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径向桥电极高功率垂直腔面发射激光器 被引量:5
1
作者 侯立峰 钟钢 +5 位作者 赵英杰 王玉霞 郝永芹 冯源 姜晓光 谢浩瑞 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期1-5,共5页
为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低... 为改善高功率垂直腔面发射半导体激光器的热特性,提高它的输出功率,研制了新型径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件,对新型半导体激光器的结构模型进行理论分析表明,采用径向桥式电极可以降低器件P型DBR电阻,减小焦耳热;降低热阻,提高器件的散热能力。实验制备了出光孔径同为200μm的径向桥电极与常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器,并对器件的性能进行了实验对比测试。结果表明径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器器件的微分电阻为0.43Ω;室温下最大输出功率可达340 mW,是常规电极垂直腔面发射半导体激光器的1.7倍;器件的热阻为0.095℃/mW,在80℃时,仍能正常激射,具有良好的热特性,径向桥电极高功率垂直腔面发射半导体激光器的光电特性与温度特性要远好于常规电极的高功率垂直腔面发射半导体激光器器件。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光 径向桥 热拐点
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高功率In Ga As量子阱垂直腔面发射激光器的研制 被引量:2
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作者 晏长岭 宁永强 +7 位作者 秦莉 张淑敏 赵路民 王青 刘云 初国强 王立军 姜会林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第9期1029-1031,共3页
采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特... 采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口 (直径为 30 0 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器 ,实现了器件室温准连续工作 (脉冲宽度为 5 0 μs ,重复频率为 10 0 0Hz) ,并对器件的伏安特性、光输出特性、发射光谱 ,以及器件的远场发射特性等进行了实验测试 器件阈值电流为 4 6 0mA ,器件的最大光输出功率为 10 0mW ,发射波长为 978.6nm ,光谱半功率全宽度为 1.0nm ,远场发散角小于 10° ,垂直方向的发散角θ⊥ 为 8° ,水平方向的发散角θ∥ 为 9° 。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光 氧化物限制工艺 量子阱 对称光束
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H13钢的高功率半导体激光淬火 被引量:3
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作者 王超 叶俭 +2 位作者 蔡红 顾正 王静 《热处理》 CAS 2013年第3期28-32,共5页
采用高功率半导体激光器对H13钢进行激光表面淬火。研究了淬火温度、激光的扫描速度和搭接率等工艺参数对H13钢表面硬度、硬化层的深度和硬度梯度的影响。结果表明,当淬火温度为1500℃,扫描速度为800 mm/min以及搭接率为30%时,H13钢表... 采用高功率半导体激光器对H13钢进行激光表面淬火。研究了淬火温度、激光的扫描速度和搭接率等工艺参数对H13钢表面硬度、硬化层的深度和硬度梯度的影响。结果表明,当淬火温度为1500℃,扫描速度为800 mm/min以及搭接率为30%时,H13钢表面硬化效果最佳,即表面硬度最高,硬化层最深,硬度梯度较平缓。 展开更多
关键词 H13钢 高功率半导体激光 表面淬火 耐磨性
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半导体激光器
4
《中国光学》 EI CAS 2003年第6期14-16,共3页
TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在... TN248.4 2003064087基于无铝单量子阱的大功率半导体激光器=Al-free SQW high-power semiconductor lasers[刊,中]/王玲(长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022)),李忠辉…∥半导体光电.-2002,23(6).-391-392在改进的带有多槽石墨舟的液相外延(LPE)设备上,采用水平快速生长法获得了分别限制单量子阱结构(SCH-SQW),制作了条宽为100μm、腔长为1 mm的激光器,其阈值电流为0.70 A,最高连续输出功率达4 W,斜率效率为1.32 W/A,串联电阻为0.1 Ω,中心波长为808.8 nm。图4参3(严寒)TN248.4 2003064088940 nm高功率激光二极管及线阵=940 nm high powerlaser diodes and bars[刊,中]/王乐(中科院长春光机所.吉林,长春(130021)),曹玉莲…∥半导体光电.-2002。 展开更多
关键词 外腔半导体激光 功率半导体激光 国家重点实验室 高功率激光二极管 分别限制单量子阱 高功率半导体激光 斜率效率 光电子 液相外延 连续输出功率
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半导体激光器
5
《中国光学》 EI CAS 2001年第4期25-28,共4页
TN248.4 2001042419InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究=Theoreticalmodel for surface-emitting microdisk of InGaNMQW[刊,中]/谢成城,王舒民(北京大学物理系.北京(100871))//半导体光电.-2000,21(3).-188-192为了实现半导体微... TN248.4 2001042419InGaN多量子阱面发射微盘激光器的理论研究=Theoreticalmodel for surface-emitting microdisk of InGaNMQW[刊,中]/谢成城,王舒民(北京大学物理系.北京(100871))//半导体光电.-2000,21(3).-188-192为了实现半导体微盘激光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器。通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模。 展开更多
关键词 远结半导体激光 高功率半导体激光 微盘激光 多量子阱 量子阱激光 有效增益因子 级联激光 国家重点实验室 面发射 外腔半导体激光
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新型辐射桥结构VCSEL的设计、制作和热特性分析 被引量:1
6
作者 高英强 王晓华 +2 位作者 赵英杰 刘向南 刘国军 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期860-865,共6页
为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS,模拟了常规结构和辐射桥结构VCSEL内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到,常规结构器件的热... 为了改善垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的热特性,提高器件的输出功率,设计并制作了一种新型辐射桥结构VCSEL。利用有限元热分析软件ANSYS,模拟了常规结构和辐射桥结构VCSEL内部的热场分布和热矢量分布。经模拟得到,常规结构器件的热阻为4.13K/W,辐射桥结构的热阻为2.64K/W。而经实验测得,常规结构器件的热阻为4.40K/W,辐射桥结构器件的热阻为2.93K/W,实验测试结果与模拟结果吻合较好。同时测得,常规结构器件的最大输出功率为305mW,辐射桥结构器件的最大输出功率为430mW,后者的输出功率提高了40%。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器(VCSEL) 辐射桥 热特性 ANSYS
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基于AlN膜钝化层的高功率垂直腔面发射激光器 被引量:1
7
作者 钟钢 侯立峰 王晓曼 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期7-11,共5页
高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可... 高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)内部的自生热是影响器件功能的重要因素,为改善器件的散热性能,采用AlN膜做钝化层研制了基于AlN膜钝化层的980 nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明,采用AlN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布,降低器件的热阻,提高器件的散热能力;采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AlN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件;对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试,结果表明AlN膜钝化层的高功率VCSEL器件室温下的最大输出功率可达470 mW,比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140 mW。AlN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时,仍能正常激射,具有良好的温度适应性与光电性能。 展开更多
关键词 激光 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光 AlN膜 钝化层
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半导体激光器
8
《中国光学》 EI CAS 2002年第2期22-24,共3页
TN248.4 2002020956MBE 生长 GaAlAs/GaAs 量子阱激光器材料的光谱和结构特性分析=Spectral and structure characteristicsof GaAlAs/GaAs quantum well laser materialsgrown by MBE[刊,中]/李梅,宋晓伟,王晓华,张宝顺。
关键词 阵列半导体激光 特性分析 计算机与通信 国家重点实验室 半导体微腔激光 四川 高功率半导体激光 激光技术 长春 载流子密度
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气体激光器
9
《中国光学》 EI CAS 2000年第3期23-24,共2页
TN248.21 2000031651小型磁脉冲压缩器在铜蒸气激光器上的应用=Asmall mangetic pulse compressor used for acopper vaporlaser[刊,中]/李海兰,陶永样,尹宪华,陈林,杨燕,于德利(中科院上海光机所.上海(201800))//中国激光.—1999,26(1... TN248.21 2000031651小型磁脉冲压缩器在铜蒸气激光器上的应用=Asmall mangetic pulse compressor used for acopper vaporlaser[刊,中]/李海兰,陶永样,尹宪华,陈林,杨燕,于德利(中科院上海光机所.上海(201800))//中国激光.—1999,26(10).—873-877介绍了一种用小镍-锌磁环组成的小型磁脉冲压缩器,并将它成功地用于铜蒸气激光器电路中。同时给出了它的基本原理和理论设计。 展开更多
关键词 铜蒸气激光 磁脉冲压缩器 气体激光 小信号增益系数 高功率半导体激光 中科院 实验结果 分子激光 激光输出功率 光机
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高功率半导体激光治疗789例肥厚性鼻炎临床观察
10
作者 胡宝华 杨金维 倪建刚 《中国航天工业医药》 2000年第5期28-29,共2页
慢性肥厚性鼻炎是鼻科常见多发的顽症,保守治疗效果差,自1997年5月开始,我科应用高功率半导体激光治疗肥厚性鼻炎,到1998年12月为789例患者作了不同方式的激光手术,随访6个月以上,现将临床观察报告如下.
关键词 肥厚性鼻炎 激光疗法 高功率半导体激光
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光学镜头、光学零部件
11
《中国光学》 EI CAS 2002年第4期6-7,共2页
TH703 2002042439半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究=Char-acteristics of semiconductor/superlattice distribut-ed Bragg reflector[刊,中]/晏长岭,钟景昌,赵英杰,苏伟,黎荣晖,任春燕(长春光机学院高功率半导体激光国家重点... TH703 2002042439半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究=Char-acteristics of semiconductor/superlattice distribut-ed Bragg reflector[刊,中]/晏长岭,钟景昌,赵英杰,苏伟,黎荣晖,任春燕(长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022))∥发光学报.— 展开更多
关键词 分布布拉格反射镜 伺服反射镜 超晶格 光电工程 高功率半导体激光 光学镜头 阵列腔镜 国家重点实验室 变焦距物镜 特性研究
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光学薄膜参数测试
12
《中国光学》 EI CAS 1999年第5期68-69,共2页
O484.5 99053251多层光学薄膜周期厚度的双晶X射线掠入射研究=Study of periodic thickness of multilayer opticalthin films by double—crystal grazing incident X—ray[刊,中]/李学千,宋晓伟,曲轶,李梅,张兴德(长春光机学院高功率... O484.5 99053251多层光学薄膜周期厚度的双晶X射线掠入射研究=Study of periodic thickness of multilayer opticalthin films by double—crystal grazing incident X—ray[刊,中]/李学千,宋晓伟,曲轶,李梅,张兴德(长春光机学院高功率半导体激光国家重点实验室.吉林,长春(130022))//光学技术.—1998,(5).—36—38阐述了掠入射X射线测量薄膜厚度的条件,讨论和分析了掠入射X射线测量多层薄膜厚度的干涉原理和方法。利用双晶X射线衍射仪对多层光学薄膜的周期厚度进行了掠入射小角度测量,获得了令人满意的结果,测量值与设计值极好的吻合。图4参8(方舟)O484.5 99053252内部反射对测量高聚物薄膜电光系数的影响=Effectsof internal reflection on measurement of 展开更多
关键词 光学薄膜 掠入射 周期厚度 高功率半导体激光 薄膜厚度 聚物薄膜 射线测量 小角度测量 国家重点实验室 电光系数
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高功率半导体激光治疗鼻衄临床观察实践
13
作者 诸琦 胡宝华 《浙江临床医学》 2002年第11期856-857,共2页
关键词 高功率半导体激光 治疗 鼻衄 临床观察
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连续工作的体布拉格光栅外腔半导体激光器的温度特性 被引量:18
14
作者 程灿 辛国锋 +2 位作者 封惠忠 方祖捷 瞿荣辉 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期27-30,共4页
对体布拉格光栅(VBG)作为波长选择元件的外腔半导体激光器的波长锁定进行了实验研究,报道了连续运转输出功率达43.5 W的半导体激光器阵列的体布拉格光栅波长锁定实验结果,给出了不同热沉温度下的稳定的波长锁定结果,说明采用体布拉格光... 对体布拉格光栅(VBG)作为波长选择元件的外腔半导体激光器的波长锁定进行了实验研究,报道了连续运转输出功率达43.5 W的半导体激光器阵列的体布拉格光栅波长锁定实验结果,给出了不同热沉温度下的稳定的波长锁定结果,说明采用体布拉格光栅外腔将减小半导体激光器的温控压力。实验中发现,随着注入电流的增大,输出激光功率逐渐增强,锁定的激射波长向长波长方向偏移。在输出功率为34.5 W时,波长红移约0.56 nm。这一移动与实验测量的体布拉格光栅的温度特性相吻合。连续和高占空比运行、高输出功率情况下,在器件的设计和使用时应该考虑这一效应。 展开更多
关键词 激光 高功率半导体激光器阵列 体布拉格光栅 外腔半导体激光 温度特性
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高功率半导体激光器陶瓷封装散热性能研究 被引量:14
15
作者 倪羽茜 井红旗 +3 位作者 孔金霞 祁琼 刘素平 马骁宇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期561-566,共6页
为实现半导体激光器单管的高功率输出,研究了使用氮化铝和碳化硅两种陶瓷材料制成的三明治型过渡热沉的散热性能。首先使用有限元分析方法计算,然后利用光谱法测量激光器的工作热阻。数值计算和实验测量结果均显示,碳化硅制成的过渡热... 为实现半导体激光器单管的高功率输出,研究了使用氮化铝和碳化硅两种陶瓷材料制成的三明治型过渡热沉的散热性能。首先使用有限元分析方法计算,然后利用光谱法测量激光器的工作热阻。数值计算和实验测量结果均显示,碳化硅制成的过渡热沉所封装器件的工作热阻更低,散热效果更好。此外,实验进一步测试了器件的光电特性,结果表明碳化硅陶瓷制成的过渡热沉封装器件的电光转换效率更高、输出功率更大。915 nm附近单管器件在注入电流15 A时的输出功率为16.3 W,最高电光转换效率达到了68.3%。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 有限元分析 热阻
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百瓦级半导体激光器模块的风冷散热系统分析 被引量:13
16
作者 张志军 刘云 +4 位作者 付喜宏 张金龙 单肖楠 朱洪波 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期187-191,共5页
对百瓦级半导体激光器风冷散热系统进行分析,利用ANSYS有限元分析软件对高功率半导体激光模块器件的温度场分布进行了模拟和优化设计。为百瓦级大功率半导体激光模块风冷系统工艺方案的选择提供了依据,并据此进行了实验验证。
关键词 高功率半导体激光 热特性 ANSYS 温度分布
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高功率半导体激光器在金属材料加工中的应用 被引量:11
17
作者 李学敏 苏国强 +1 位作者 翟光美 刘青明 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2016年第2期140-143,共4页
高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度... 高功率半导体激光器及其阵列具有体积小、质量轻、能耗低、光斑易调节、光电转换效率较高的优点,广泛应用于金属材料焊接、金属表面相变硬化和金属材料表面熔覆。利用高功率半导体激光器可以连续性焊接不同型号的合金钢,获得大面积深度均匀的相变硬化层,也能够精确控制熔覆层结构及其几何形状。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 焊接 淬火 激光熔覆 材料表面硬化 金属材料加工
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高功率1060nm半导体激光器波导结构优化 被引量:10
18
作者 李特 郝二娟 +3 位作者 李再金 王勇 芦鹏 曲轶 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期226-230,共5页
针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,... 针对高功率1060 nm半导体激光器的外延结构,分析了影响器件功率进一步提高的原因.根据分析,优化了激光器的量子阱结构和波导结构,并理论模拟了波导宽度对模式和输出功率的影响.根据不同模式的光场分布,对量子阱有源区的位置进行了优化,并设计了非对称、宽波导结构.对不同模式的限制因子进行了计算,结果表明,优化后的非对称波导结构能够在降低基模的限制因子的同时,增加高阶模式的损耗. 展开更多
关键词 高功率半导体激光 1060nm 波导宽度 模式
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高功率半导体激光器互连界面可靠性研究 被引量:8
19
作者 彭勃 张普 +3 位作者 陈天奇 赵崟岑 吴的海 刘晖 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2018年第11期101-108,共8页
随着高功率半导体激光器(HPLD)在极端环境中的应用越来越广泛,互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法(FEM)对传导冷却(CS)高功率半导体激光器巴条互连界面在-55~125℃热冲击条件下的失效行为和寿... 随着高功率半导体激光器(HPLD)在极端环境中的应用越来越广泛,互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法(FEM)对传导冷却(CS)高功率半导体激光器巴条互连界面在-55~125℃热冲击条件下的失效行为和寿命进行了模拟与分析。基于粘塑性Anand本构模型和Darveaux能量积累理论,对比了热冲击后界面层边缘及中心位置铟互连界面的可靠性,发现互连界面边缘的应力最大,达到0.042 5 GPa;相应的边缘位置的寿命最短,只有3 006个周期,即边缘位置为互连界面的"最危险单元"。预测了采用铟、金锡合金和纳米银焊膏封装的半导体激光器巴条的寿命,计算出铟、金锡合金和纳米银焊膏三种不同键合材料在边缘位置的寿命分别为3 006、4 808和4 911次循环,表明纳米银焊膏和金锡合金在热冲击条件下具有更长的寿命,更适合于用于极端环境的高功率半导体激光器封装。 展开更多
关键词 可靠性 高功率半导体激光 互连界面 寿命 有限元
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基于双焦距准直镜的半导体激光合束系统的研究 被引量:7
20
作者 彭浩 邹锋 +1 位作者 覃贝伦 姚雨辰 《应用激光》 CSCD 北大核心 2020年第6期1110-1114,共5页
由于高功率半导体激光器具有能量转换效率高、稳定性好、工作寿命长、体积小等优异的特性,已经被广泛地用于固态激光器泵浦源、金属表面改性、焊接加工等领域。本文针对传统慢轴准直镜对于高填充因子的半导体激光阵列准直效果不好的问题... 由于高功率半导体激光器具有能量转换效率高、稳定性好、工作寿命长、体积小等优异的特性,已经被广泛地用于固态激光器泵浦源、金属表面改性、焊接加工等领域。本文针对传统慢轴准直镜对于高填充因子的半导体激光阵列准直效果不好的问题,提出了基于双焦距透镜的准直器件,通过在一个面的相互正交的两个方向上分别设计不同的面型参数实现用一个器件同时对半导体激光器快慢轴两个方向同时准直的效果。应用费马原理推导了该透镜的面型参数,得到两个面均为双曲面,快轴方向的顶点曲率半径为0.07495,圆锥系数为-3.061,慢轴方向的顶点曲率半径0.843,圆锥系数为-3.061。最终得到的经过双焦距准直透镜准直之后的残余发散角分别为34.4 mrad(FWHM)和19 mrad(FWHM)。仿真结果表明这种设计可以实现与之前分离式两轴准直镜几乎相同的准直效果,解决了传统FAC与SAC结构对高填充因子激光阵列参数受空间限制的问题,同时减小了装调误差。 展开更多
关键词 高功率半导体激光 光谱合束 双焦距准直镜 光束整形
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