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源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声影响分析
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作者 王玮 《光电子》 2024年第2期19-24,共6页
随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研... 随机电报信号(Random Telegraph Signal, RTS)噪声是影响CMOS图像传感器图像质量的主要因素之一。伴随着集成电路制造工艺技术的高速发展,源极跟随器(Source Follower, SF)晶体管栅极尺寸不断缩小,使得对RTS噪声影响也愈发增大。文章研究了不同源极跟随器离子注入工艺对RTS噪声的影响,通过工艺优化后,可获得最佳的RTS噪声改善效果。 展开更多
关键词 随机报信噪声 源极跟随器 离子注入工艺 工艺优化
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纳米MOS器件RTS噪声测量与分析 被引量:5
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作者 张鹏 庄奕琪 +3 位作者 鲍立 马中发 包军林 李伟华 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1041-1045,共5页
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报... 提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分和高斯函数拟合方法,提取了随机电报信号噪声的相对幅度,再通过数字滤波和指数函数拟合方法提取随机电报信号噪声时常数.通过对90 nm MOS器件的测量分析,结果表明该方法不但计算速度远高于传统方法,而且在相同精度要求下,需要的采样点仅为传统方法的1/10.在随机电报信号时常数较小的情况下,测量精度为传统方法的几倍到几十倍. 展开更多
关键词 随机报信噪声 噪声测量 虚拟仪器 纳米MOS器件
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场效应晶体管随机电报信号噪声的探测及分析 被引量:3
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作者 孙玮 孙钊 王鹏 《西安工业大学学报》 CAS 2013年第12期957-960,967,共5页
为了快速准确自动识别随机电报信号,文中基于Sagittarius操作平台,提出了一种适用于工业生产环境的场效应晶体管随机电报信号噪声的全自动测量系统,分析了随机电报信号噪声的识别算法.研究结果表明:以40nm低能耗CMOS工艺的实际产品验证... 为了快速准确自动识别随机电报信号,文中基于Sagittarius操作平台,提出了一种适用于工业生产环境的场效应晶体管随机电报信号噪声的全自动测量系统,分析了随机电报信号噪声的识别算法.研究结果表明:以40nm低能耗CMOS工艺的实际产品验证了Sagittarius全自动测量系统的测试方法及分析算法,实现了MOSFETs随机电报信号噪声的快速、精确测量,满足了随机电报信号噪声的自动分析功能. 展开更多
关键词 场效应晶体管 随机报信噪声 自动识别 Sagittarius操作平台
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