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改善玻璃衬底上ZnO薄膜特性的方法
被引量:
2
1
作者
张彩珍
陈永刚
周庆华
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期454-458,共5页
利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为...
利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为1μm的AZO缓冲层后,提高了衬底材料和ZnO薄膜之间的晶格匹配程度,有助于增大ZnO薄膜晶粒尺寸,提高其(002)取向择优生长特性、薄膜结晶特性及晶格结构完整性。室温下的透射光谱结果表明玻璃/AZO和玻璃衬底上ZnO薄膜的透光特性没有显著不同。光致发光(PL)谱研究结果表明AZO缓冲层可以有效阻止衬底表面硅原子从ZnO薄膜中"俘获"氧原子,减少ZnO薄膜中的缺陷,改善ZnO薄膜的结晶质量。
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关键词
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)
ZNO薄膜
磁控溅射
扫描电子显微镜(SEM)
X射线衍射(XRD)
下载PDF
职称材料
有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响
被引量:
1
2
作者
李超
王超
+1 位作者
杨帆
王艳杰
《日用电器》
2022年第8期92-96,116,共6页
在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄...
在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄膜的表面形貌、晶粒生长情况,并利用半导体参数仪对柔性AZO-TFT的电学性能进行了测试,研究了有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响。结果表明:AZO薄膜为非晶结构,随着薄膜厚度的增加,薄膜成膜质量提高,均匀致密,当厚度为79 nm时器件获得最佳性能,其饱和迁移率达到2.21 cm^(2)·(Vs),开关比为6.62×10^(4),亚阈值摆幅为1.31 V·dec,阈值电压为10.76 V。
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关键词
柔性
厚度
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)
薄膜晶体管
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职称材料
低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备
3
作者
张含悦
王超
+2 位作者
杨帆
王艳杰
刘芙男
《吉林建筑大学学报》
CAS
2022年第4期78-83,共6页
本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响...
本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响规律.结果表明,磁控溅射的氩氧比为80∶20时,AZO薄膜表面的粗糙度较小,其值RMS=1.867 nm;制备的AZO-TFT均为n-沟道增强型器件,且呈现良好的饱和特性.该晶体管的电学性能较优,其亚阈值摆幅为2.64 V/decade,阈值电压为1.2 V,电流开关比可达4.08×10^(3),为新型可生物降解薄膜晶体管技术奠定了实验基础.
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关键词
玉米蛋白膜
可降解薄膜晶体管
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)
氩氧比
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职称材料
基于AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的染料敏化太阳电池研究
4
作者
李俊泓
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期777-780,共4页
采用化学气相沉积和直流溅射沉积方法成功制备了与基体附着力高的不同Pt厚度的Pt/碳纳米管(CNT)膜层。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)分别对薄膜厚度和表面形貌以及膜层中Pt的含量进行了研究;通过电化学阻抗谱和循环伏安曲线...
采用化学气相沉积和直流溅射沉积方法成功制备了与基体附着力高的不同Pt厚度的Pt/碳纳米管(CNT)膜层。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)分别对薄膜厚度和表面形貌以及膜层中Pt的含量进行了研究;通过电化学阻抗谱和循环伏安曲线分别对Pt和Pt/CNT对电极的光电催化性进行了研究。结果表明:CNT与基体具有良好的接触性,并且随Pt沉积时间的增加,Pt在CNT薄膜中的含量增加,染料敏化太阳电池(DSSC)的光电转化效率随Pt厚度的增加而增加;与单纯的Pt对电极相比,Pt/CNT对电极具有更高的活性比表面,更低的电子迁移电阻以及更高的还原电流密度;以Pt(80 nm)/CNT为对电极的DSSC具有最高的光电转化效率8.54%;另外,与Pt(80 nm)对电极相比,以Pt(40 nm)/CNT为对电极制备的DSSC具有更高的光电转化效率,因此,该新型对电极结构可大大节省贵金属Pt的用量,在DSSC的应用中具有很大的潜力。
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关键词
染料敏化太阳电池
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)/银/
azo
多层膜
铌
掺杂
二
氧化
钛阻挡膜
Pt/CNT对电极
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职称材料
表面具有微纳结构的AZO薄膜制备及性能研究
5
作者
姚婷婷
仲召进
+7 位作者
李刚
汤永康
杨勇
金克武
王天齐
沈鸿烈
甘治平
马立云
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期802-806,共5页
采用磁控溅射法及线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,使底层AZO薄膜工作压强从1.5Pa调整到0.1Pa。通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试系统、分光光度计及光电雾度仪研究了AZO薄膜的表...
采用磁控溅射法及线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,使底层AZO薄膜工作压强从1.5Pa调整到0.1Pa。通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试系统、分光光度计及光电雾度仪研究了AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,降低底层AZO薄膜工作压强对微纳结构AZO薄膜光电性能有显著的影响。底层AZO薄膜工作压强0.2Pa时,薄膜表现最低电阻率为6.17×10-4Ω·cm,可见光波段平均光学透光率为82.3%。随着底层AZO薄膜工作压强的降低,薄膜表面形貌、生长形态和晶粒大小发生较大变化,并得到具有陷光作用、优良光电性能的微纳结构AZO薄膜。
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关键词
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)薄膜
表面形貌
微纳结构
亲水性
电学性能
雾度
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职称材料
氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响
6
作者
赵斌
唐立丹
+1 位作者
王冰
冯佳恒
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2017年第4期565-568,572,共5页
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量...
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10^(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。
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关键词
梯度
铝
掺杂
的
氧化锌
(
azo
)薄膜
磁控溅射
氩氧比
电阻率
透过率
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职称材料
题名
改善玻璃衬底上ZnO薄膜特性的方法
被引量:
2
1
作者
张彩珍
陈永刚
周庆华
机构
兰州交通大学电子与信息工程学院
兰州交通大学自动化与电气工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第6期454-458,共5页
基金
国家自然科学基金西部项目(61405082)
文摘
利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为1μm的AZO缓冲层后,提高了衬底材料和ZnO薄膜之间的晶格匹配程度,有助于增大ZnO薄膜晶粒尺寸,提高其(002)取向择优生长特性、薄膜结晶特性及晶格结构完整性。室温下的透射光谱结果表明玻璃/AZO和玻璃衬底上ZnO薄膜的透光特性没有显著不同。光致发光(PL)谱研究结果表明AZO缓冲层可以有效阻止衬底表面硅原子从ZnO薄膜中"俘获"氧原子,减少ZnO薄膜中的缺陷,改善ZnO薄膜的结晶质量。
关键词
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)
ZNO薄膜
磁控溅射
扫描电子显微镜(SEM)
X射线衍射(XRD)
Keywords
Al-doped zinc oxide(
azo
)
ZnO thin film
magnetron sputtering
scanning electron microscope(SEM)
X-ray diffraction(XRD)
分类号
T304.21 [一般工业技术]
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职称材料
题名
有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响
被引量:
1
2
作者
李超
王超
杨帆
王艳杰
机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
出处
《日用电器》
2022年第8期92-96,116,共6页
基金
吉林省科技计划项目(2022-KL-09)
吉林省科技发展计划项目(20200201177JC)
+2 种基金
吉林省科技厅中央引导地方科研项目(202002012JC)
吉林省科技厅(YDZJ202201ZYTS430)
吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20210256KJ,JJKH20210277KJ,JJKH20210276KJ)。
文摘
在室温下,采用射频磁控溅射法在聚酰亚胺(Polyimide PI)衬底上制备了掺铝氧化锌(AZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,AZO薄膜厚度分别为53 nm,62 nm,79 nm,94 nm。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)测试分析了不同厚度AZO薄膜的表面形貌、晶粒生长情况,并利用半导体参数仪对柔性AZO-TFT的电学性能进行了测试,研究了有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响。结果表明:AZO薄膜为非晶结构,随着薄膜厚度的增加,薄膜成膜质量提高,均匀致密,当厚度为79 nm时器件获得最佳性能,其饱和迁移率达到2.21 cm^(2)·(Vs),开关比为6.62×10^(4),亚阈值摆幅为1.31 V·dec,阈值电压为10.76 V。
关键词
柔性
厚度
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)
薄膜晶体管
Keywords
flexibility
thickness
aluminum-doped zinc oxide(
azo
)
thin-film transistors
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备
3
作者
张含悦
王超
杨帆
王艳杰
刘芙男
机构
吉林建筑大学电气与计算机学院
出处
《吉林建筑大学学报》
CAS
2022年第4期78-83,共6页
基金
吉林省科技发展计划项目(20210203021SF,20200201177JC)
吉林省教育厅科学技术研究项目(JJKH20210256KJ,JJKH20210277KJ,JJKH20210276KJ).
文摘
本文采用射频磁控溅射技术沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为有源层,成功制备以玉米蛋白膜为基底的AZO薄膜晶体管(AZO-TFT),并对该器件的电学特性进行了表征.系统论述了磁控溅射过程中不同的氧分压对AZO薄膜表面及其TFT器件电学性能的影响规律.结果表明,磁控溅射的氩氧比为80∶20时,AZO薄膜表面的粗糙度较小,其值RMS=1.867 nm;制备的AZO-TFT均为n-沟道增强型器件,且呈现良好的饱和特性.该晶体管的电学性能较优,其亚阈值摆幅为2.64 V/decade,阈值电压为1.2 V,电流开关比可达4.08×10^(3),为新型可生物降解薄膜晶体管技术奠定了实验基础.
关键词
玉米蛋白膜
可降解薄膜晶体管
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)
氩氧比
Keywords
zein substrate
degradable thin film transistor
aluminum doped zinc oxide(
azo
)
argon-oxygen ratio
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
基于AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的染料敏化太阳电池研究
4
作者
李俊泓
机构
广安职业技术学院
出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期777-780,共4页
文摘
采用化学气相沉积和直流溅射沉积方法成功制备了与基体附着力高的不同Pt厚度的Pt/碳纳米管(CNT)膜层。通过扫描电子显微镜(SEM)和能谱分析(EDS)分别对薄膜厚度和表面形貌以及膜层中Pt的含量进行了研究;通过电化学阻抗谱和循环伏安曲线分别对Pt和Pt/CNT对电极的光电催化性进行了研究。结果表明:CNT与基体具有良好的接触性,并且随Pt沉积时间的增加,Pt在CNT薄膜中的含量增加,染料敏化太阳电池(DSSC)的光电转化效率随Pt厚度的增加而增加;与单纯的Pt对电极相比,Pt/CNT对电极具有更高的活性比表面,更低的电子迁移电阻以及更高的还原电流密度;以Pt(80 nm)/CNT为对电极的DSSC具有最高的光电转化效率8.54%;另外,与Pt(80 nm)对电极相比,以Pt(40 nm)/CNT为对电极制备的DSSC具有更高的光电转化效率,因此,该新型对电极结构可大大节省贵金属Pt的用量,在DSSC的应用中具有很大的潜力。
关键词
染料敏化太阳电池
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)/银/
azo
多层膜
铌
掺杂
二
氧化
钛阻挡膜
Pt/CNT对电极
Keywords
dye-sensitized solar cells
Al-doped ZnO(
azo
)/Ag/
azo
multilayer film
Nb-doped TiO2 blocking film
Pt/CNT counter electrode
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
表面具有微纳结构的AZO薄膜制备及性能研究
5
作者
姚婷婷
仲召进
李刚
汤永康
杨勇
金克武
王天齐
沈鸿烈
甘治平
马立云
机构
蚌埠玻璃工业设计研究院浮法玻璃新技术国家重点实验室
大连交通大学材料科学与工程学院
江苏省能量转换材料与技术重点实验室
出处
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第5期802-806,共5页
基金
安徽省科技攻关计划基金资助项目(1704a0902010
1704a0902014)
江苏省能量转换材料与技术重点实验室基金资助项目
文摘
采用磁控溅射法及线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,使底层AZO薄膜工作压强从1.5Pa调整到0.1Pa。通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试系统、分光光度计及光电雾度仪研究了AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,降低底层AZO薄膜工作压强对微纳结构AZO薄膜光电性能有显著的影响。底层AZO薄膜工作压强0.2Pa时,薄膜表现最低电阻率为6.17×10-4Ω·cm,可见光波段平均光学透光率为82.3%。随着底层AZO薄膜工作压强的降低,薄膜表面形貌、生长形态和晶粒大小发生较大变化,并得到具有陷光作用、优良光电性能的微纳结构AZO薄膜。
关键词
铝
掺杂
氧化锌
(
azo
)薄膜
表面形貌
微纳结构
亲水性
电学性能
雾度
Keywords
Al-doped ZnO (
azo
) thin films ; surface property ; hazemorphology
micro-nano structure
hydrophilia
electrical property
haze
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响
6
作者
赵斌
唐立丹
王冰
冯佳恒
机构
辽宁工业大学材料科学与工程学院
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2017年第4期565-568,572,共5页
基金
国家教育部重点基金资助项目(2012031)
辽宁省自然科学基金资助项目(2015020215)
+2 种基金
辽宁省高校优秀人才计划基金资助项目(LJQ2015050)
辽宁省教育厅一般研究基金资助项目(L2015236)
辽宁省高等学校创新团队基金资助项目(LT2013014)
文摘
采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10^(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。
关键词
梯度
铝
掺杂
的
氧化锌
(
azo
)薄膜
磁控溅射
氩氧比
电阻率
透过率
Keywords
gradient
azo
thin films
magnetron sputtering
Ar to O2 ratio
resistivity
transmittance
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
改善玻璃衬底上ZnO薄膜特性的方法
张彩珍
陈永刚
周庆华
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
2
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职称材料
2
有源层厚度对柔性AZO-TFT电学性能的影响
李超
王超
杨帆
王艳杰
《日用电器》
2022
1
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职称材料
3
低温下蛋白质基底薄膜晶体管的制备
张含悦
王超
杨帆
王艳杰
刘芙男
《吉林建筑大学学报》
CAS
2022
0
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职称材料
4
基于AZO/Ag/AZO透明导电薄膜的染料敏化太阳电池研究
李俊泓
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
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职称材料
5
表面具有微纳结构的AZO薄膜制备及性能研究
姚婷婷
仲召进
李刚
汤永康
杨勇
金克武
王天齐
沈鸿烈
甘治平
马立云
《压电与声光》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
6
氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响
赵斌
唐立丹
王冰
冯佳恒
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2017
0
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职称材料
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