摘要
分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET
The Vth uniformity of GaAs MESFET fabricated by using recessed-gate process and planar selectively ion implantation process, is reported. The results show that the Vth uniformity of GaAs MESFET fabricated by using planar selectively ion implantation is better than that fabricated by using recessed-gate process.
出处
《固体电子学研究与进展》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期394-399,共6页
Research & Progress of SSE
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 96 76 0 0 3)
GaAs集成电路国家重点实验室资助项目
离子束开放实验室资助项目
