超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值 被引量：3

1

作者 翁寿松 毛立平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期31-32,38,共3页

讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值。

关键词 超突变结 变容二极管 杂质 浓度分布 n值

下载PDF 职称材料

一种新的超突变结电容电压方程 被引量：3

2

作者 吴春瑜 朱长纯 张九惠 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期99-101,共3页

本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。

关键词 变容二极管 超突变结

下载PDF 职称材料

超突变结变容管的设计模型 被引量：1

3

作者 钱刚 郝达兵 顾卿 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1158-1161,共4页

通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件... 通过建立一种超突变结变容二极管的杂质浓度分布模型,并基于求解一维泊松方程、雪崩击穿条件方程和电阻计算公式,推导了该模型的C-V特性、VBR、RS和Q值,设计了用于分析该模型的模拟软件,阐述了模拟软件的运行流程。基于该模型和模拟软件,采用外延-扩散的方法研制了一种硅超突变结变容二极管,采用C-V法测量了外延材料的杂质浓度分布,结果表明材料的浓度分布与模拟结果相符。研制的变容二极管的主要参数：击穿电压VBR为50~55 V;电容变化比（C-4V/C-8V）为2.42~2.44;VR=-4 V,f=50 MHz时的品质因素Q为150~180,实测参数与模拟结果吻合得很好。设计模型和模拟软件得到了验证。 展开更多

关键词 超突变结 外延-扩散法 C-V特性 击穿电压 品质因素

下载PDF 职称材料

超突变结变容管的模型研究

4

作者 朱长纯 钱伟 朱仁跃 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1993年第12期43-48,F003,共7页

在改进的超突变结变容管掺杂分布模型的基础上,对超突变结的雪崩击穿电压进行了理论研究,并用二分法得到了通常实用范围的V_b,N_o数据表:同时用牛顿迭代法进行了数值求解,得出了归一化的C-V和W-V数据表.

关键词 变容二极管 模型 超突变结

下载PDF 职称材料

变容二极管的新发展及其应用

5

作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2005年第5期41-43,共3页

评述当前变容二极管的新动态,如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。

关键词 变容二极管 超突变结 电调谐器 综述

下载PDF 职称材料

新模型基础上的超突变结变容管容压变化指数 被引量：1

6

作者 吴春瑜 朱长纯 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期127-138,128,共13页

在一种新改进的超突变结变容管杂质分布模型的基础上，对变容管的容压变化指数ｎ与器件的材料和工艺参数之间的关系进行了研究．根据导出的关系进行了数值计算。

关键词 变容管 超突变结 容压变化指数 变容二极管

下载PDF 职称材料

超突变结变容二极管C-V特性研究

7

作者 吴春瑜 尹飞飞 《辽宁大学学报(自然科学版)》 CAS 2005年第1期1-3,共3页

对超突变结器件的杂质分布模型进行了研究并加以改进,导出不同杂质分布的新的电容电压方程,方程中的主要参数与实际工艺参数一致.理论结果与实验曲线符合得很好,证明假设的杂质分布模型是合理的,由此导出的电容电压方程是正确的和实用的.

关键词 变容二极管 杂质 超突变结

下载PDF 职称材料

根据已知C-V特性确定超突变结变容管设计参数的方法

8

作者 吴春瑜 李森 +1 位作者 朱长纯 崔吾元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1997年第4期11-13,共3页

本文根据新的超突变结电容电压方程，采用数值筛选方法，可方便、快速地确定出已知C－V曲线变容管的几个主要设计参数。

关键词 变容管 超突变结 C-V特性 设计参数

下载PDF 职称材料

双外延调频变容二极管的电容变化指数n值

9

作者 陈其宾 翁寿松 《半导体技术》 CAS 1987年第3期6-9,5,共5页

近十年来,超突变结变容二极管在工业生产上解决了批量生产的问题,人们已经掌握了多种工艺方法制造出各具特点的超突变结变容管.用双外延法制作的调频变容管就是其中之一.它已经被广泛地应用在扫频器、移相器、可变延迟线,高灵敏自动频... 近十年来,超突变结变容二极管在工业生产上解决了批量生产的问题,人们已经掌握了多种工艺方法制造出各具特点的超突变结变容管.用双外延法制作的调频变容管就是其中之一.它已经被广泛地应用在扫频器、移相器、可变延迟线,高灵敏自动频率控制和相位控制等电子线路中,并且成为这些电子线路中的关键性器件. 展开更多

关键词 变容管 电容 扩散时间 变容二极管 杂质浓度 超突变结

下载PDF 职称材料

离子注入硅超突变结变容管的试制

10

《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1976年第Z1期100-107,共8页

我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 MHz下,品质因数Q-3v≥50（直读数）,反向偏压VB=30伏时,漏电流IB≤1μA。四只管子配套使用,故管子电参数的一致... 我们试制的变容二极管,用于电视接收机高频头线路中作调频元件。根据使用要求,其主要参数是:电容变化比C-3v/C-30v≥6,在50 MHz下,品质因数Q-3v≥50（直读数）,反向偏压VB=30伏时,漏电流IB≤1μA。四只管子配套使用,故管子电参数的一致性要好。为满足电容变化比的要求,需采用超突变结的杂质分布,即杂质浓度随着与结距离的增加而降低。为此,需要在均匀掺杂的硅材料中形成浓度不断下降的区域一衰减区。在制造器件时,用普通的扩散法形成的衰减区,掺杂浓度往往不易控制,因此,我们采用离子注入一扩散的方法,较精确地控制了衰减区的掺杂。 展开更多

关键词 超突变结 容管 变容二极管 反向偏压 电容变化 杂质分布 杂质浓度 离子注入 四只 外延材料

下载PDF 职称材料

超突变结变容二极管电气参数的测量及其应用

11

作者 宫臣赓 《上海半导体》 1989年第2期41-46,共6页

关键词 变容二极管 参数 超突变结 测量

全文增补中

超突变P—n结的容——压特性

12

作者 徐婉棠 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1980年第1期57-67,共11页

一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中... 一、引言任何一个P—n结都具有电容效应,其电容均随外加电压而变。超突变P—n结的电容灵敏地依赖于反向电压,因此,其电容一电压指数n大于突变结。超突变结变容二极管是用超突变P—n结构成的器件,它作为一个可变电容器而用于调谐电路中。近十几年来,由于这种用变容管作调谐元件的电调技术迅速发展,促使人们对超突变P—n结的容—压特性进行广泛、深入的研究。研究工作大体上从两方面进行。 展开更多

关键词 超突变结 变容二极管 电容效应 容管 反向电压 外加电压 电调 杂质分布 反向偏压 外延层

下载PDF 职称材料

基于TCAD工具的超突变结变容二极管设计

13

作者 杨勇 郝达兵 +1 位作者 王玉林 李智群 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第6期553-556,共4页

根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情... 根据超突变结变容二极管设计和工艺特点,报道了利用SILVACO公司工艺模拟软件Athena、器件模拟软件Atlas等完成超突变结变容二极管的几何结构、浓度分布、工艺参数、电学参数等的设计,根据设计参数通过某型号Si超突变结变容二极管生产情况验证设计参数和电参数的吻合情况,改进实际工艺参数和模拟参数的容差系数;分别利用离子注入-扩散法和双离子注入法完成器件工艺制作,提高了的工艺重复性和成品率。采用TCAD技术大大缩短了研制周期、降低了费用。 展开更多

关键词 计算机辅助设计技术 超突变结变容二极管 离子注入 注入-扩散法 工艺重复性

下载PDF 职称材料