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原位热硫化法制备Cu_3SnS_4纳米薄膜及其光学性质
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作者 崔占奎 周军强 白永顺 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期143-144,151,共3页
采用化学水浴法(CBD)制备了Cu_3Sn纳米薄膜,通过原位热硫化法制备了Cu_3SnS_4纳米薄膜。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)与X射线能谱仪(EDS)分析了样品的组成、结构与形貌。采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)测试了Cu_3Sn... 采用化学水浴法(CBD)制备了Cu_3Sn纳米薄膜,通过原位热硫化法制备了Cu_3SnS_4纳米薄膜。分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)与X射线能谱仪(EDS)分析了样品的组成、结构与形貌。采用紫外-可见分光光度计(UV-Vis)测试了Cu_3SnS_4样品的光学性质。结果表明,样品物相纯净、形貌均一,Cu3Sn纳米薄膜由球形纳米颗粒组成,Cu_3SnS_4纳米薄膜由片状纳米颗粒组成,Cu_3SnS_4薄膜样品在紫外-可见光区有良好的吸收性质,其光学带隙为1.70eV,适合作为太阳能电池吸收层。 展开更多
关键词 纳米薄膜 化学水浴法 原位热 光学性质
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不同预退火温度对制备Cu_2SnS_3薄膜材料的影响
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作者 杨敏 王书荣 +4 位作者 蒋志 李志山 刘思佳 陆熠磊 赵其琛 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期769-772,763,共5页
采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu_2SnS_3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预... 采用射频磁控溅射技术在钠钙玻璃(SLG)上制备Sn/Cu/Sn/Cu金属预制层,将预制层置于不同温度下进行预退火处理后,对样品进行快速硫化得到Cu_2SnS_3(CTS)薄膜。主要研究不同的预退火温度对最终薄膜结构以及光电性能的影响,结果表明,低温预退火对快速硫化法制备高品质CTS薄膜有重要影响,当退火温度为200℃时可获得结晶质量良好晶粒尺寸大且平整致密的CTS薄膜。利用各种表征方法分别对薄膜的晶体结构、表面形貌、相的纯度和薄膜组分进行分析表征,薄膜的电学、光学性能通过霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计进行测试分析。 展开更多
关键词 (CTS)薄膜 射频磁控溅射 预退火处理
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太阳能电池材料-铜锌锡硫化合物薄膜制备及器件应用研究进展 被引量:14
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作者 范勇 秦宏磊 +2 位作者 密保秀 高志强 黄维 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第6期643-652,共10页
锌黄锡矿结构的CZTS(铜锌锡硫)材料与目前在薄膜太阳能电池领域表现出色的黄铜矿结构的CIGS(铜铟镓硒)材料具有相似的晶体结构,且CZTS有着很好的光电性能,组成元素在地球上含量丰富,安全无毒,非常适合用来发展高效、廉价的太阳能电池.近... 锌黄锡矿结构的CZTS(铜锌锡硫)材料与目前在薄膜太阳能电池领域表现出色的黄铜矿结构的CIGS(铜铟镓硒)材料具有相似的晶体结构,且CZTS有着很好的光电性能,组成元素在地球上含量丰富,安全无毒,非常适合用来发展高效、廉价的太阳能电池.近期CZTS类太阳能电池的最高效率已达到12.6%,在科研和产业领域引起了广泛关注.在简介了"新星"太阳能电池材料CZTS的性质及薄膜太阳能电池器件的基本结构之后,重点总结了CZTS薄膜的制备方法(真空、非真空法)以及相应器件效率,其中对众多非真空制备法进行了独到的归类总结.最后,对CZTS薄膜的优化方法进行了分析,并对其未来发展方向做了展望. 展开更多
关键词 薄膜制备 太阳能电池 效率 优化
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铜锌锡硫薄膜材料及其器件应用研究进展 被引量:12
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作者 刘浩 薛玉明 +4 位作者 乔在祥 李微 张超 尹富红 冯少君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期18-29,共12页
铜锌锡硫薄膜材料组成元素储量丰富,环境友好,成本低廉,成为最具前景的薄膜材料之一.目前,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳电池的最高转换效率已经达到12.6%.本文总结了Cu2ZnSnS4(CZTS)的发展历史,依次介绍了CZTS薄膜材料的结构特性、... 铜锌锡硫薄膜材料组成元素储量丰富,环境友好,成本低廉,成为最具前景的薄膜材料之一.目前,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳电池的最高转换效率已经达到12.6%.本文总结了Cu2ZnSnS4(CZTS)的发展历史,依次介绍了CZTS薄膜材料的结构特性、光学特性、电学特性、界面特性和Na对CZTS薄膜的影响,详细介绍了CZTS薄膜的制备方法及器件应用的最新研究进展,总结了目前CZTS薄膜太阳电池发展中存在的问题,展望了今后的研究方向. 展开更多
关键词 特性 制备 器件
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铜锌锡硫薄膜太阳电池及其研究进展 被引量:7
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作者 缪彦美 刘颖 +3 位作者 郝瑞亭 邓书康 郭杰 刘焕林 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期607-612,共6页
近些年,人们越来越关注太阳辐射的光伏利用。光伏发电技术在迅猛发展,薄膜太阳电池从占有主导地位的硅晶片技术中抢占了一定的市场份额。其中铜锌锡硫薄膜太阳电池因具有低成本、高的光电转化效率和吸收系数、合适的禁带宽度和环境友好... 近些年,人们越来越关注太阳辐射的光伏利用。光伏发电技术在迅猛发展,薄膜太阳电池从占有主导地位的硅晶片技术中抢占了一定的市场份额。其中铜锌锡硫薄膜太阳电池因具有低成本、高的光电转化效率和吸收系数、合适的禁带宽度和环境友好等优点成为近年来薄膜太阳电池研究的热点。本文阐述了铜锌锡硫薄膜太阳电池的器件结构和性能特点,介绍了铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法和研究进展,并对今后主要的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 光伏
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溶胶–凝胶法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜及其太阳能电池器件 被引量:5
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作者 高金凤 徐键 +2 位作者 陶卫东 方刚 徐清波 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期1765-1771,共7页
以金属盐和硫脲为原料、水和乙醇的混合液为溶剂,采用溶胶–凝胶滴涂法制备出Cu2Zn Sn S4(CZTS)薄膜。结果表明:所得薄膜为Kesterite相CZTS纳米晶,但含有少量的Sn S2杂质,薄膜中含有大量的CZTS纳米棒,薄膜组成Cu:Zn:Sn:S的元素摩尔比为1... 以金属盐和硫脲为原料、水和乙醇的混合液为溶剂,采用溶胶–凝胶滴涂法制备出Cu2Zn Sn S4(CZTS)薄膜。结果表明:所得薄膜为Kesterite相CZTS纳米晶,但含有少量的Sn S2杂质,薄膜中含有大量的CZTS纳米棒,薄膜组成Cu:Zn:Sn:S的元素摩尔比为1.6:1.2:1.0:3.4,为贫铜富锌比例,但存在杂质Cl–,薄膜带宽约为1.56 e V。该薄膜未经硫化,即用于组装CZTS薄膜太阳能电池器件,其结构为钠钙玻璃/ITO/Ti O2或Zn O/Cd S/CZTS/Ag电极,器件中的Ti O2和Zn O均用溶胶–凝胶法制备。器件具有光伏效应,开路电压Uoc为267 m V,短路电流密度Jsc为0.025 m A/cm2,填充因子fF为32%。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 薄膜 太阳能电池
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铜锌锡硫半导体薄膜材料的制备与表征(英文) 被引量:5
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作者 史成武 史高杨 +2 位作者 陈柱 孙人杰 夏梅 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期1108-1111,共4页
采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理。用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红... 采用水热法成功制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)半导体材料,通过浸涂法制备了相应的薄膜,并在N2气氛中于400℃对薄膜进行了退火处理。用X射线荧光光谱分析了所得CZTS粉末中各组成元素的含量,并分别用X射线衍射、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外光谱对CZTS薄膜样品的晶体结构、表面形貌和带隙进行了表征。结果表明:所得的CZTS粉末的元素组成为Cu1.90Zn0.94Sn1.00S4.30,符合理论化学计量比,所制备的CZTS薄膜具有良好的结晶度,表面均匀、无裂纹,其直接带隙为1.51 eV,退火后降低到1.34 eV。 展开更多
关键词 水热法 薄膜 浸涂法 制备
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CZTS薄膜太阳能电池无镉缓冲层材料的研究进展 被引量:5
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作者 阎森飚 徐键 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期45-52,共8页
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池是单结转换效率最高(~22.6%)的光伏器件,但In、Ga是稀缺元素,从而限制了CIGS电池的产业化。新型材料Cu 2ZnSnS 4(CZTS)是结构与光电性能均与CIGS十分相似的直接带隙半导体材料,它在CIGS器件结构中可替... Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池是单结转换效率最高(~22.6%)的光伏器件,但In、Ga是稀缺元素,从而限制了CIGS电池的产业化。新型材料Cu 2ZnSnS 4(CZTS)是结构与光电性能均与CIGS十分相似的直接带隙半导体材料,它在CIGS器件结构中可替代CIGS吸收层,并得到新型CZTS薄膜太阳能电池。与CIGS相反,CZTS的原料丰富、无毒。大量研究表明,CZTS薄膜太阳能电池具有较高的转换效率和良好的稳定性,且可采用低成本、非真空的溶液法薄膜沉积技术来制造,因此CZTS器件是一种低成本、环境友好、极具产业化前景的薄膜太阳能电池。CZTS器件具有与CIGS器件一样的堆层结构{SLG/Mo/CZTS/CdS/i-ZnO/n-ZnO},目前转换效率最高(~12.6%)的CZTS器件仍沿用CIGS器件的CdS缓冲层,因而大规模生产与应用中存在高毒重金属镉污染的危险,寻找能替代CdS的无镉缓冲层材料来消除潜在的镉污染问题十分必要。此外,与高效率的{CIGS/CdS}器件相比,{CZTS/CdS}器件界面的能带匹配可能并不是最优,CZTS器件的转换效率还远不如CIGS器件,因此需要寻找新的无镉缓冲层材料。在确定新缓冲层材料时,必须考虑{CZTS/新缓冲层}界面的能级对齐效应。CIGS和CZTS器件的缓冲层新材料基本上可归纳为3种半导体材料:硫化物、硫氧化物、氧化物。这些材料的薄膜均可用化学浴(CBD)法等多种方法来制备。材料选取很大程度上取决于其与CZTS或CIGS吸收层接触所形成界面上的导带带阶情况,因为导带带阶对器件性能参数有很大的影响。大的正导带带阶(尖刺状带阶)对少子(电子)收集存在一个势垒而降低短路电流密度J sc;相反,负导带带阶(断崖状带阶)导致缓冲层与吸收层界面上的复合增大而降低了开路电压V oc;理想情况是器件有一个小(0~0.4 eV)的正导带带阶(尖刺状带阶),正如在使用CdS缓冲层的CIGSSe器件中所发现的那样。为了研发低成本、环境友� 展开更多
关键词 薄膜太阳能电池 无镉 缓冲层
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铜锌锡硫带边电子结构及缺陷态的光学表征 被引量:4
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作者 马骕驭 马传贺 +5 位作者 卢小双 李国帅 孙琳 陈晔 越方禹 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期92-98,共7页
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_... 利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道,分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级,揭示了Sn_(Zn)相关的缺陷态是影响铜锌锡硫带边电子结构的关键因素,其中高浓度的中性缺陷簇[2Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]能导致带隙明显窄化,而离子性缺陷簇[Cu_(Zn)+Sn_(Zn)]是主要的深施主缺陷态,同时存在的大量带尾态引起带边相关的光致发光峰明显红移。贫铜富锌条件下,适当减少锡含量,可有效抑制与Sn_(Zn)相关的缺陷簇,并避免带隙的窄化。 展开更多
关键词 禁带宽度 半导体缺陷 光谱表征
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溶胶-凝胶法制备铜锌锡硫薄膜及其太阳能电池的研究进展 被引量:4
10
作者 高金凤 李明慧 +1 位作者 徐键 方刚 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第17期146-151,157,共7页
原料丰富价廉的铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)材料与非真空、低成本绿色溶胶-凝胶法相结合在产业化制造高性价比CZTS薄膜太阳能电池方面的应用引人关注。为了了解未来发展方向,综述了溶胶-凝胶法制备CZTS薄膜与器件的研究进展,讨论了不同溶... 原料丰富价廉的铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)材料与非真空、低成本绿色溶胶-凝胶法相结合在产业化制造高性价比CZTS薄膜太阳能电池方面的应用引人关注。为了了解未来发展方向,综述了溶胶-凝胶法制备CZTS薄膜与器件的研究进展,讨论了不同溶胶-凝胶工艺途径、不同溶剂、硫化等对CZTS薄膜制备与器件特性的影响,分析了Na掺杂及硫化退火对CZTS薄膜的作用,并结合绿色制造的要求探讨了其发展趋势。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 薄膜太阳能电池 绿色制造
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CZTS基单晶材料研究进展和展望
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作者 傅文峰 朱旭鹏 +3 位作者 廖峻 汝强 薛书文 张军 《人工晶体学报》 北大核心 2024年第1期12-24,共13页
Ⅰ_(2)-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_(4)型半导体铜锌锡硫(CZTS)在成本、组成元素丰度、毒性和稳定性等方面具有突出优势,被认为是一种很有前途的太阳能吸收材料,应用于绿色和经济的光伏领域。尽管Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)拥有与黄铜矿相似的晶体结构和光电性... Ⅰ_(2)-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_(4)型半导体铜锌锡硫(CZTS)在成本、组成元素丰度、毒性和稳定性等方面具有突出优势,被认为是一种很有前途的太阳能吸收材料,应用于绿色和经济的光伏领域。尽管Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4)拥有与黄铜矿相似的晶体结构和光电性能,但其转换效率却远远低于Cu(In,Ga)Se_(2)(23.5%)。传统研究多数集中在多晶薄膜材料和器件的光电性能,导致材料关键缺陷态甄别及其能带调控规律尚不清晰,成为限制CZTS基光电器件性能的瓶颈。本文综述了CZTS基单晶材料,详细介绍了其晶体结构和物理性质,概述了移动加热器法、碘输运法和熔盐法制备高质量单晶的工艺,多型纳米晶库的研究,以及天然锌黄锡矿的物性研究。根据制备的CZTS基单晶材料讨论了其光学和电学性能。最后总结了CZTS基单晶材料在半导体器件的应用及目前存在的问题,为提高Ⅰ_(2)-Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ_(4)型半导体材料器件的性能提供可能的发展方向。 展开更多
关键词 天然锌黄 缺陷态 光电性质 移动加热器法 碘输运法 熔盐法
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四元化合物半导体Cu_2ZnSnS_4:结构、制备、应用及前景 被引量:4
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作者 赵响 赵宗彦 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第7期913-934,共22页
四元化合物半导体铜锌锡硫(Cu2Zn Sn S4,CZTS)由于其四种组成元素在地壳中丰度非常高且安全无毒,因而成本低廉。CZTS作为直接带隙半导体材料,其吸收光谱与太阳辐射光谱匹配性好、光吸收系数高,具有结构与性质可调可控、光电性能优异等优... 四元化合物半导体铜锌锡硫(Cu2Zn Sn S4,CZTS)由于其四种组成元素在地壳中丰度非常高且安全无毒,因而成本低廉。CZTS作为直接带隙半导体材料,其吸收光谱与太阳辐射光谱匹配性好、光吸收系数高,具有结构与性质可调可控、光电性能优异等优势,是发展绿色、低成本、高效率和稳定薄膜太阳电池的理想核心材料。近年来,国内外研究者对CZTS的结构与性质、制备工艺、应用尤其是通过结构、成分的调控提高其光电转换效率等方面进行了广泛的研究和探讨。本文对CZTS的结构演变、制备工艺、光电性质与应用等进行综述,重点分析了晶体结构、缺陷、表面与界面、合金化等因素对其光伏性能的影响。同时,对CZTS作为新型能量转换材料在光催化和热电等领域的应用进行了探讨。最后对CZTS目前存在的挑战和今后的研究重点进行总结并展望了将来可能的突破方向。 展开更多
关键词 结构演变 制备工艺 光电应用 薄膜太阳电池
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硫化温度对铜锌锡硫薄膜特性的影响 被引量:4
13
作者 谢敏 庄大明 +2 位作者 刘江 郭力 宋军 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期126-130,共5页
采用预制膜硫化法制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜,分别在350,400,450,500,550℃进行硫化,研究了硫化温度对薄膜特性的影响。结果表明:硫化温度低于400℃时硫化反应基本上不发生,主要发生Cu6Sn5和Cu5Zn8两相中元素相互扩散的合金化过程,只有少... 采用预制膜硫化法制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜,分别在350,400,450,500,550℃进行硫化,研究了硫化温度对薄膜特性的影响。结果表明:硫化温度低于400℃时硫化反应基本上不发生,主要发生Cu6Sn5和Cu5Zn8两相中元素相互扩散的合金化过程,只有少量硫化物Sn3S4和ZnS生成;硫化温度为450℃时,合金相消失,硫化后的薄膜同时含有CZTS和SnS;硫化温度为500℃时薄膜的主要组成相为CZTS,其晶粒尺寸达2μm,但表面粗糙;硫化温度为550℃薄膜中CZTS晶粒尺寸约为2μm,表面平整。 展开更多
关键词 无机非金属材料 太阳电池 溅射
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Cd掺杂的Cu_2ZnSnS_4光伏材料的发光光谱及其太阳能电池器件特性 被引量:4
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作者 樊彦艳 索红莉 +9 位作者 冯叶 周康 吴迪 程冠铭 隋帆 童君 罗海林 李文杰 钟国华 杨春雷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1338-1345,共8页
利用溅射-硫化法制备了一系列不同Cd含量掺杂的铜锌锡硫薄膜材料,并获得了转换效率最高达10.65%的薄膜太阳能电池。利用扫描电子显微镜、变温光致发光谱、变激发密度发光光谱对材料进行了表征,分析了电池器件的电容-电压、电流-电压特... 利用溅射-硫化法制备了一系列不同Cd含量掺杂的铜锌锡硫薄膜材料,并获得了转换效率最高达10.65%的薄膜太阳能电池。利用扫描电子显微镜、变温光致发光谱、变激发密度发光光谱对材料进行了表征,分析了电池器件的电容-电压、电流-电压特性。材料的发光峰峰值显示出反常的温度依赖性,载流子表现出强烈的局域化特征。Cd的适当掺入可以抑制较深缺陷的形成并减小发光峰值和带隙值之间的能量差,从而减小了器件开路电压的损失,有利于器件效率的提升。 展开更多
关键词 镉掺杂 发光光谱 太阳能电池
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电沉积法制备铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的研究进展 被引量:3
15
作者 韩贵 陆金花 +1 位作者 王敏 李丹阳 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期50-56,共7页
直接禁带半导体材料铜锌锡硫(CZTS)四元硫化物是近年来研究较多的具有锌黄锡矿结构的化合物半导体,由于其光吸收系数较高,禁带宽度适中,是太阳能电池理想的候选材料,使其在薄膜太阳能电池中迅速崛起。由于目前报道的最高转换效率距离其... 直接禁带半导体材料铜锌锡硫(CZTS)四元硫化物是近年来研究较多的具有锌黄锡矿结构的化合物半导体,由于其光吸收系数较高,禁带宽度适中,是太阳能电池理想的候选材料,使其在薄膜太阳能电池中迅速崛起。由于目前报道的最高转换效率距离其理论转换效率还存在相当差距,因此,研究CZTS(Se)四元硫(硒)化物半导体仍然是当前的研究热点之一。简单介绍了CZTS薄膜太阳能电池的结构组成,并详细介绍了3种主要制备CZTS薄膜的电沉积方法,即分步沉积Cu/Sn/Zn金属层、连续沉积Cu-Zn-Sn金属层、一步沉积Cu-Zn-Sn-S(Se)制备CZTS薄膜太阳能电池吸收层的电化学技术及相应器件,对其研究进展进行了综述,指出了相应方法存在的问题。还将3种电沉积方法进行了分析比较,提出了优化方法,展望了未来的发展趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 效率 电沉积
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铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的银掺杂 被引量:3
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作者 李桐 张林睿 +4 位作者 杨炎翰 张永哲 宋雪梅 汪浩 严辉 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期95-100,共6页
采用电化学共沉积与磁控溅射法制备出不同Ag原子比的银铜锌锡硫(ACZTS)吸收层。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱,扫描电镜(SEM),X射线能谱仪(EDS)及电化学测试等分析技术对制得薄膜的成分、结构、形貌及性能进行分析和研究。结果表明:制备... 采用电化学共沉积与磁控溅射法制备出不同Ag原子比的银铜锌锡硫(ACZTS)吸收层。利用X射线衍射(XRD),拉曼光谱,扫描电镜(SEM),X射线能谱仪(EDS)及电化学测试等分析技术对制得薄膜的成分、结构、形貌及性能进行分析和研究。结果表明:制备的ACZTS吸收层具有贫铜富锌的特点,Ag的掺入对薄膜的形貌有很大的影响,Ag原子比的增加可以明显促进晶粒长大,使薄膜表面更加致密;此外,Ag掺杂后薄膜表面具有n型与p型半导体特性;当Ag原子比为22%时,薄膜对入射光的吸收明显增强,瞬态光电流密度最大,当Ag原子比为28%时,薄膜稳态光电流密度提升最为明显。 展开更多
关键词 吸收层 银掺杂 光电化学测试
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退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响 被引量:3
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作者 赵其琛 郝瑞亭 +4 位作者 刘思佳 杨敏 陆熠磊 刘欣星 常发冉 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第9期311-315,共5页
利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次... 利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次相;随着退火温度的升高,二次相的种类逐渐减少,当退火温度为550℃时,薄膜的表面平整致密,二次相种类最少;然而,当退火温度为600℃时,薄膜表面变得粗糙,二次相种类增多。 展开更多
关键词 激光技术 二元化物靶 磁控溅射 退火
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不同镉源制备铜锌锡硫电池缓冲层的研究 被引量:3
18
作者 陆熠磊 王书荣 +3 位作者 李志山 蒋志 杨敏 刘思佳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2341-2346,2351,共7页
目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(S... 目前制备CZTS薄膜太阳电池的缓冲层绝大多数采用硫酸镉作为镉源。本文将主要介绍用醋酸镉((Ch_3COO)_2Cd)、氯化镉(CdCl)2)和硝酸镉(Cd(NO_3)_2)和硫酸镉(CdSO_4)四种不同的镉源制备硫化镉薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外可见分光光度计对硫化镉薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析研究。分析结果表明以硝酸镉为镉源制备的硫化镉薄膜最适合作为缓冲层使用。将不同镉源制备的硫化镉薄膜作为CZTS薄膜电池的缓冲层,制备出的电池效率分别为:1.83%((Ch_3COO)_2Cd)、2.89%(CdCl)2)、3.4%(Cd(NO_3)_2)、3.19%(CdSO_4)。 展开更多
关键词 不同镉源 化镉薄膜 薄膜太阳电池
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电镀法在氧化铟锡上制备铜锌锡硫薄膜的光谱特征(英文) 被引量:3
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作者 宋思悦 刘旭炜 +2 位作者 林鸿霄 王学进 何志巍 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第9期2940-2945,共6页
低成本、环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒,是薄膜太阳能电池的最佳选择。电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn(CZT)合金于FTO衬底上。采用氩气保护... 低成本、环境友好的铜锌锡硫替代含贵金属和有毒金属的铜铟镓硒,是薄膜太阳能电池的最佳选择。电镀法是一种无需真空设备和靶材的低成本方法。一种更简单的制膜方法是在水溶液中共电镀沉积Cu-Zn-Sn(CZT)合金于FTO衬底上。采用氩气保护气氛下在550℃硫化电镀法制得的CZT合金前驱体,成功制备了CZTS薄膜。采用三电极体系将CZT合金前驱体电镀在FTO上,其中FTO作为工作电极,铂(Pt)网和Ag/AgCl分别作为对电极和参比电极。电解质由CuSO4,ZnSO4,SnSO4,络合剂-三乙醇胺(TEA)和柠檬酸钠组成。前驱体在氩气保护气氛下550℃硫化得到CZTS薄膜。采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光光谱仪和光电化学测量(PEC)等方法,表征了CZTS薄膜的结构、形貌、成分和光谱学性质。XRD和拉曼光谱证明了550℃硫化后的CZTS薄膜具有锌黄锡矿结构。一个Raman主峰位于342cm^-1,两个Raman次强峰分别位于289和370cm^-1,这些峰位与锌黄锡矿CZTS的峰位相吻合。SEM结果证明优化后CZTS薄膜成分接近CZTS的理想化学计量比,CZTS薄膜中Cu/(Zn+Sn)和S/(Zn+Sn+Cu)分别为0.52和1.01,这表明CZTS薄膜中S的含量非常合适。PEC结果证实,采用前照射或后照射FTO/CZTS均产生光电流,并且两种照射下产生的光电流方向一致。通过紫外可见光光谱测量并由此计算出的CZTS能隙为1.45eV。通过上述分析证明制备的CZTS薄膜具有高品质,可用于制备CZTS薄膜太阳能电池。 展开更多
关键词 薄膜 光谱表征 电镀法
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磁控溅射制备Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜太阳电池 被引量:3
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作者 李新毓 张道永 +3 位作者 李祥 李秋莲 刘信 王书荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1257-1262,共6页
为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS;的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO_(2)/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明:SnO_(2)以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失... 为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS;的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO_(2)/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明:SnO_(2)以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS_(2)层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)吸收层薄膜。最后,制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池,在590℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高,其开路电压为590 mV,短路电流密度为22.09 mA/cm^(2),填充因子为39.28%,光电转换效率达到5.12%,为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 磁控溅射 二氧化 化工艺
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