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电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器
1
作者 王明宇 汤玉生 管慧 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期158-163,共6页
电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 。
关键词 电阻耦合型 神经MOS晶体管 差分四象限模拟乘法器 场效应 栅电压值 金属-氧化物-半导体晶体管
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钟控神经MOS晶体管的建模及其电路仿真 被引量：4
2
作者 曹亚明 汤玉生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期89-95,共7页
神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE... 神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型 MOS器件。在其十年的发展历程中 ,一些新型结构又被陆续提出 ,以期获得更加优越的性能。文中建立了一种新型Neu MOS即钟控 Neu MOS晶体管的 PSPICE子电路模型 (库 ) ;并利用该模型对由钟控 Neu MOS晶体管构建的电路进行了实时模拟 ,模拟结果与电路特性的实测结果有很好的吻合 ,因此可证明建立的子电路模型 (库 )可用于钟控 Neu MOS晶体管电路的设计和模拟验证。 展开更多
关键词 神经MOS晶体管 建模 电路仿真 神经金属-氧化物-半导体晶体管 钟控神经晶体管 子电路模型 模拟行为建模功能 浮栅电势
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用于全桥变换器的SiC MOSFET驱动电路设计 被引量：17
3
作者 王建渊 林文博 孙伟 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2020年第2期120-124,共5页
碳化硅(SiC)器件由于具有禁带宽度更宽、临界击穿场强高、导通电阻小等优点,相比于硅(Si)器件更适用于高频开关场合,有利于提升电力电子装置的效率,减小装置体积。SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥电路应用中,交替导通... 碳化硅(SiC)器件由于具有禁带宽度更宽、临界击穿场强高、导通电阻小等优点,相比于硅(Si)器件更适用于高频开关场合,有利于提升电力电子装置的效率,减小装置体积。SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥电路应用中,交替导通的上、下开关管易发生串扰问题,严重限制了SiC MOSFET的应用。结合SiC MOSFET的参数特性及驱动要求,设计了一种高效的SiC MOSFET驱动电路,描述了其电路设计过程,并采用了一种栅极有源箝位串扰抑制方法。最后搭建了实验测试平台,验证了驱动电路的功能。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 碳化硅 驱动电路 串扰
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一种适用于2.4GHz ISM射频波段的全集成C MOS压控振荡器 被引量：7
4
作者 王海永 林敏 +1 位作者 李永明 陈弘毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期322-326,共5页
提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低... 提出了一种频率可调范围约 2 30MHz的全集成LC压控振荡器 (VCO) .该压控振荡器是用 6层金属、0 18μm的标准CMOS工艺制造完成 .采用MOS晶体管和电容组合来实现等效变容管 ,为降低芯片面积仅使用一个片上螺旋电感 ,并实施了低电压、低功耗的措施 .测试结果表明 ,该压控振荡器在电源电压为 1 8V的情况下功耗约为10mW ,在振荡器中心频率为 2 46GHz时的单边带相位噪声为 - 10 5 89dBc/Hz @6 0 0kHz .该压控振荡器可以应用于锁相环电路或频率综合器中 . 展开更多
关键词 CMOS 压控振荡器 射频 变容管 互补金属氧化物半导体晶体管 VCO ISM频段
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一种新型SiC MOSFET驱动电路的设计 被引量：3
5
作者 王树增 张一鸣 +1 位作者 王旭红 张栋 《电力电子技术》 北大核心 2023年第2期125-128,共4页
与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理... 与传统硅基器件相比,碳化硅(SiC)器件的开关速度得到大幅改善,提高了变换器的功率密度与效率。然而过大的开关频率引起更为严重的栅极串扰问题,造成器件失效。分析了SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程与串扰产生原理,详述其设计过程,分析了外并电容的抑制串扰驱动电路,最后设计出一种带有信号隔离功能的可抑制栅极串扰的负压驱动电路。实验结果表明,所设计的SiC MOSFET驱动电路的驱动波形高低电平分明,而且有效抑制了栅极串扰问题,大幅减小器件的开关延时时间,降低了开关损耗。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 串扰 驱动电路
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基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型 被引量：5
6
作者 彭绍泉 杜磊 +3 位作者 庄奕琪 包军林 何亮 陈伟华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期5205-5211,共7页
基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移之间的定量数学模型,并通过实验予以验证.研究结果表明,辐照诱生... 基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移之间的定量数学模型,并通过实验予以验证.研究结果表明,辐照诱生的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道迁移率的涨落,因此辐照前的1/f噪声幅值正比于辐照诱生的氧化层陷阱数.利用该模型对MOSFET辐照前1/f噪声与辐照退化的相关性从理论上进行了解释,同时也为MOSFET抗辐照能力预测提供理论依据. 展开更多
关键词 1/f噪声 辐照 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 陷阱
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一种适用于桥式电路的碳化硅MOSFET驱动器 被引量：7
7
作者 周琦 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2018年第11期43-46,共4页
作为一种宽禁带器件,碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下。然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,使得开关瞬态的驱动电压尖峰提高。相较... 作为一种宽禁带器件,碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下。然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,使得开关瞬态的驱动电压尖峰提高。相较于硅(Si)MOSFET,SiC MOSFET的栅源极承受负压的能力较低。所述方案通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作。通过仿真和实验验证,在不降低开关速度的前提下可有效消除负压尖峰。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 驱动器 桥式电路
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一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管
8
作者 曹亚明 汤玉生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期23-26,34,共5页
神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮... 神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮栅。理论分析和采用自建的 PSPICE子电路模型进行的模拟分析表明 ,通过传输门接入浮栅的多种控制电平的不同组合可以对器件的阈值进行有效地控制。由于新结构可以消除热载流子注入对其可靠性的影响和具有相对高的速度 ,因此 ,它是一种具有较大潜力的 SOC(片上系统 )单元器件。 展开更多
关键词 神经MOS晶体管 神经金属氧化物半导体晶体管
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SiC芯片微型化及发展趋势 被引量：1
9
作者 张园览 张清纯 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期46-62,共17页
新能源汽车与光伏作为SiC器件发展的重要推手,促进国内碳化硅产业链日趋完善,设计和制造进展快速,部分制造商器件特性已达到或接近国际领先水平。然而,由于SiC器件价格偏高,器件成本成为限制SiC器件进一步渗透市场的最主要因素。SiC芯... 新能源汽车与光伏作为SiC器件发展的重要推手,促进国内碳化硅产业链日趋完善,设计和制造进展快速,部分制造商器件特性已达到或接近国际领先水平。然而,由于SiC器件价格偏高,器件成本成为限制SiC器件进一步渗透市场的最主要因素。SiC芯片微型化能够显著降低芯片成本,已成为进一步加快SiC技术在新能源领域的大规模应用的有效途径之一。文章对近年来SiC芯片微型化的发展进行了梳理总结,对芯片微型化的必要性进行了分析,并提出了SiC芯片微型化的解决办法,阐述了国际SiC芯片微型化进展,对国内SiC技术近阶段的快速发展进行了阶段性总结,并揭示了芯片微型化将面临的各种挑战。最后,对国内SiC器件发展的机遇和未来进行了展望,为进一步研发提供思路和参考。 展开更多
关键词 碳化硅 宽禁带半导体 功率器件 微型化 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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漏极注入HPM诱发的nMOSFET热电损伤机理 被引量：4
10
作者 范菊平 游海龙 贾新章 《西北大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期724-728,共5页
研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系... 研究了nMOSFET漏极注入HPM诱发的器件热电损伤机理。建立了nMOSFET在HPM作用下的二维电热模型,获得了器件内部电场、电流密度以及温度对HPM作用的响应规律,分析了源-衬底PN结、漏-衬底PN结附近器件内部温度分布随HPM作用时间的变化关系。结果表明nMOSFET器件漏极注入HPM时,器件内部峰值温度出现在漏端PN结附近,且具有累积效应。当温度达到硅材料硅熔点,器件内部漏端PN结表面附近形成熔丝,器件损毁。该机理分析得到的器件特性变化与器件HPM损伤实验的测试结果相吻合,验证了文中描述的器件损伤机理。 展开更多
关键词 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高功率微波 热电损伤 熔丝
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先进工艺对MOS器件总剂量辐射效应的影响 被引量：4
11
作者 刘远 恩云飞 +2 位作者 李斌 师谦 何玉娟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期738-742,746,共6页
器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高... 器件栅氧厚度的减小、场氧工艺的改变以及衬底材料的不同等都将导致MOS器件的总剂量辐射效应发生改变。亚阈斜率、阈值电压漂移、衬底技术和场氧抗辐射能力已经成为器件按比例缩小给器件带来冲击的最主要的四个方面。综述了上述条件、高k介质/硅系统以及选择SOI材料作为衬底材料对MOS器件总剂量辐射效应的影响。 展开更多
关键词 辐射效应 总剂量 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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碳化硅超结器件的研究进展
12
作者 张金平 张琨 +2 位作者 陈伟 汪婕 张波 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期36-45,共10页
碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传... 碳化硅(SiC)材料由于其出色的物理和化学特性,非常适用于制造高温和大功率半导体器件。虽然SiC功率二极管和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)展示了出色的器件性能,并获得广泛的应用,但是其单极型器件的一维理论极限仍限制了传统器件性能的进一步提升。超结(SJ)作为一种在硅基器件中广泛应用的技术,能明显改善器件击穿电压和比导通电阻之间的折中关系,提升器件的性能。近年来,SiC SJ器件逐渐成为研究的热点,并取得显著进展。文章从SiC SJ器件的设计与仿真模拟、模型研究和SJ工艺制备技术等方面论述了其最新研究现状及发展方向。 展开更多
关键词 碳化硅 超结 二极管 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 研究进展
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沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究 被引量：3
13
作者 秦晓静 周建伟 康效武 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期365-368,共4页
介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了... 介绍了多晶Si薄膜的成膜机理及其在集成电路中的应用,针对沟槽功率MOSFET集成电路制造中两种主流多晶Si工艺的优点和不足进行了分析和对比。从栅氧化层厚度分布和Arriving Angle模型两个方面分析了沟槽中多晶Si空洞的形成机制。阐述了金属通过多晶Si空洞穿透Si衬底导致器件失效的理论,并通过失效器件的FIB分析对理论加以证实。最后基于Arriving Angle模型理论,在试验中改变沟槽顶端和底部宽度,将沟槽刻蚀成倒梯形的结构,以多晶Si填充沟槽经历高温退火工艺再进行SEM分析。分析结果证实,改变沟槽顶端和底部宽度可彻底消除沟槽中多晶Si的空洞,提高器件的可靠性。 展开更多
关键词 集成电路 沟槽 功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管 多晶硅 晶粒 栅极
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新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望 被引量：3
14
作者 刁华彬 杨凯 +1 位作者 赵超 罗军 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第11期875-887,901,共14页
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga... Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。总结回顾了β-Ga2O3SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题。分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力。 展开更多
关键词 β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
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宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法 被引量：3
15
作者 冯耀兰 宋安飞 +1 位作者 张海鹏 樊路加 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期448-452,共5页
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层... 首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 。 展开更多
关键词 宽温区 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 载流子迁移率
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MOSFET中热载流子效应的计算、实验和模拟
16
作者 郑国祥 罗永坚 +3 位作者 杨文清 周思远 蒋蓁 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期182-191,共10页
亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFE... 亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFET作了 I- V特性曲线和跨导变化量随偏压时间变化的实验测试。理论分析、实验结果与模拟结果都符合得很好。为改善MOSFET热载流子效应而提出的 GOL D结构也获得很好的模拟结果。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体晶体管 器件失效 器件模拟 热载流子效应 GOLD结构 场效应晶体管
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基于MOSFET PDE模型的射频电路仿真算法研究 被引量：1
17
作者 谭俊 来金梅 +1 位作者 赵晖 任俊彦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期119-123,137,共6页
研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算... 研究了基于 MOSFET偏微分方程 (PDE)模型的电路仿真算法 ,并提出一种求解 PDE的快速算法。当MOSFET PDE模型用于射频 (RF)电路仿真时 ,系统方程为一个耦合系统 ,包括偏微分方程 (PDE)、常微分方程(ODE)和代数方程 (AE)。采用一套迭代算法来求解该耦合系统。将上述的模型和算法用于一个压控振荡器(VCO)的瞬态特性仿真 ,模拟结果与理论分析相符。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体晶体管 偏微分方程 偏微分方程求解算法 常微分方程 代数方程 耦合系统
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短沟道MOS阈值电压物理模型 被引量：2
18
作者 谢晓锋 张文俊 杨之廉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期155-158,共4页
通过求解二维泊松方程推导了一个简洁的短沟道 MOS的阈值电压模型 ,得到的 DIBL因子可用于分析参数对短沟道效应的影响。模拟的结果能很好地与数值模拟器
关键词 短沟道 阀值电压 金属—氧化物—半导体场效应晶体管 MOS 电压物理模型
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叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型 被引量：2
19
作者 张雪锋 邱云贞 +4 位作者 张振娟 陈云 黄静 王志亮 徐静平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期180-183,217,共5页
利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另... 利用双子带近似,从理论上研究了远程界面粗糙散射对叠层高k栅介质MOSFET反型载流子迁移率的退化作用,模拟了叠层高k栅介质结构参数和材料参数对远程界面粗糙散射的影响。结果表明,对于精确的迁移率模型,远程界面粗糙散射必须加以考虑,另外,在设计叠层高k栅介质MOSFET时,在EOT得到满足的条件下,尽可能利用具有较高介电常数的界面层和具有较低介电常数的高k栅介质,可以减小迁移率退化。 展开更多
关键词 叠层高k栅介质 远程界面粗糙散射迁移率 金属-氧化物-半导体场效应晶体管
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科技术语的规范化与辞书编纂 被引量：1
20
作者 黄昭厚 《辞书研究》 CSSCI 北大核心 1995年第6期1-11,共11页
科技术语的规范化与辞书编纂黄昭厚一、科技术语规范与辞书编纂的现状本世纪以来，随着科学技术的迅猛发展，不断产生新学科、新概念、新理论、新方法，也相应地不断产生大量新术语。但长期以来，我国科技术语不是由一个统一的权威机构... 科技术语的规范化与辞书编纂黄昭厚一、科技术语规范与辞书编纂的现状本世纪以来，随着科学技术的迅猛发展，不断产生新学科、新概念、新理论、新方法，也相应地不断产生大量新术语。但长期以来，我国科技术语不是由一个统一的权威机构负责定名及进行其规范化、标准化工作... 展开更多
关键词 科技术语 辞书编纂 规范化 科技名词 同义词 术语学 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 中国科学院 名词审定 译名
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