮
杨万朋
成佳佳
肖夫兰
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机构
西安嘉业航空科技有限公司
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出处
《铸造技术》
CAS
2020年第12期1197-1200,共4页
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文摘
介绍了纯铬靶材的主要制备工艺流程及研究现状,介绍了采用热等静压方法制备的纯铬靶材圆柱体致密度高达99.86%,晶粒细小、溅射性能优异;阐述了高纯溅射铬靶材的特性,分析了高纯铬靶材存在的问题;探讨和展望了高纯铬溅射靶材的发展趋势。
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关键词
磁控溅射
高纯铬靶材
研究现状
发展趋势
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Keywords
magnetron sputtering
high purity chromium target
research status
development trend
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分类号
TG144
[一般工业技术—材料科学与工程]
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题名集成电路用高纯镍铂靶材的制备及发展趋势
被引量：2
- 4
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作者
韩思聪
徐国进
罗俊锋
李勇军
何金江
郭继华
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机构
有研亿金新材料有限公司
北京市高纯金属溅射靶材工程技术研究中心
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
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出处
《功能材料与器件学报》
CAS
2022年第6期499-503,共5页
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文摘
本文围绕半导体集成电路产业的需求,综合说明了高纯镍铂靶材制备过程中纯度、组织及透磁率、表面质量的控制要求、技术难点及发展趋势。针对65 nm以下制程使用的高纯镍铂靶材,纯度方面由4N5(99.995%)逐步提升至5N(99.999%)及以上;组织及透磁率方面向精确调控晶粒取向追求高透磁同时保证组织均匀的方向不断优化;表面质量方面向低粗糙度方向不断发展。
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关键词
高纯镍铂靶材
纯度
组织
透磁率
表面质量
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Keywords
High Purity Nickel-platinum Target
Purity
Microstructure
Permeability
Surface Quality
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分类号
TG146
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN40
[金属学及工艺—金属材料]
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题名粉末冶金法制高纯溅射铬靶材的方法
被引量：1
- 5
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作者
张新房
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机构
深圳正和忠信股份有限公司
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出处
《山西冶金》
CAS
2014年第4期13-14,17,共3页
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文摘
通过试验重点对粉末冶金法制备高纯溅射铬靶材的传统烧结工艺进行了分析和优化研究。试验结果表明,采用"模压+烧结"或者"冷等静压+烧结"的方式加工靶材,并合理控制烧结温度,能够有效保证靶材的密度。
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关键词
粉末冶金法
高纯溅射铬靶材
方法
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Keywords
powder metallurgy, high-purity chromium sputtering target, method
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分类号
TF123
[冶金工程—粉末冶金]
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题名高纯镱靶材边角料回收利用技术的研究
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作者
张先恒
赵二雄
苗旭晨
董岳阳
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机构
包头稀土研究院
白云鄂博稀土资源研究与综合利用国家重点实验室
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出处
《金属功能材料》
CAS
2021年第6期66-70,共5页
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文摘
采用真空蒸馏法对高纯镱靶材边角料金属镱进行了提纯,研究温度、时间对金属镱收率、表面质量的影响。结果表明,20.52 kg高纯镱靶材边角料,在真空度小于1 Pa,830℃条件下,蒸馏时间3h可实现金属镱与钛屑的分离,金属镱蒸出率达到95.1%。金属镱夹杂较多,不适宜继续作为靶材原料使用。通过对第一次分离所得金属镱19.5 kg二次蒸馏提纯,在真空度小于1 Pa,650℃条件下,蒸馏时间7 h可实现金属镱与夹带杂质的分离。金属镱纯度(Yb/TRE)为99.99%(质量分数),金属镱蒸出率为98.35%。利用电镜扫描对二次残留于坩埚底粉进行了分析,结果表明,杂质主要为Yb及Al、Fe的氧化物。
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关键词
高纯镱靶材边角料
真空蒸馏
蒸出率
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Keywords
high purity ytterbium target scrap
vacuum distillation
evaporation rate
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分类号
TF845
[冶金工程—有色金属冶金]
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