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真空室压力对低压等离子喷涂成形钨靶材显微组织及性能的影响 被引量：3
1
作者 王跃明 唐求豪 +1 位作者 闫志巧 王芬 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第10期104-112,共9页
采用低压等离子喷涂成形技术制备片状及回转体钨靶材,分析真空室压力对钨靶材致密度、氧质量分数、微观结构、显微硬度及抗拉强度等性能的影响,并对片状钨靶材的磁控溅射镀膜进行研究。结果表明:随着真空室压力由1.3×104Pa增大至3.... 采用低压等离子喷涂成形技术制备片状及回转体钨靶材,分析真空室压力对钨靶材致密度、氧质量分数、微观结构、显微硬度及抗拉强度等性能的影响,并对片状钨靶材的磁控溅射镀膜进行研究。结果表明:随着真空室压力由1.3×104Pa增大至3.9×104Pa,钨粉充分熔化铺展,未熔W颗粒减少,钨靶材氧含量稍有提高,致密度,显微硬度和抗拉强度分别增大至97.2%,377.8HV0.025及201.1MPa。然而,当真空室压力进一步增大至6.5×104Pa后,钨靶材层片结合界面形成絮状的W3O夹杂层,氧含量增大至0.71%,其各项性能反而有所降低。低压等离子喷涂成形片状钨靶材(3.9×104Pa真空室压力)可磁控溅射沉积出平整、致密、连续的钨薄膜,镀膜厚度约为300nm。XRD结果表明,钨薄膜为体心立方结构,沿(110)方向择优生长。磁控溅射离子的均匀轰击导致钨靶材表面快速溅射及均匀减薄,溅射表面及截面较为平整、光滑,溅射凹坑接近纳米级。 展开更多
关键词 低压等离子喷涂 钨靶材 显微组织 力学性能 磁控溅射
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半导体用高纯钨靶材的制备技术与应用 被引量：11
2
作者 魏修宇 《硬质合金》 CAS 2017年第5期353-359,共7页
难熔金属钨及钨合金由于具有高温稳定性好、电子迁移抗力高以及电子发射系数高等优点,在半导体大规模集成电路制造过程中有着广泛的应用。本文对半导体用高纯钨及钨合金靶材的应用领域、性能要求以及制备方法进行了详细的分析,并对其发... 难熔金属钨及钨合金由于具有高温稳定性好、电子迁移抗力高以及电子发射系数高等优点,在半导体大规模集成电路制造过程中有着广泛的应用。本文对半导体用高纯钨及钨合金靶材的应用领域、性能要求以及制备方法进行了详细的分析,并对其发展趋势进行了展望。高纯钨及钨合金靶材主要用于制造半导体集成电路的栅电极、连接布线、扩散阻挡层等,对材料的纯度、杂质元素含量、致密度、晶粒尺寸及晶粒组织均匀性等方面都有着极高的要求。高纯钨及钨合金靶材主要采用热压、热等静压等方式来制备,采用中频烧结+压力加工的方式可以制备出高纯度、高致密度的钨靶材,但晶粒尺寸及晶粒组织均匀性控制方面,与热等静压制备的钨靶仍有一定的差距。 展开更多
关键词 半导体 高纯钨靶材 制备技术 应用
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集成电路用钨溅射靶材制备技术的研究进展 被引量：8
3
作者 刘文迪 《中国钨业》 CAS 2020年第1期36-41,共6页
钨靶材是溅射沉积制备集成电路中栅极和布线层的重要原材料,在芯片制造领域扮演着重要的角色。随着芯片的制程越来越小,对沉积薄膜的性能要求越来越高,这就对钨靶材提出了更高的要求,钨靶材制备工艺的优化已成为国内外研究的热点。集成... 钨靶材是溅射沉积制备集成电路中栅极和布线层的重要原材料,在芯片制造领域扮演着重要的角色。随着芯片的制程越来越小,对沉积薄膜的性能要求越来越高,这就对钨靶材提出了更高的要求,钨靶材制备工艺的优化已成为国内外研究的热点。集成电路对钨靶材的性能指标,如纯度、致密度、晶粒尺寸及均匀性、织构等,均具有严格的要求;这些指标亦是评价钨靶材优劣的重要依据。本文主要归纳了钨靶材主要的制备手段(以热等静压和热轧为主的各种热机械工艺的组合),并分析了各工艺路径的特点,最后预测了钨靶材制备技术的发展趋势,认为进一步控制钨靶材制备过程中的晶粒尺寸和降低钨薄膜的电阻率将成为未来重要的研究内容。 展开更多
关键词 集成电路 钨溅射靶材 热等静压 热轧 研究进展
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