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红外焦平面成像器件发展现状 被引量：55
1
作者 陈伯良 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2005年第1期1-7,共7页
红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、InSb和QWIP的最新进展作一评述,简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术:光学读出微光机红外接收器。
关键词 红外焦平面列阵 碲镉汞 锑化铟 量子阱红外探测器
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InSb红外焦平面探测器现状与进展 被引量：18
2
作者 牟宏山 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期394-399,共6页
红外焦平面探测器技术是一种通过摄取景物热辐射分布图像,并将其转换为人眼可见图像的技术。近年来红外探测器技术发展迅速,在军事、工业、农业、医学等各领域显示出越来越重要的应用。本文对锑化铟红外焦平面探测器的应用及发展情况进... 红外焦平面探测器技术是一种通过摄取景物热辐射分布图像,并将其转换为人眼可见图像的技术。近年来红外探测器技术发展迅速,在军事、工业、农业、医学等各领域显示出越来越重要的应用。本文对锑化铟红外焦平面探测器的应用及发展情况进行了分析,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 锑化铟 焦平面 红外探测器
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128×128 InSb探测器结构模型研究 被引量：17
3
作者 孟庆端 张晓玲 +1 位作者 张立文 吕衍秋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期111-116,共6页
热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率.为明晰碎裂机理,基于等效设想,利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题,同时综合考虑材料线膨胀系数的温度依赖性、材料强度的各向异... 热冲击下红外焦平面探测器的高碎裂概率制约着其成品率.为明晰碎裂机理,基于等效设想,利用小面阵等效大面阵解决了128×128面阵探测器三维结构建模所需单元数过多的问题,同时综合考虑材料线膨胀系数的温度依赖性、材料强度的各向异性、表面加工损伤效应,合理选取InSb材料性能参数,建立起128×128面阵探测器结构有限元分析模型.模拟结果表明:热冲击下最大Von Mises应力值出现在N电极区域,其极值呈非连续分布,这意味着热冲击下128×128面阵探测器的裂纹起源于N电极区域,且不止一条.上述结论与碎裂统计分析报告中典型裂纹起源地及裂纹分布这两方面相符合,这为后续面阵探测器碎裂诱因的研究及结构可靠性设计提供了切实可行的研究思路. 展开更多
关键词 焦平面 锑化铟 结构应力
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InSb焦平面探测器的发展现状与趋势 被引量：16
4
作者 赵建忠 《红外技术》 CSCD 北大核心 2016年第11期905-913,共9页
本文通过对红外技术发展历程的回顾,简要介绍了锑化铟材料的一些基本特性,通过对国外主要锑化铟材料、探测器研制生产单位的产品、性能指标的分析,归纳出锑化铟材料、探测器的主要技术路线,并对未来锑化铟材料、探测器的发展趋势进行了... 本文通过对红外技术发展历程的回顾,简要介绍了锑化铟材料的一些基本特性,通过对国外主要锑化铟材料、探测器研制生产单位的产品、性能指标的分析,归纳出锑化铟材料、探测器的主要技术路线,并对未来锑化铟材料、探测器的发展趋势进行了分析。 展开更多
关键词 锑化铟 焦平面探测器 扩散 注入 数字化
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连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏 被引量：12
5
作者 强希文 刘峰 +2 位作者 张建泉 陈雨生 黄流兴 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期372-376,共5页
采用数值方法 ,研究了半导体 In Sb材料受连续波激光辐照的熔融阈值 ,讨论了 In Sb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系 ,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响 。
关键词 激光辐照效应 锑化铟 连续波激光
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化学腐蚀和硫处理对InSb(111)表面的影响 被引量：12
6
作者 陆春明 李喆深 +2 位作者 董国胜 任静 龚雅谦 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期675-682,共8页
本文应用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对化学腐蚀和硫处理的InSb表面进行了研究。实验中发现经过CP-4腐蚀以后在样品的表面生成了InSb的氧化层,氧化层中的组分是锑的氧化物明显多于铟的氧化物。样品经过硫处理以后能够除去InSb表面的... 本文应用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对化学腐蚀和硫处理的InSb表面进行了研究。实验中发现经过CP-4腐蚀以后在样品的表面生成了InSb的氧化层,氧化层中的组分是锑的氧化物明显多于铟的氧化物。样品经过硫处理以后能够除去InSb表面的氧化层并且形成硫化物钝化层。 展开更多
关键词 锑化铟 半导体 化学腐蚀 硫处理
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InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器 被引量：9
7
作者 黄钊洪 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2001年第7期11-13,共3页
介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约... 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ,并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ,待测的 5 0Hz交流电流在 40～ 110mA之间变化时 ,输出电压在约 1V至约 3 .5V范围内变化 ,并且两者之间有比较好的线性关系 ,标准偏差 <0 .0 2。输出信号电压与本底噪声之比是 (2 4～ 46 ) :1。 展开更多
关键词 锑化铟 共晶体 磁敏电阻 电流传感器 薄膜
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镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备 被引量：9
8
作者 朱开贵 石建中 +1 位作者 魏彦峰 张立德 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第13期1389-1393,共5页
用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成... 用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2 展开更多
关键词 磁控溅射 二氧化硅薄膜 锑化铟 纳米颗粒
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InSb磁阻元件的特性及无接触旋转传感器 被引量：8
9
作者 张之圣 白花珍 +2 位作者 陈金亭 陈智勇 王玉东 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1999年第6期774-776,共3页
介绍了半导体材料的霍尔效应及磁阻效应，讨论了磁阻元件的特性，找到了ＩｎＳｂ 磁阻特性曲线的拐点，提出旋转传感器的工作原理与结构设计，研制这种传感器的关键在于桥式电路的设计．
关键词 磁阻元件 磁阻特性 旋转传感器 半导体 锑化铟
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用EXAFS方法研究液态GaSb和InSb结构 被引量：4
10
作者 陆坤权 《物理》 CAS 1998年第6期321-322,384,共3页
用ＥＸＡＦＳ方法研究了液态ＧａＳｂ，ＩｎＳｂ的结构，获得了原子对分布函数和原子配位数的几率分布．结果表明，熔化破坏了共价结合的四面体结构．这种结构的变化使液态ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ转变成金属．
关键词 液态结构 EXAFS 锑化镓 锑化铟 半导体
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InSb面阵探测器法线方向力学参数选取研究 被引量：10
11
作者 孟庆端 余倩 +1 位作者 张立文 吕衍秋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期328-332,共5页
为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据.模拟结果表明:当InSb芯片法线方向杨氏模量取体... 为明确InSb芯片前表面结构缺陷和背面减薄工艺对InSb芯片变形的影响,本文采用降低InSb芯片法线方向杨氏模量的方式,基于热冲击下InSb芯片的典型形变特征来探索InSb芯片力学参数的选取依据.模拟结果表明:当InSb芯片法线方向杨氏模量取体材料的30%时,最大Von Mises应力值和法线方向最大应变值均出现在N电极区域,且极值呈非连续分布,这与InSb焦平面探测器碎裂统计报告中典型裂纹起源于N电极区域及多条裂纹同时出现的结论相符合.此外,InSb芯片中铟柱上方区域向上凸起,台面结隔离槽区域往下凹陷,该形变分布也与典型碎裂照片中InSb芯片的应变分布保持一致.因此,基于InSb芯片法线方向应变的判据除了能够预测裂纹起源地及裂纹分布外,还能提供探测器阵列中心区域Z方向应变分布及N电极区域Z方向的应变增强效应,为InSb芯片力学参数的选取提供了依据. 展开更多
关键词 焦平面 锑化铟 结构应力
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InSb的锂嵌入形成能第一原理计算 被引量：8
12
作者 刘慧英 侯柱锋 +2 位作者 朱梓忠 黄美纯 杨勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1732-1736,共5页
InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视 .使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构 .讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密... InSb材料在近来的锂离子电池负极材料研究中受到了重视 .使用基于局域密度泛函理论的第一原理赝势法 ,计算了锂离子电池非碳类负极材料InSb各种锂嵌入情况时的形成能以及相应的电子结构 .讨论了锂嵌入时的体积变化、能带结构、电子态密度以及电荷分布等性质 .计算发现 ,闪锌矿结构的InSb材料 ,锂嵌入到主体材料的间隙位置时的形成能平均每个锂原子都在 2 展开更多
关键词 INSB 锂嵌入形成能 第一原理计算 锂离子电池 负极材料 局域密度泛函理论 电子结构 锑化铟
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64×64元InSb光伏红外探测器列阵性能表征 被引量：4
13
作者 陈伯良 陆蔚 +2 位作者 王正官 杨华 汪辉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期89-92,共4页
用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典型 6 4× 6 4元 In Sb芯片的探测器平均零偏阻抗为 42 MΩ (90 K) ,非均匀性为 2 0 % ;平均 10 0... 用改进的恒压微探针方法 ,对 6 4× 6 4元 In Sb凝视红外焦平面器件光伏探测器列阵芯片的性能进行了抽样检测和均匀性评价 .测得典型 6 4× 6 4元 In Sb芯片的探测器平均零偏阻抗为 42 MΩ (90 K) ,非均匀性为 2 0 % ;平均 10 0 0 K黑体响应率为 2 .8A/W,非均匀性为 6 .3% ;电学串音率 <2 % . 展开更多
关键词 红外焦平面列阵 性能表征 锑化铟 红外探测器
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4英寸高质量InSb晶体生长研究 被引量：9
14
作者 柏伟 庞新义 赵超 《红外》 CAS 2018年第9期8-13,共6页
InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in ... InSb晶体是制备中波红外探测器的重要材料。为了满足新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展需求,开展了大尺寸InSb晶体的生长研究,解决了晶体生长的诸多关键技术,成功地生长出了直径为4 in的高质量InSb单晶,并加工出了高质量的4 in InSb抛光晶片。测试表明,直径大于120 mm的晶体长度超过100 mm,晶体位错密度小于100 cm^(-2),其电学参数均匀,载流子浓度、载流子迁移率均满足制备高性能大规格红外焦平面探测器的要求。这为新一代超大规模阵列红外焦平面探测器的发展奠定了良好的材料基础。 展开更多
关键词 锑化铟 晶体生长 直径 位错 电学参数
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连续波氧碘激光对光伏型锑化铟探测器的破坏阈值 被引量：7
15
作者 陈金宝 陆启生 +2 位作者 钟海荣 蒋志平 刘泽金 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期221-224,共4页
通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度的连续波氧碘激光辐照下性能的变化，得到其破坏阈值范围为２６（０．８９ｓ）～１１３（１．４ｓ）Ｗ／ｃｍ２。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中温升和输出信号的变化过程，... 通过测量光伏型锑化铟探测器在不同功率密度的连续波氧碘激光辐照下性能的变化，得到其破坏阈值范围为２６（０．８９ｓ）～１１３（１．４ｓ）Ｗ／ｃｍ２。理论上用一维热模型计算了探测器在激光辐照过程中温升和输出信号的变化过程，对实验结果进行了分析。 展开更多
关键词 连续波 氧碘激光 破坏阈值 红外探测器 锑化铟
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InSb晶片湿法化学刻蚀研究 被引量：8
16
作者 韦书领 应明炯 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2008年第9期899-901,共3页
随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FP... 随着大格式InSb FPA器件发展,像元间距越来越小,芯片总面积不断增加,对像元加工精度和均匀性都提出了极高的要求,原有的湿法刻蚀已越来越难于满足工艺要求,主要体现在湿法横向刻蚀导致原本设计很小的像元面积进一步缩小,严重降低InSb FPA的填充因子。通过实验,介绍一种湿法刻蚀工艺,可以较好解决上述问题。 展开更多
关键词 红外探测器 焦平面 湿法刻蚀 锑化铟
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VESTA软件在材料化学课程教学中的应用——以纳米锑化铟孪晶结构为例
17
作者 钱银银 许瑞 《大学化学》 CAS 2024年第3期103-107,共5页
在材料化学的教学过程中,笔者将实验室制备的锑化铟孪晶纳米结构及其相关结构表征数据引入到授课内容之中,并借助VESTA软件模拟出锑化铟孪晶纳米结构的模型。通过在课堂上对VESTA软件的实时操作,生动展现了不同角度以及不同显示形式的... 在材料化学的教学过程中,笔者将实验室制备的锑化铟孪晶纳米结构及其相关结构表征数据引入到授课内容之中,并借助VESTA软件模拟出锑化铟孪晶纳米结构的模型。通过在课堂上对VESTA软件的实时操作,生动展现了不同角度以及不同显示形式的三维孪晶结构。这种“理论知识讲解+软件操作演示+科研成果案例”相结合的模式,不仅可以加深学生对孪晶结构的理解,还能激发学习兴趣,提升运用科学工具解决实际问题的能力,实现课堂教学与科研探索的相辅相成。 展开更多
关键词 材料化学 锑化铟 孪晶结构 计算机模拟
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锑化铟晶体空位缺陷的正电子湮灭研究
18
作者 赵超 董涛 +3 位作者 折伟林 彭志强 贺利军 张孟川 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期72-77,共6页
锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究... 锑化铟晶体材料的电学性能是影响最终制备的红外探测器件性能的关键因素。材料内部的杂质以及点缺陷特别是空位缺陷会极大的影响材料的电学性能,有时甚至会导致材料反型。本文利用正电子湮灭谱对锑化铟晶体材料的空位缺陷类型进行了研究,同时还对不同晶体生长拉速、导电类型晶体材料的正电子湮灭寿命进行分析。结果表明其内部主要为V In型空位缺陷,且在一定拉速范围内,正电子湮灭寿命基本无变化,此外空位缺陷也不是导致N型锑化铟晶体材料导电类型反型的主要原因。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测器 正电子湮灭谱 空位缺陷 晶体生长拉速 导电类型
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锑化铟焦平面器件背面的湿法腐蚀技术研究
19
作者 米南阳 刘园园 +2 位作者 李忠贺 吴卿 赵建忠 《红外》 CAS 2024年第8期18-23,共6页
湿法腐蚀可以有效地去除芯片在背减薄过程中因机械作用产生的损伤,提升器件的量子效率。为了获得一种合适的湿法腐蚀方法,研究了以氢氟酸、盐酸和乳酸为主的3种不同体系的酸性锑化铟腐蚀液。通过金相显微镜和原子力显微镜的表征结果选... 湿法腐蚀可以有效地去除芯片在背减薄过程中因机械作用产生的损伤,提升器件的量子效率。为了获得一种合适的湿法腐蚀方法,研究了以氢氟酸、盐酸和乳酸为主的3种不同体系的酸性锑化铟腐蚀液。通过金相显微镜和原子力显微镜的表征结果选取最优的腐蚀液体系。在此基础上继续优化了氢氟酸腐蚀液的浓度和配比,研究了腐蚀液的腐蚀速率和一致性。最后,使用优化后的腐蚀液处理锑化铟芯片,研究了该芯片在77 K温度下的性能。电平图结果显示,该腐蚀液可以有效地去除芯片表面的损伤,而且器件电压信号Vs达到485 mV。湿法腐蚀技术成功应用于芯片背减薄后的表面处理,对于锑化铟背面处理技术的研究有重要意义。 展开更多
关键词 锑化铟 化学腐蚀 背面处理
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InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究 被引量：6
20
作者 谭振 亢喆 李海燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期72-75,共4页
传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得... 传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP) 锑化铟 台面刻蚀 刻蚀速率 刻蚀形貌
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