制备工艺对铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷性能的影响 被引量：4

1

作者 张伟 孙清池 马卫兵 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期238-242,共5页

由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷。采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44～0.49)粉体。通过X射线衍射及扫描电镜分析,研究了不同锆钛比和烧结温... 由Nb5+,Sb3+置换锆钛酸铅的B位离子,制备了用作大功率水声换能器材料的铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷。采用固相法合成了0.02Pb(Sb1/2Nb1/2)O3-0.98PbZr1-xTixO3(x=0.44～0.49)粉体。通过X射线衍射及扫描电镜分析,研究了不同锆钛比和烧结温度对陶瓷的相组成、显微结构和介电、压电性能的影响。结果表明:当合成温度为900℃时,获得的粉体的主晶相为钙钛矿结构。当Zr/Ti摩尔比为51/47,烧结温度为1230℃时,各项性能达到最佳值,介电常数εT33/ε0为1945,介电损耗tanδ为0.019,压电常数d33为425pC/N,机电耦合系数Kp为0.65,Curie温度θC为352℃。铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷的烧结温度范围宽,具有较强的工艺操作性且θC高。 展开更多

关键词 铌锑-锆钛酸铅系压电陶瓷 介电常数 压电常数 CURIE温度

原文传递

PZT陶瓷的断裂分析

2

作者 曹中清 潘亦苏 周本宽 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第5期615-617,共3页

与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与... 与有限元法相比,无网格法由于只需节点不用单元而在压电分析中具有优越性。采用一个简单的包含有极化反转及电饱和影响的锆钛酸铅系压电陶瓷(PZT)的本构模型,以局部J积分作为断裂准则,应用再生核点法这一无网格数值法导出了作用电场与断裂载荷的关系曲线,该曲线的趋势与Park[1]的实验观察现象一致。计算程序采用面向对象方法实现。 展开更多

关键词 无网格法 再生核点法 锆钛酸铅系压电陶瓷 断裂

下载PDF 职称材料

压电阻抗技术用于结构健康诊断的一种方法 被引量：6

3

作者 熊先锋 杨光瑜 +1 位作者 杨拥民 宋立军 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2003年第10期62-64,共3页

基于压电阻抗技术用于结构健康诊断的基本原理,以用螺栓连接固定的铝板为例,应用压电阻抗技术对结构中螺栓松动的损伤进行检测实验。鉴于以往此类实验中所采用的阻抗分析仪价格十分昂贵,提出了一种更实用的实验方法。实验结果表明:采用... 基于压电阻抗技术用于结构健康诊断的基本原理,以用螺栓连接固定的铝板为例,应用压电阻抗技术对结构中螺栓松动的损伤进行检测实验。鉴于以往此类实验中所采用的阻抗分析仪价格十分昂贵,提出了一种更实用的实验方法。实验结果表明:采用这种方法同样可以通过测量压电片阻抗的变化来诊断出螺栓松动的结构损伤。 展开更多

关键词 压电阻抗 螺栓松动 结构健康诊断 锆钛酸铅压电陶瓷

下载PDF 职称材料

高频压电陶瓷滤波器的研制 被引量：2

4

作者 王兴超 陈寿元 +2 位作者 肖朋旭 宿元斌 范坤泰 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期103-105,共3页

介绍了一种高频压电陶瓷滤波器的制造及其所用材料,这种采用双重能阱模式的陶瓷滤波器是用掺Ce和Mn的Pb(Zn1/3Nb2/3)(ZrTi)O3压电材料制造的,具有插入损耗小,阻带衰减大和温度稳定性高的特点。

关键词 锆钛酸铅压电陶瓷 高频滤波器 能阱理论 厚度伸缩振动模式

下载PDF 职称材料

人工关节内锆钛酸铅压电陶瓷供能与电路设计 被引量：3

5

作者 陈虹 贾晨 +1 位作者 刘鸣 王志华 《清华大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期128-131,136,共5页

为了利用压电陶瓷作为人工关节无线监视系统的能量来源,从理论上分析了坚硬锆钛酸铅(PZT)陶瓷元件的能量产生特性和等效电路。利用非线性拟合算法计算出等效电路的参数拟合值,并分析了PZT压电陶瓷元件的输入输出特性、输出信号频谱特性... 为了利用压电陶瓷作为人工关节无线监视系统的能量来源,从理论上分析了坚硬锆钛酸铅(PZT)陶瓷元件的能量产生特性和等效电路。利用非线性拟合算法计算出等效电路的参数拟合值,并分析了PZT压电陶瓷元件的输入输出特性、输出信号频谱特性以及在植入设备内的位置摆放。仿真结果表明:等效电路参数拟合值是正确的,当4个PZT压电陶瓷元件呈直线摆放时能输出最大能量(约为1.2mW)。通过对PZT陶瓷元件供电的电源电路设计和仿真发现,PZT陶瓷元件的能量能够转换为电路稳定的可用电源。 展开更多

关键词 专用集成电路 锆钛酸铅压电陶瓷 人工关节无线监视系统

原文传递

基于PZT薄膜的微系统器件研究进展 被引量：5

6

作者 于海超 尚瑛琦 +1 位作者 刘智辉 张岩 《传感器与微系统》 CSCD 2020年第5期1-3,10,共4页

对当前基于锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)薄膜微系统器件的研究进展进行了综述,对PZT传感器、PZT能量收集器、PZT驱动器的研究进展以及采用不同工艺PZT薄膜的制备技术进行了阐述。对基于PZT薄膜微系统(MEMS)器件的发展趋势进行了展望。

关键词 锆钛酸铅压电陶瓷(PZT) 传感器 能量收集器 驱动器

下载PDF 职称材料

基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路 被引量：2

7

作者 韩绪冬 孙鹏 +3 位作者 邹铭锐 王宇雷 牛富丽 曾正 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第18期7240-7253,共14页

在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和... 在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和工作温度对吸收电路性能的影响,限制缓冲吸收电路的应用。针对这些问题,该文提出一种基于锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)压电陶瓷的缓冲吸收电路,分析PZT的温度特性,通过建立半桥电路与PZT缓冲吸收电路的高精度交互模型,揭示PZT缓冲吸收电路与SiC器件的耦合规律,利用特征方程-根轨迹方法,定量刻画PZT缓冲吸收电路的参数设计域。对比评估工作温度对多种缓冲吸收电路性能的影响。实验结果表明,所提设计方法能很好地抑制关断电压过冲与振荡,验证设计方法的有效性。相较于传统RC缓冲吸收电路,PZT缓冲吸收电路在工作温度发生变动后,仍然具有很好的抑制效果,且抑制效果随工作温度的上升而不断增强。为SiC功率器件的暂态稳定性分析,以及功率模块和缓冲吸收电路的集成设计,提供有益的参考。 展开更多

关键词 碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管 锆钛酸铅压电陶瓷 缓冲吸收电路 定量设计模型 温度特性

下载PDF 职称材料

PZT尺寸与位置对传感器导纳的影响 被引量：2

8

作者 张耀文 赵晶 +1 位作者 何颖 霍林生 《压电与声光》 CAS 北大核心 2022年第4期638-642,646,共6页

目前压电阻抗法应用中,锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)片尺寸及粘贴位置选择的研究尚不充分。该文通过设计对比实验,研究了PZT尺寸与粘贴位置对传感器导纳的影响机理。结果表明,包含被测结构信息的局部密集峰主要分布在谐振频段;PZT尺寸越大,谐... 目前压电阻抗法应用中,锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)片尺寸及粘贴位置选择的研究尚不充分。该文通过设计对比实验,研究了PZT尺寸与粘贴位置对传感器导纳的影响机理。结果表明,包含被测结构信息的局部密集峰主要分布在谐振频段;PZT尺寸越大,谐振频段的局部密集峰越强。压电阻抗法中,PZT尺寸应结合检测频段包含谐振频段的原则来选择,PZT的粘贴位置将影响导纳曲线上的局部密集峰分布。研究结果为压电阻抗法应用中PZT的尺寸与粘贴位置选择提供了参考依据。 展开更多

关键词 锆钛酸铅压电陶瓷(PZT) 导纳 尺寸 粘贴位置 压电阻抗法

下载PDF 职称材料

组成对三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷结构和机电性能的影响 被引量：1

9

作者 黄新友 高春华 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第6期9-12,共4页

研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是... 研究了Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对三方相、四方相共存 (相界附近 )铌锑锆钛酸铅 (PNSZT)压电陶瓷机电性能 (εT33/ε0 、KP、Qm、TKfr)的影响。认为Zr/Ti和 (Sb1/2 Nb1/2 )量对PNSZT机电性能影响很大 ,调整Zr/Ti、(Sb1/2 Nb1/2 )量是改变机电性能的有效方法 ,它们的正确选择是得到所需综合性能压电陶瓷的关键之一。 展开更多

关键词 组成 三方/四方相 共存 铌锑锆钛酸铅压电陶瓷 结构 机电性能 影响 相界

下载PDF 职称材料

Cr_2O_3掺杂Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3压电陶瓷的性质(英文) 被引量：1

10

作者 孙清池 陆翠敏 徐明霞 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1060-1064,共5页

探讨了Cr2O3掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能影响.通过X射线衍射,电子顺磁共振以及扫描电镜分析了PMSZT+z Cr2O3(z=0.2%～0.8%,质量分数)陶瓷的相组成,元素价态以及显微结构.结果表明:合成... 探讨了Cr2O3掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(简称PMSZT)压电陶瓷性能影响.通过X射线衍射,电子顺磁共振以及扫描电镜分析了PMSZT+z Cr2O3(z=0.2%～0.8%,质量分数)陶瓷的相组成,元素价态以及显微结构.结果表明:合成温度900℃保温2 h后,可以得到钙钛矿结构.随着Cr2O3掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同相界向三方相移动.掺杂Cr2O3的质量分数为0.6%时:相对介电常数εr=1 650,介电损耗tanδ=0.006,压电常数d33=328 pC/N,机电耦合系数Kp=0.63,机械品质因数Qm=2 300,电性能优于Cr2O3掺杂量为0.2%,0.4%,0.8%的样品,但比未掺杂时的稍差.随着Cr2O3掺杂量的增加,PMSZT陶瓷的Curie温度降低,谐振频率变化率随温度变化由正变负. 展开更多

关键词 锑锰锆钛酸铅压电陶瓷 相组成 元素价态 显微结构 电性能

下载PDF 职称材料

倒车雷达用锆钛酸铅压电陶瓷材料的研究

11

作者 文理 刘玉红 《广州化工》 CAS 2015年第14期85-87,共3页

对锆钛酸铅陶瓷材料进行了Nb2O5、SrCO3微量掺杂改性研究,观察了掺杂后陶瓷样品的显微结构,研究了其相对介电常数、压电常数、机电耦合系数及电容量变化率随测试温度变化的规律。实验结果表明：Nb2O5、SrCO3掺杂后,陶瓷结构致密,介电损... 对锆钛酸铅陶瓷材料进行了Nb2O5、SrCO3微量掺杂改性研究,观察了掺杂后陶瓷样品的显微结构,研究了其相对介电常数、压电常数、机电耦合系数及电容量变化率随测试温度变化的规律。实验结果表明：Nb2O5、SrCO3掺杂后,陶瓷结构致密,介电损耗减少,相对介电常数、压电常数、机电耦合系数明显提高,电容量变化率明显改善。当Nb2O5、SrCO3的添加量为0.6wt%时,制得的压电陶瓷材料具有最佳的压电性能：εr=2100,D33=450pC/N,Kp=0.81,ΔC/C〈10%（-55～85℃）,可以满足高性能的汽车倒车雷达的应用要求。 展开更多

关键词 锆钛酸铅压电陶瓷 倒车雷达 掺杂 压电性能

下载PDF 职称材料

国内工业陶瓷文献题录及文摘(二十四)

12

《现代技术陶瓷》 CAS 2007年第1期50-51,共2页

本栏报道的是我刊编辑部最近收集到的工业陶瓷文献。读者如需复印,可直接与我刊编辑部联系,但请写明“顺序号、文献题名、刊名、年、卷、期、起止页码”等内容。收费标准:每篇18元(包括检索费、复印费及邮寄费)。

关键词 工业陶瓷 文献题录 锆钛酸铅压电陶瓷 文摘 国内 导电性能 BAPBO3 溶胶-凝胶法

下载PDF 职称材料

压电IIR阻尼性能的研究

13

作者 李希川 王香 《橡胶工业》 CAS 北大核心 2007年第6期334-336,共3页

探讨填充锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷粉和乙炔炭黑的压电IIR阻尼性能。结果表明,随着乙炔炭黑和PZT压电陶瓷粉用量增大,压电IIR的损耗因子先增大后减小;随着极化温度和电压升高、时间延长,压电IIR的损耗因子先增大后趋于稳定。制备压电IIR的... 探讨填充锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷粉和乙炔炭黑的压电IIR阻尼性能。结果表明,随着乙炔炭黑和PZT压电陶瓷粉用量增大,压电IIR的损耗因子先增大后减小;随着极化温度和电压升高、时间延长,压电IIR的损耗因子先增大后趋于稳定。制备压电IIR的优化条件是:乙炔炭黑和PZT压电陶瓷粉用量分别为8和80份,极化温度、电压和时间分别为80℃,55 kV和35 min。 展开更多

关键词 压电IIR 锆钛酸铅压电陶瓷粉 乙炔炭黑 阻尼性能

下载PDF 职称材料

阻尼赋予剂对丁苯橡胶/再生橡胶并用胶性能的影响

14

作者 张文涛 郭明明 谢红杰 《橡胶科技》 2017年第5期28-32,共5页

研究阻尼赋予剂[锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)、石墨、氧化锌晶须]对丁苯橡胶/再生橡胶并用胶性能的影响,胶料阻尼性能在振动仿真试验机上测试。结果表明:当振动频率为10Hz时,胶料的阻尼性能稳定;随着振动时间延长,添加不同阻尼赋予剂的胶料... 研究阻尼赋予剂[锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)、石墨、氧化锌晶须]对丁苯橡胶/再生橡胶并用胶性能的影响,胶料阻尼性能在振动仿真试验机上测试。结果表明:当振动频率为10Hz时,胶料的阻尼性能稳定;随着振动时间延长,添加不同阻尼赋予剂的胶料阻尼性能均有不同程度降低;添加阻尼赋予剂的胶料阻尼性能、加工安全性能和物理性能均有所提高;PZT胶料的阻尼性能最好,PZT的用量以3份为宜。 展开更多

关键词 丁苯橡胶 再生橡胶 阻尼赋予剂 阻尼性能 锆钛酸铅压电陶瓷 石墨 氧化锌晶须

下载PDF 职称材料

硅基复合气凝胶隔热性能及压电性能研究

15

作者 曲兵 谭杰 +3 位作者 龙成银 陈佳 徐自强 吴孟强 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第S02期237-243,共7页

具备隔热和压电性能的高分子材料是一类节能环保型工业防护材料,同一般普通材料比较,其隔热和压电性能均有提升,进而引起了材料、化学和环境等领域的高度重视。针对一类新型材料——硅基复合气凝胶性能展开了系统性研究,利用常温常压工... 具备隔热和压电性能的高分子材料是一类节能环保型工业防护材料,同一般普通材料比较,其隔热和压电性能均有提升,进而引起了材料、化学和环境等领域的高度重视。针对一类新型材料——硅基复合气凝胶性能展开了系统性研究,利用常温常压工艺制备出SiO_(2)气凝胶。随即合成出两种硅基复合气凝胶材料。结果表明:二氧化硅-聚丙烯腈纤维复合气凝胶具有显著的隔热效应,当温度升至900℃时,材料的质量总失重约21.4%,导热系数可达到0.02461W/(m·K);二氧化硅-锆钛酸铅压电陶瓷复合型凝胶材料具有良好的压电性能,纵向压电常数和介电常数可高达5和1000多。因此,硅基复合气凝胶材料在能源领域的应用具有较大价值和发展潜力,可为相关行业提供借鉴。 展开更多

关键词 二氧化硅-聚丙烯腈纤维气凝胶 二氧化硅-锆钛酸铅压电陶瓷气凝胶 隔热性能 压电性能

下载PDF 职称材料

千赫及兆赫级频带EMI技术检测灵敏度实验研究

16

作者 李继承 林莉 +2 位作者 孟丽娟 李喜孟 雷明凯 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2012年第5期776-781,共6页

借助WK6500B精密阻抗分析仪对压电阻抗(EMI)技术结构健康监测研究中,检测频带与检测灵敏度间的关系进行了定量研究。选用尺寸为1 250mm×100mm×3mm铝梁结构上距离锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)传感器1 000mm的1.2mm通孔损伤作为检... 借助WK6500B精密阻抗分析仪对压电阻抗(EMI)技术结构健康监测研究中,检测频带与检测灵敏度间的关系进行了定量研究。选用尺寸为1 250mm×100mm×3mm铝梁结构上距离锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)传感器1 000mm的1.2mm通孔损伤作为检测对象。在10kHz～10MHz频率范围内7个峰值集中的频段,分别选用电阻抗谱峰值偏移量(Δf)和均方差作为损伤识别指数,对EMI技术检测灵敏度进行了研究。结果表明,在千赫级频带范围内,Δf和均方差均随着检测频段的升高呈先增大后减小的变化趋势,280～340kHz频段对于通孔损伤具有最高的检测灵敏度。在兆赫级频带范围内,Δf取值较大,在6.18 MHz处出现了25.0kHz的显著偏移。由于千赫和兆赫级频带的电阻抗信号分别具有峰值数量多,综合各峰值信息整体分析时对损伤敏感和峰值数量少,单一峰值偏移量对损伤敏感的特点,在实际检测过程中,可将这2个频带的检测结果结合起来以提高EMI技术对微小损伤的检测灵敏度。 展开更多

关键词 压电阻抗技术 检测频段 检测灵敏度 锆钛酸铅压电陶瓷(PZT)传感器 微小损伤

下载PDF 职称材料

智能油漆

17

《航天技术与民品》 2000年第6期31-31,共1页

关键词 智能油漆 环氧树脂 锆钛酸铅压电陶瓷 电信号 震动感测

下载PDF 职称材料