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量子效应器件正在崛起 被引量：3
1
作者 翁寿松 《电子与封装》 2005年第7期1-5,共5页
本文介绍了量子效应器件的定义、分类、特点、工作原理、特性、制造方法和应用。还介绍了国内研制量子效应器件的动态和成果。
关键词 量子效应器件 共振隧穿二极管 量子点激光器
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单电子器件 被引量：2
2
作者 顾宁 鲁武 +1 位作者 陆祖宏 沈浩瀛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期197-204,共8页
单电子器件作为新一代器件──量子效应器件中的重要一类，其研究工作已愈来愈被人们重视。本文对这一工作进行了较全面的回顾，同时也讨论了库仑抑制等基本效应，这是此类器件的设计基础。分析了制备单电子器件的关键技术，并简要介绍... 单电子器件作为新一代器件──量子效应器件中的重要一类，其研究工作已愈来愈被人们重视。本文对这一工作进行了较全面的回顾，同时也讨论了库仑抑制等基本效应，这是此类器件的设计基础。分析了制备单电子器件的关键技术，并简要介绍了器件的潜在应用前景及目前的研制动态。 展开更多
关键词 单电子器件 库仑抑制 量子效应器件
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量子器件与技术动向
3
作者 王致诚 《中国科技月报》 2001年第2期28-29,共2页
半导体芯片在发展中出现的瓶颈问题。
关键词 量子器件 量子技术 量子晶体管 量子存储器 量子阱激光器 量子效应器件 量子计算机
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新原理光电探测阵列的微光响应测试研究 被引量：2
4
作者 刘晓艳 王明甲 郭方敏 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第8期2546-2551,共6页
针对暗电流低、灵敏度高等优点的新原理量子效应光电探测器,设计和加工了增益可调CTIA读出电路,以获得宽动态范围读出。读出电路芯片与1×64元量子效应光电探测器集成封装,在室温(300K)条件下进行读出测试研究。光源采用633nmHe-Ne... 针对暗电流低、灵敏度高等优点的新原理量子效应光电探测器,设计和加工了增益可调CTIA读出电路,以获得宽动态范围读出。读出电路芯片与1×64元量子效应光电探测器集成封装,在室温(300K)条件下进行读出测试研究。光源采用633nmHe-Ne激光器,直径50μm光斑聚焦照射。测试结果表明:器件偏压为-0.1V,激光功率150pW,积分时间78μs,响应电压55mV,电压响应率达到3.67E+08V/W。根据测试结果,提出了进一步降低暗电流影响的改进测试方案。 展开更多
关键词 微光读出 量子效应器件 高灵敏度 增益可调读出电路 暗电流
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纳米电子／光电子器件概述
5
作者 程开富 《飞通光电子技术》 2003年第1期19-22,共4页
概述纳米电子／光电子器件的类型，提出发展纳米电子／光电子器件的几点建议。
关键词 纳米电子 光电子器件 CMOS 量子效应器件 谐振隧道器件 纳米传感器
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铁电材料纳米尺度特性——扫描探针显微术手段
6
作者 M.Alexe A.Gruverman 李国栋 《国外科技新书评介》 2005年第1期8-9,共2页
本书为施普林格出版社出版的《纳米科学和技术》丛书中的一卷。这套丛书主要论述纳米世界、介观物理学、原子分辨的分析、纳米和量子效应器件、纳米力学和原子尺度过程等。本书论述利用扫描探针显微术研究铁电材料的纳米特性，包括实验... 本书为施普林格出版社出版的《纳米科学和技术》丛书中的一卷。这套丛书主要论述纳米世界、介观物理学、原子分辨的分析、纳米和量子效应器件、纳米力学和原子尺度过程等。本书论述利用扫描探针显微术研究铁电材料的纳米特性，包括实验和理论的多方面研究。 展开更多
关键词 扫描探针显微术 铁电材料 纳米尺度 量子效应器件 介观物理学 纳米科学 原子分辨 原子尺度 纳米力学 纳米特性 出版社 丛书
原文传递
芯片技术将面临的挑战及前景
7
作者 徐明 《国际技术经济导报》 1998年第6期13-17,共5页
关键词 芯片技术 发展前景 量子效应器件
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未来的半导体器件
8
作者 叶波 《自然杂志》 1995年第5期293-299,共7页
本文综观半导体器件的现状,提出21世纪占主导地位的半导体器件为真空半导体器件、BiCMOS器件、低温半导体器件、GeSi异质结器件以及量子效应半导体器件,它们在一定程度上代表了未来半导体器件的发展方向。
关键词 真空器件 量子效应器件 CMOS器件 半导体器件
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未来的电脑革命
9
作者 岳峰 李全新 《互联网周刊》 1999年第11期35-36,共2页
即将跨入21世纪之际,曾经在业界起到推波助澜作用的电脑业未来发展前景出现了新动向,电脑业推陈出新的速度正在酝酿一场变革。电脑业的激烈竞争,大大加快了这种变革的速度,那么,在21世纪,电脑的发展将会怎样呢?
关键词 计算机 自然语言 马尔可夫信源 电脑 触摸屏 语音识别 人机界面 场效应晶体管 量子效应器件 多媒体
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直径为2nm的Si晶体制作技术
10
作者 申公 《微电子技术》 1999年第3期40-40,共1页
关键词 制作技术 Si晶体 半导体激光器 电子束照射 直径为 量子效应器件 发光机理 金属材料 晶体薄膜 薄膜分离
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