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高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备
被引量：
2
1
作者
段瑜
张筱丹
+7 位作者
孙浩
朱亚安
王光华
宋立媛
于晓辉
万锐敏
季华夏
李亚文
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015年第12期1022-1026,共5页
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮...
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m^2到20000 cd/m^2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm^2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m^2和500 cd/m^2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
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关键词
高
亮度
绿光
OLED
微显示器件
下载PDF
职称材料
题名
高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备
被引量：
2
1
作者
段瑜
张筱丹
孙浩
朱亚安
王光华
宋立媛
于晓辉
万锐敏
季华夏
李亚文
机构
云南北方奥雷德光电科技股份有限公司
昆明物理研究所
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015年第12期1022-1026,共5页
基金
云南省应用基础研究重点项目
编号:2012FA004
+1 种基金
昆明市产业创新发展重点项目
编号:2014-01-A-G-02-2006
文摘
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m^2到20000 cd/m^2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm^2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m^2和500 cd/m^2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。
关键词
高
亮度
绿光
OLED
微显示器件
Keywords
high brightnessgreenemitting, OLED, micro-display
分类号
O482.3 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备
段瑜
张筱丹
孙浩
朱亚安
王光华
宋立媛
于晓辉
万锐敏
季华夏
李亚文
《红外技术》
CSCD
北大核心
2015
2
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职称材料
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