-
题名低雾化性加脂剂的研究进展
被引量：9
- 1
-
-
作者
张静
夏正斌
涂伟萍
-
机构
华南理工大学化工学院
-
出处
《皮革科学与工程》
CAS
2004年第4期34-37,共4页
-
文摘
低雾化性是生产家具革,特别是汽车、飞机等座垫用革的特殊要求。介绍了多功能低雾化性加脂剂的研究进展及其皮革加工过程和材料对皮革雾值的影响。指出今后低雾化性加脂剂将会朝着多功能、系列化的方向发展。
-
关键词
低雾化性
加脂剂
雾值
-
Keywords
low fogging
fatliquor
the fogging characteristic
-
分类号
TS529.4
[轻工技术与工程—皮革化学与工程]
-
-
题名一种高效的锗单晶抛光片清洗液
被引量：6
- 2
-
-
作者
杨洪星
陈晨
王云彪
何远东
耿莉
-
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期129-132,共4页
-
文摘
以锗(Ge)单晶片为衬底制备的太阳电池,具有较好的光电转换效率,因而使Ge材料再次受到广泛关注。Ge单晶片表面的均匀性对外延结果有着较大影响,基于改善Ge单晶片表面均匀性的目的,引入一种H2O2,HF和去离子水的混合液作为Ge片的清洗液,以雾值、表面粗糙度和表面颗粒度作为Ge单晶片表面均匀性的评价指标。通过Ge单晶片清洗实验,确定清洗液配比、清洗时间的较优组合。在优化后的清洗条件下,Ge单晶抛光片的雾值为2.33×10-8,表面粗糙度为0.16 nm,Ge单晶片的表面质量满足电池制作的要求。该清洗液清洗效果好,操作简便,是Ge单晶抛光片的一种较理想清洗液。
-
关键词
锗(Ge)单晶
表面清洗
表面粗糙度
雾值
抛光片
-
Keywords
Germanium （Ge） crystal
surface cleaning technology
surface roughness
haze
polished wafter
-
分类号
TN304.11
[电子电信—物理电子学]
TN305.12
-
-
题名超薄锗单晶抛光片质量稳定性研究
被引量：5
- 3
-
-
作者
王云彪
杨洪星
耿莉
郭亚坤
-
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
出处
《中国电子科学研究院学报》
北大核心
2016年第5期527-531,共5页
-
文摘
P型超薄锗抛光片是制作空间太阳能电池的衬底材料,表面质量状态的稳定性控制对于后续外延及器件质量有着重要的影响。通过分析抛光工艺过程、清洗工艺过程、包装质量对稳定性的影响,首次提出了采用表面微观平坦度和表面雾值来衡量锗抛光片表面质量优劣和稳定性,对于提高锗抛光片加工水平和统一控制标准,具有重要的意义。
-
关键词
锗抛光片
表面质量
微观平坦度
雾值
稳定性
-
Keywords
germanium polished wafer
surface quality
the microcosmic surface flatness
surface fog value
stability
-
分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名锗抛光片清洗工艺研究
被引量：1
- 4
-
-
作者
郭亚坤
陈晨
田原
范红娜
王云彪
-
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
出处
《电子工业专用设备》
2015年第11期36-39,共4页
-
文摘
采用紫外线/臭氧技术氧化锗抛光片表面,取代传统的H2O2氧化工艺,之后使用盐酸稀溶液清洗。研究发现当采用波长为253.7 nm和184.9 nm的紫外线光源与臭氧同时作用,并在尽可能靠近锗抛光片表面时,经过30 s的反应时间即可实现对锗抛光片的最佳氧化效果。利用雾值检测对锗抛光片表面质量进行评价,当锗抛光片经过盐酸:H2O=1:50的溶液处理60 s后,可有效地去除抛光片表面的锗氧化物。
-
关键词
紫外线/臭氧
清洗技术
雾值
锗抛光片
-
Keywords
UV/O3
Cleaning technology
Haze value
Germanium polished wafer
-
分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名外延生长用磷化铟单晶片清洗技术
被引量：3
- 5
-
-
作者
武永超
林健
刘春香
王云彪
赵权
-
机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
-
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第8期620-624,共5页
-
文摘
根据磷化铟晶片的清洗机理,进行了三组磷化铟晶片清洗实验,并使用原子力显微镜（AFM）、表面分析仪和X射线光电子能谱（XPS）对晶片的化学成分、表面粗糙度及均匀性进行了表征,最终确定了氧化-酸剥离的磷化铟清洗工艺,并对清洗过程中晶片表面雾值变化进行研究。结果表明,清洗后的磷化铟晶片表面粗糙度达到0.12 nm,优于国外磷化铟晶片（0.15~0.17 nm）。XPS测试结果显示晶片表面形成了富铟层,富铟层降低了磷化铟晶片表面化学活性,起到了表面稳定作用,提高了外延生长质量。
-
关键词
磷化铟单晶衬底
表面雾值
表面粗糙度
原子力显微镜(AFM)
X射线光电子能谱(XPS)
-
Keywords
In P single crystal substrate
surface haze value
surface roughness
atomic force microscopy（AFM）
X-ray photoelectron spectroscopy（XPS）
-
分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
-
