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功率GaAs MESFET小信号等效电路模型的参数求解
1
作者 吴龙胜 刘佑宝 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期462-466,共5页
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热场效应晶体管状... 采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解金属肖特基势垒场效应晶体管小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以场效应晶体管在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热场效应晶体管状态的本征元件值 .该方法具有收敛快 ,精度高和效率高的优点 ,便于移植到微波器件计算机辅助设计和模拟软件中 . 展开更多
关键词 砷化镓 等效电路 金属肖特基势垒场效应晶体管 模型参数
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MESFET肖特基势垒结参数提取及I-V曲线拟合
2
作者 黄云 费庆宇 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期329-332,343,共5页
运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个... 运用双指数函数模型方法分析了影响 MESFET的 Ti Pt Au-Ga As肖特基势垒结特性的各种因素及各因素间的关系 ,编制了 MESFET肖特基势垒结结参数提取和 I-V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向 I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的六个结参数和得到相应结参数下的理论数据 ,与实验数据吻合良好。分析了影响肖特基势垒结 I-V曲线分布的因素 ,提出了进行器件特性、参数稳定性与可靠性研究和定量分析 展开更多
关键词 MESFET 金属肖特基势垒场效应晶体管 参数提取 曲线拟合 寄生电阻
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晶体管、MOS器件
3
《电子科技文摘》 2000年第4期28-32,共5页
Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabil... Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty Physics Symposium.—37～41(UC) 展开更多
关键词 金属肖特基势垒场效应晶体管 绝缘栅双极晶体管 异质结双极晶体管 高电子迁移率晶体管 器件退化 收录论文 论文题目 功率器件 晶闸管 可靠性
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晶体管、MOS器件
4
《电子科技文摘》 2001年第12期19-21,共3页
Y2001-62909-147 0120497功率管理用的 MOSFET 先进封装技术=Advancedpackaging technologies in MOSFETs for power manage-ment[会,英]/Tsui,A.& Sarkis,J.//2000 IEEE 50thElectronic Components & Technology Conference.—... Y2001-62909-147 0120497功率管理用的 MOSFET 先进封装技术=Advancedpackaging technologies in MOSFETs for power manage-ment[会,英]/Tsui,A.& Sarkis,J.//2000 IEEE 50thElectronic Components & Technology Conference.—147～150(PC) 展开更多
关键词 金属肖特基势垒场效应晶体管 研究与进展 器件 热载流子效应 固体电子学 基区渡越时间 电流密度 本征元件 电子科技大学学报 等效电路模型
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半导体物理
5
《电子科技文摘》 2000年第4期26-27,共2页
Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载... Y2000-62027-233 0005638热载流子(收录论文6篇)=Hot carriers[会,英]/1999 IEEE International Reliability Physics Symposium.—233～262(UC)收入本部分的论文题目有:在模拟工作条件下大倾角离子注入漏 n 型 MOS 场效应晶体管的热载流子退化与沟道长度的关系,在模拟工作条件下 MOS 晶体管的低频噪声的热载流子退化。 展开更多
关键词 热载流子退化 半导体物理 金属肖特基势垒场效应晶体管 工作条件 离子注入 收录论文 大倾角 低频噪声 论文题目 沟道长度
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S波段脉冲大功率SiC MESFET 被引量：6
6
作者 杨霏 潘宏菽 +3 位作者 霍玉柱 商庆杰 默江辉 闫锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期12-14,20,共4页
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功... 采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 展开更多
关键词 碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率
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计算GaAs MESFET器件源电阻的新方法
7
作者 顾聪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期387-393,414,共8页
采用一种直接估算微波 Ga As MESFET源电阻 Rs的方法。理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的 ,由此推导出 Rs相关的解析表达式。可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的 Rs。把 Rg、Rd 与 Rs的比率以及 Ld、Lg ... 采用一种直接估算微波 Ga As MESFET源电阻 Rs的方法。理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的 ,由此推导出 Rs相关的解析表达式。可在任何测量频率下采用解析方法计算出高精度的 Rs。把 Rg、Rd 与 Rs的比率以及 Ld、Lg 与 Ls 的比率作为优化参数 ,计算等效电路中的元件值相当快 ,且不依赖于初始值。等效电路与测量的 S参数拟合得相当好 。 展开更多
关键词 砷化镓 金属-肖特基势垒场效应晶体管 源电阻 信号模型
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不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究
8
作者 刘汝萍 夏冠群 +2 位作者 赵建龙 吴剑萍 詹琰 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期394-399,共6页
分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET
关键词 金属-肖特基势垒场效应晶体管 阈值电压 砷化镓
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