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一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件 被引量：1
1
作者 梁涛 杨文 +3 位作者 何逸涛 陈钢 乔明 张波 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期114-117,共4页
提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si_3N_4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与... 提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si_3N_4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与传统结构相当的击穿电压,但比导通电阻降低了24%,最高温度降低了59%。 展开更多
关键词 部分高k 比导通电阻 击穿电压 自热效应 场pLDMOS
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