PZT铁电厚膜声纳换能器阵列的研制 被引量：6

1

作者 夏冬林 刘梅冬 +2 位作者 曾亦可 陈实 赵修建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期196-199,共4页

对8×8元阵列锆钛酸铅(PZT)厚膜声纳换能器芯片进行了设计,对PZT铁电厚膜的微图形的刻蚀工艺及其反应机理进行了深入的研究。最后成功地刻蚀出8×8元声纳换能器图形,为进一步研制PZT厚膜声纳换能器打下了良好的基础。

关键词 锆钛酸铅(PZT) 铁电厚膜 铁电声纳换能器 湿法化学刻蚀

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PZT铁电厚膜声纳换能器

2

作者 夏冬林 刘梅冬 曾亦可 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第5期34-36,共3页

综述了 PZT厚膜单元声纳换能器和 8× 8阵列声纳换能器的制备方法、结构和性能 ,并介绍了 PZT厚膜声纳换能器的应用及发展前景。该厚膜是利用改进的 sol- gel工艺制备的 ,厚度为 4～ 12 μm。4μm厚的 PZT厚膜的纵向压电系数 d3 3 ... 综述了 PZT厚膜单元声纳换能器和 8× 8阵列声纳换能器的制备方法、结构和性能 ,并介绍了 PZT厚膜声纳换能器的应用及发展前景。该厚膜是利用改进的 sol- gel工艺制备的 ,厚度为 4～ 12 μm。4μm厚的 PZT厚膜的纵向压电系数 d3 3 为 140～ 2 40 p C/ N,剩余极化强度 Pr为 2 8× 10 - 6 C/ cm2 ,矫顽场强 EC为 30× 10 3 V/ cm,相对介电系数 εr为 140 0。 展开更多

关键词 PZT 铁电厚膜 压电效应 声纳换能器 灵敏度

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铁电厚膜溶胶-凝胶法的制备与探讨

3

作者 程春生 张子生 +4 位作者 阎正 赵庆勋 刘世普 刘丽华 刘保亭 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第2期177-181,共5页

随着微电子机械系统和集成光学等应用的发展,铁电厚膜及其溶胶凝胶法的制备越来越受到人们的关注.结合研究组的科研工作,介绍了铁电厚膜溶胶凝胶法的制备过程以及采取的一些措施,并对铁电厚膜研究中的一些主要相关问题进行了讨论.

关键词 铁电厚膜 溶胶-凝胶法 微电子机械系统

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粉末溶胶法制备Pb_(0.90)La_(0.10)Ti_(0.975)O_3 0-3型厚膜的研究 被引量：1

4

作者 于光龙 肖定全 +2 位作者 朱建国 余萍 袁小武 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期194-196,共3页

使用溶胶-凝胶法制备了Pb0.90La0.10Ti0.975O3(简称为PLT-10)粉体,使用XRD及日本SALD-2001型激光散射颗粒度分析仪对粉体进行了分析,结果表明PLT-10粉体呈钙钛矿结构,一次颗粒细,颗粒尺寸随退火温度的升高而增大。将粉体分散在溶胶中,... 使用溶胶-凝胶法制备了Pb0.90La0.10Ti0.975O3(简称为PLT-10)粉体,使用XRD及日本SALD-2001型激光散射颗粒度分析仪对粉体进行了分析,结果表明PLT-10粉体呈钙钛矿结构,一次颗粒细,颗粒尺寸随退火温度的升高而增大。将粉体分散在溶胶中,并采用粉末溶胶法制备了PLT-10厚膜。利用XRD和SEM对厚膜进行了分析。实验结果表明,适当调控制备工艺技术,利用粉末溶胶法可望制备出符合要求的铁电“厚膜”。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 PLT 粉末溶胶法 铁电厚膜 XRD 激光散射颗粒度分析仪

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铌掺杂钛酸铋钠钾厚膜的制备及其铁电性能 被引量：1

5

作者 龚跃球 陈泓怡 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1818-1822,共5页

根据粉末溶胶法的原理,用旋转涂覆工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备不同Nb含量的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)NbxO3(NKBTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)厚膜,并研究了厚膜样品的微观结构、介电特性、漏导特性及铁电特性。XRD和SEM的分... 根据粉末溶胶法的原理,用旋转涂覆工艺在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备不同Nb含量的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)NbxO3(NKBTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)厚膜,并研究了厚膜样品的微观结构、介电特性、漏导特性及铁电特性。XRD和SEM的分析结果表明:A位掺杂K、B位掺杂Nb并没有改变Na0.5Bi0.5TiO3的晶体结构;Nb的最佳掺入量为0.05。NKBTN5铁电厚膜具有最好的结晶度,尺寸均匀,厚膜表面光滑致密,但有少量微孔。介电频谱测试表明,NKBTNx厚膜的居里温度随着Nb含量的增加而逐渐增加,厚膜的弛豫特性明显增强。此外,NKBTN5铁电厚膜的室温介电常数最大,介电损耗最低,漏电流密度最小,剩余极化值最大(2Pr=48.1μC/cm2),矫顽场最小(77.8kV/cm)。 展开更多

关键词 (Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1-x)NbxO3 铁电厚膜 粉末溶胶法 电学性能

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BST铁电厚膜的丝网印刷制备工艺研究

6

作者 汪竞阳 余琳 +2 位作者 章天金 潘瑞琨 马志军 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2011年第1期94-97,共4页

对丝网印刷制备BST铁电厚膜工艺中的粉体合成、浆料配置、烧结条件等进行了研究,采用X射线衍射、透射电镜和扫描电子显微镜及配套的能谱仪对制备的BST粉体与厚膜样品的微观结构、成分进行测试分析.结果表明,在氧化铝衬底上一次印刷湿膜,... 对丝网印刷制备BST铁电厚膜工艺中的粉体合成、浆料配置、烧结条件等进行了研究,采用X射线衍射、透射电镜和扫描电子显微镜及配套的能谱仪对制备的BST粉体与厚膜样品的微观结构、成分进行测试分析.结果表明,在氧化铝衬底上一次印刷湿膜,经1 230-1 260℃烧结0.5 h后可获得单相钙钛矿结构,平均晶粒尺寸可达0.5μm且厚度约为10μm的BST铁电厚膜. 展开更多

关键词 BST 铁电厚膜 丝网印刷

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纳米晶粉体加入量对CSBT陶瓷厚膜结构及性能的影响

7

作者 范素华 马建平 +2 位作者 张丰庆 车全德 于冉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期500-503,共4页

采用粉末溶胶法和快速层层退火工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了钙锶铋钛(CSBT)陶瓷厚膜。研究了纳米晶粉体加入量对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构及性能的影响。结果表明:纳米晶粉体加入量在较宽的范围内可以制备出高质量的钙锶铋钛厚膜,厚膜... 采用粉末溶胶法和快速层层退火工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了钙锶铋钛(CSBT)陶瓷厚膜。研究了纳米晶粉体加入量对钙锶铋钛陶瓷厚膜结构及性能的影响。结果表明:纳米晶粉体加入量在较宽的范围内可以制备出高质量的钙锶铋钛厚膜,厚膜的显微结构及铁电性能对粉末的加入量比较敏感,适当的加入量有利于促使厚膜晶粒的a轴择优取向,从而有利于膜的铁电性能。当粉末加入量为7.5 g/100 mL时,钙锶铋钛陶瓷厚膜晶粒出现a轴择优取向,剩余极化和矫顽场强分别为6.3μC/cm2和57 kV/cm,具有较高的应用价值。 展开更多

关键词 粉末溶胶法 钙锶铋钛 铁电厚膜 铁电性能

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新型Sol-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 被引量：6

8

作者 夏冬林 刘梅冬 +3 位作者 曾亦可 李军 黄焱球 刘少波 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期1156-1160,共5页

采用新型ｓｏｌ－ｇｅｌ技术在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳiO2/Si基片上制备出了厚度为 ２～６０μｍ的ＰＺＴ铁 电厚膜材料；研究了ＰＺＴ厚膜的结构及其介电、铁电性能．ＸＲＤ谱分析显示，ＰＺＴ厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构，无焦绿石相存在．Ｓ... 采用新型ｓｏｌ－ｇｅｌ技术在 Ｐｔ／Ｔｉ／ＳiO2/Si基片上制备出了厚度为 ２～６０μｍ的ＰＺＴ铁 电厚膜材料；研究了ＰＺＴ厚膜的结构及其介电、铁电性能．ＸＲＤ谱分析显示，ＰＺＴ厚膜 呈现出纯钙钛矿相结构，无焦绿石相存在．ＳＥＭ电镜照片显示，ＰＺＴ膜厚均匀一致，无裂 纹、高致密．厚度为５０μｍ的ＰＺＴ厚膜的介电常数为８６０，介电损耗为０.０３，剩余极化强度 是２５μＣ／ｃｍ２．矫顽场是４０ｋＶ／ｃｍ. 展开更多

关键词 sol-gel技术 介电性能 铁电性能 铁电陶瓷 PZT铁电厚膜 制备 溶胶-凝胶方法

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基于谐振耦合和人工表面等离激元的可调控频率选择铁电厚膜移相器 被引量：4

9

作者 娄菁 王军 +1 位作者 马华 屈绍波 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期101-105,共5页

移相器作为一类重要的微波功能器件,在军事和民用领域有着重要的应用。不同于传统的铁电厚膜移相器,本文将电谐振器、人工表面等离激元(SSPP)和铁电厚膜三者结合进行设计,利用电谐振器与人工表面等离激元传输结构的耦合特性,并引入铁电... 移相器作为一类重要的微波功能器件,在军事和民用领域有着重要的应用。不同于传统的铁电厚膜移相器,本文将电谐振器、人工表面等离激元(SSPP)和铁电厚膜三者结合进行设计,利用电谐振器与人工表面等离激元传输结构的耦合特性,并引入铁电厚膜的介电非线性,提出了一种具有频率选择特性的电可调铁电厚膜移相器。通过基于人工表面等离激元的铁电厚膜移相器理论分析了移相器结构设计的可行性,并通过系统仿真对设计的可行性进行了验证。通过仿真不同电谐振器结构下移相器的S参数曲线验证了本文设计的移相器具有可设计的频率选择特性。 展开更多

关键词 铁电厚膜移相器 人工表面等离激元 电谐振器 可调控

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前驱体溶剂对铅基反铁电厚膜介电性能的影响 被引量：4

10

作者 王静 耿文平 +2 位作者 张亚婷 丑修建 张文栋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期9-12,共4页

采用sol-gel工艺制备了Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了不同前驱体溶剂(乙酸和乙二醇乙醚)对反铁电厚膜介电性能的影响。结果表明:由乙二醇乙醚作为前驱体溶剂制备的反铁电厚膜材料,在室温下反铁电态稳定,其AFE-FE... 采用sol-gel工艺制备了Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了不同前驱体溶剂(乙酸和乙二醇乙醚)对反铁电厚膜介电性能的影响。结果表明:由乙二醇乙醚作为前驱体溶剂制备的反铁电厚膜材料,在室温下反铁电态稳定,其AFE-FE相的相变电场强度为184.05×103V/cm,FE-AFE相的相变电场强度为68.24×103V/cm,饱和极化强度为88.8×10-6C/cm2。 展开更多

关键词 sol-gel工艺 前驱体溶剂 反铁电厚膜 介电性能

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粉末特性对钙锶铋钛陶瓷厚膜性能的影响 被引量：3

11

作者 马建平 范素华 +2 位作者 张丰庆 车全德 于冉 《山东建筑大学学报》 2008年第6期471-473,477,共4页

采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于... 采用粉末溶胶法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度约为1.50μm,铁电性能优良的CSBT铁电厚膜。研究了粉末的烧结温度对CSBT铁电厚膜的结构及性能的影响。结果表明:适当的粉末烧结温度有利于制备表面致密、晶粒发育良好的厚膜,从而有利于厚膜的铁电性能。750℃烧结的粉末制备的厚膜具有最佳的铁电性能,其Pr和Ec分别为13.3μC/cm2,46.2 kV/cm,具有较高的应用价值。 展开更多

关键词 Ca0.4Sr0.6Bi4Ti4O15铁电厚膜 铁电性能 sol—gol法 粉末特性

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0-3型(Ba_(1-x-y)Sr_xPb_y)(Mn,Ti)O_3铁电厚膜的制备与表征 被引量：1

12

作者 刘少波 李艳秋 +1 位作者 刘梅冬 曾亦可 《微细加工技术》 2003年第3期31-36,共6页

铁电纳米超细粉体的合成与分散技术是成功制备0-3型铁电厚膜的关键和难点之一。采用Sol-Gel技术可制备呈球形软团聚、钙钛矿相结构完整的30nm～70nmMPBST超细粉体,以及致密无裂纹、表面光洁和铁电性能优良(Pr=3.8μC/cm2)的0-3型铁电厚... 铁电纳米超细粉体的合成与分散技术是成功制备0-3型铁电厚膜的关键和难点之一。采用Sol-Gel技术可制备呈球形软团聚、钙钛矿相结构完整的30nm～70nmMPBST超细粉体,以及致密无裂纹、表面光洁和铁电性能优良(Pr=3.8μC/cm2)的0-3型铁电厚膜。通过TEM、XRD、TGA-DTA、AFM等手段分析了Sol-Gel工艺的化学机制和热演化历程,结果表明:采用以乙二醇乙醚为主要溶剂的Sol-Gel技术可降低MPBST粉体/厚膜的合成温度,提高粉体均匀性和晶相结构单一性。 展开更多

关键词 0-3型铁电厚膜 Sol-Gel技术 铁电纳米超细粉体 合成温度 均匀性 晶相结构

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温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究 被引量：2

13

作者 杨玉华 杜妙璇 +2 位作者 关新锋 丑修建 张文栋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期1212-1216,共5页

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用... 采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。 展开更多

关键词 PLZT反铁电厚膜 相变 电流密度 温度 电场

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基于反铁电PLZST厚膜相变脉冲电流的温度传感方法 被引量：1

14

作者 夏文新 《大学物理实验》 2014年第3期4-6,共3页

采用LTCC低温共烧工艺制备了(Pb0.97La0.0 3)(Zr0.75Sn0.25-xTix)O3(x=0.10,0.105,0.11)系列组分反铁电陶瓷厚膜功能材料。实现了对预定温度的灵敏热电换能响应,温度诱导相变电流密度达10-5A·cm-2量级。采用电流/电压转换、自动增... 采用LTCC低温共烧工艺制备了(Pb0.97La0.0 3)(Zr0.75Sn0.25-xTix)O3(x=0.10,0.105,0.11)系列组分反铁电陶瓷厚膜功能材料。实现了对预定温度的灵敏热电换能响应,温度诱导相变电流密度达10-5A·cm-2量级。采用电流/电压转换、自动增益控制和负载增强模块构成的信号处理电路系统,产生面向后级控制应用的TTL脉冲触发信号(4.8±0.2 V),实现基于PLZST厚膜相变电流的温度传感方法与系统,为新型功能材料温度传感控制提供了一种新的技术途径。 展开更多

关键词 反铁电厚膜 热致相变 脉冲电流 温度传感

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(Pb_(0.97)La_(0.02))(Zr,Sn,Ti)O_3厚膜准同型相界附近介电和疲劳行为的研究

15

作者 高洪成 郝喜红 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2016年第3期227-234,共8页

采用凝胶溶胶法在Pt(111)/Ti/Si O_2/Si衬底上制备了位于正交反铁电-四方反铁电(AFEO-AFET)和四方反铁电-铁电(AFET-FE)准同型相界(MPB)附近的(Pb0.97La0.02)(Zr0.80Sn0.20-xTix)O3(x=0.06,0.11)厚膜.系统的研究了其微观结构、介电性质... 采用凝胶溶胶法在Pt(111)/Ti/Si O_2/Si衬底上制备了位于正交反铁电-四方反铁电(AFEO-AFET)和四方反铁电-铁电(AFET-FE)准同型相界(MPB)附近的(Pb0.97La0.02)(Zr0.80Sn0.20-xTix)O3(x=0.06,0.11)厚膜.系统的研究了其微观结构、介电性质和疲劳行为.2种厚膜具有为纯的钙钛矿结构,表面均匀致密且粗糙度较小.介电性能、铁电性能测试结果表明:2个组分展现出不同的介电性质和相转变行为.室温下,位于正交反铁电-四方反铁电(AFEO-AFET)MPB附近的厚膜表现出反铁电行为,而位于四方反铁电-铁电(AFET-FE)MPB附近的厚膜具有铁电行为.此外,场强和温度对位于不同准同型相界的2种厚膜表现出不同的疲劳行为. 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 反铁电厚膜 MPB 介电性能 疲劳行为

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多步退火对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜的影响

16

作者 杜妙璇 耿文平 +1 位作者 丑修建 张文栋 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第4期263-267,279,共6页

采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜... 采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb0.97La0.02(Zr0.95Ti0.05)O3反铁电厚膜材料,研究了单步和多步退火工艺对反铁电厚膜结构及电学性能的影响。结果表明:与传统的单步退火方式相比,多步退火工艺制备的反铁电厚膜材料晶粒尺寸较大,结构致密性好,室温下反铁电态更稳定,具有良好的择优取向度(100)、较高的介电常数(达529)和饱和极化强度(达42μC/cm2)。其反铁电-铁电和铁电-反铁电的相变电场强度分别为198和89 kV/cm,反铁电-铁电相变电流密度达2×10-5 A/cm2,多次退火工艺可提高反铁电厚膜的成膜质量。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶 反铁电厚膜 退火工艺 微观结构 电学特性

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铅基(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜微驱动结构的特性测试

17

作者 安坤 陈东红 +3 位作者 何剑 丑修建 薛晨阳 张文栋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期19060-19064,共5页

采用金属醇盐为前驱体的溶胶-凝胶工艺,实现了PLZT反铁电厚膜晶圆级的制备。基于铅锆反铁电材料的相变应变效应和快速响应特性,结合微纳兼容制造关键技术,研制出具有大应变、快响应、低驱动特性的硅基(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜微悬臂... 采用金属醇盐为前驱体的溶胶-凝胶工艺,实现了PLZT反铁电厚膜晶圆级的制备。基于铅锆反铁电材料的相变应变效应和快速响应特性,结合微纳兼容制造关键技术,研制出具有大应变、快响应、低驱动特性的硅基(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜微悬臂梁构件。3种激励模式的测试结果表明,定频模式下梁的最大位移和速率相对于扫频模式下高出数倍,且定频模式(Square)更有利于激发反铁电材料相变,使得微悬臂梁驱动构件产生更大的应变和更快的响应速度,为大行程驱动位移和快速响应新型微执行构件的设计提供一种新的技术途径。 展开更多

关键词 反铁电厚膜 微悬臂梁 微驱动构件

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基于MEMS超声换能器微桥结构优化

18

作者 何建龙 安坤 +3 位作者 杨良兴 王亚锋 刘玠 孟江 《机械强度》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期482-487,共6页

针对传统的超声换能器在低频领域内存在频率较低的问题,设计了一种新型超声换能器微桥理论模型,并对该模型的力学行为进行分析研究。应用Comsol 5.4,对基于反铁电厚膜相变致应变效应的硅基微桥结构进行了实体建模、模态分析及静电分析... 针对传统的超声换能器在低频领域内存在频率较低的问题,设计了一种新型超声换能器微桥理论模型,并对该模型的力学行为进行分析研究。应用Comsol 5.4,对基于反铁电厚膜相变致应变效应的硅基微桥结构进行了实体建模、模态分析及静电分析。通过正交设计优化方法得出了硅基微桥构件小应力大频率的合理结构尺寸,为后续的加工提供重要依据。结果表明,该模型在800μm (L)×100μm (W)时,其应力为0.352 GPa,谐振频率为115.19 kHz,因而在较小尺寸下保持更好性能的表现优于传统的超声换能器。 展开更多

关键词 超声换能器 微桥 反铁电厚膜 相变应变效应 正交设计

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硅基(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜的制备及介电性能

19

作者 耿文平 丑修建 +2 位作者 吕勇博 关新锋 张文栋 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期35-39,共5页

采用溶胶–凝胶工艺制备了具有高度(100)择优取向的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜(厚约2.2μm)。研究了该反铁电厚膜在不同温度下的电场诱导相变效应和不同电场强度下的温度诱导相变效应。结果表明:(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜在室温下处... 采用溶胶–凝胶工艺制备了具有高度(100)择优取向的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜(厚约2.2μm)。研究了该反铁电厚膜在不同温度下的电场诱导相变效应和不同电场强度下的温度诱导相变效应。结果表明:(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜在室温下处于反铁电态;随着温度升高,厚膜的相变开关电场强度逐渐降低,反铁电态越来越不稳定,当温度高于132℃且电场强度为0 kV/cm时,厚膜处于顺电态;随着外加电场强度的增大,厚膜的AFE(反铁电态)-FE(铁电态)相变温度向低温方向漂移,当电场强度大于164 kV/cm时,厚膜在室温下已处于铁电态。 展开更多

关键词 溶胶–凝胶法 反铁电厚膜 介电性能 相变效应

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Yb^(3+)/Tm^(3+)共掺杂BST铁电厚膜的制备及其上转换发光

20

作者 汪竞阳 章天金 屈少华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期3148-3152,共5页

利用丝网印刷工艺制备出稀土Yb3+/Tm3+共掺杂的Ba0.8Sr0.2TiO3铁电陶瓷厚膜,利用XRD、SEM、EDS、Raman和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对厚膜微结构和发光性能的影响。实验发现,在低掺杂量时Yb3+、Tm3+离子在BST晶格中首先替代B位离子,高掺... 利用丝网印刷工艺制备出稀土Yb3+/Tm3+共掺杂的Ba0.8Sr0.2TiO3铁电陶瓷厚膜,利用XRD、SEM、EDS、Raman和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对厚膜微结构和发光性能的影响。实验发现,在低掺杂量时Yb3+、Tm3+离子在BST晶格中首先替代B位离子,高掺杂量时则同时占据A位和B位离子。掺杂后的厚膜仍表现为典型的铁电四方相结构。在800nm近红外激光激发下,共掺杂的BST厚膜中的Tm3+离子通过Yb3+离子的敏化作用在468与533nm处实现了间接上转换蓝色与绿色荧光输出,分别对应于Tm3+离子的1 G4→3 H6跃迁和1 D2→3F4跃迁。468nm蓝色荧光强度随着Yb3+、Tm3+离子比的增加先增强后减弱,在Yb3+、Tm3+离子共掺比为2∶1达到最大,并对上转换发光的机理进行了分析。 展开更多

关键词 BST铁电厚膜 稀土离子 共掺杂 上转换发光

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