期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟
被引量：
5
1
作者
郝昕
孙慧斌
+4 位作者
赵海歌
胡世鹏
罗奇
谭志新
白尔隽
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期248-253,共6页
为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结...
为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结果表明,虽然速度越慢单次区熔效果越好,但对多次区熔的累计效果要采用相对快速多次的方法,以实现相同提纯效果下总时间最短,即多次累计的区熔效率最高.给出了区熔速度的优化方法,以指导实验提高区熔效率.
展开更多
关键词
半导体
高纯
锗
制备
高纯
锗
探测器
区熔提纯
杂质浓度
数值模拟
参数优化
下载PDF
职称材料
高纯锗单晶的制备与位错密度分析
被引量：
1
2
作者
郝昕
甘林
+5 位作者
胡世鹏
罗奇
吴正新
钟健
赵海歌
孙慧斌
《深圳大学学报（理工版）》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期504-508,共5页
高纯锗探测器在辐射探测领域具有重要地位.经过区熔提纯和单晶生长2个阶段,成功制备了纯度为13N、位错密度介于100~10000 cm^(-2)之间的高纯锗.其中,区熔实验使用自制水平区熔炉,在高纯氢气环境下,通过20~50次区熔以达到提纯要求.单晶...
高纯锗探测器在辐射探测领域具有重要地位.经过区熔提纯和单晶生长2个阶段,成功制备了纯度为13N、位错密度介于100~10000 cm^(-2)之间的高纯锗.其中,区熔实验使用自制水平区熔炉,在高纯氢气环境下,通过20~50次区熔以达到提纯要求.单晶生长采用直拉法,在高纯氢气环境下,沿[100]晶向生长,单晶有效长度>50 mm,有效直径>30 mm.采用浸蚀法测量位错密度,利用酸性腐蚀液腐蚀锗单晶片(100)晶面,读取位错腐蚀坑数量.结果显示,距单晶棒头部25、50和72 mm处的位错密度分别为2537、3425和4075 cm^(-2),表明在晶锭头部72 mm前,位错密度满足高纯锗探测器制备的要求.研究可为高纯锗单晶的制备提供参考.
展开更多
关键词
半导体材料
晶体
高纯
锗
制备
高纯
锗
探测器
单晶生长
位错密度
直拉法
下载PDF
职称材料
题名
高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟
被引量：
5
1
作者
郝昕
孙慧斌
赵海歌
胡世鹏
罗奇
谭志新
白尔隽
机构
深圳大学物理与能源学院
中国科学院高能物理研究所
东莞中子科学中心
出处
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期248-253,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(11575118)~~
文摘
为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区熔过程进行数值模拟,针对杂质分凝系数小于1的情况,比较了不同区熔速度下,单次和多次区熔的提纯效果.结果表明,虽然速度越慢单次区熔效果越好,但对多次区熔的累计效果要采用相对快速多次的方法,以实现相同提纯效果下总时间最短,即多次累计的区熔效率最高.给出了区熔速度的优化方法,以指导实验提高区熔效率.
关键词
半导体
高纯
锗
制备
高纯
锗
探测器
区熔提纯
杂质浓度
数值模拟
参数优化
Keywords
semiconductor
high-purity germanium preparation
high-purity germanium detector
zone refining
impurity concentration
numerical simulation
parameter optimization
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
高纯锗单晶的制备与位错密度分析
被引量：
1
2
作者
郝昕
甘林
胡世鹏
罗奇
吴正新
钟健
赵海歌
孙慧斌
机构
深圳大学物理与光电工程学院
出处
《深圳大学学报（理工版）》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第5期504-508,共5页
基金
国家自然科学青年基金资助项目(11905136)
广东省自然科学基金资助项目(2018A030310636)
广东省重点领域研发计划资助项目(2020B040420005)。
文摘
高纯锗探测器在辐射探测领域具有重要地位.经过区熔提纯和单晶生长2个阶段,成功制备了纯度为13N、位错密度介于100~10000 cm^(-2)之间的高纯锗.其中,区熔实验使用自制水平区熔炉,在高纯氢气环境下,通过20~50次区熔以达到提纯要求.单晶生长采用直拉法,在高纯氢气环境下,沿[100]晶向生长,单晶有效长度>50 mm,有效直径>30 mm.采用浸蚀法测量位错密度,利用酸性腐蚀液腐蚀锗单晶片(100)晶面,读取位错腐蚀坑数量.结果显示,距单晶棒头部25、50和72 mm处的位错密度分别为2537、3425和4075 cm^(-2),表明在晶锭头部72 mm前,位错密度满足高纯锗探测器制备的要求.研究可为高纯锗单晶的制备提供参考.
关键词
半导体材料
晶体
高纯
锗
制备
高纯
锗
探测器
单晶生长
位错密度
直拉法
Keywords
semiconductor material
crystal
high purity germanium preparation
high purity germanium detector
single crystal growth
dislocation density
Czochralski method
分类号
TN304.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高纯锗多晶材料区熔速度优化的数值模拟
郝昕
孙慧斌
赵海歌
胡世鹏
罗奇
谭志新
白尔隽
《深圳大学学报（理工版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
5
下载PDF
职称材料
2
高纯锗单晶的制备与位错密度分析
郝昕
甘林
胡世鹏
罗奇
吴正新
钟健
赵海歌
孙慧斌
《深圳大学学报（理工版）》
CAS
CSCD
北大核心
2022
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
