摘要
本文对超突变结构变容二极管进行了深入的研究，在改进的杂质分布模型基础上，推出一种新的超突变结构电容电压特性方程，方程中的主要参数与实际工艺参数一致，解决了以往模型在这方面的不足。
A more practical capacitance-voltage characteristic equation is derived on the basis of theoretic analysis on variable capacitance diode. A modified impurity distribution model is introduced to solve the problem that the main parameters of the model do not concur with the practical parameters.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期99-101,共3页
Acta Electronica Sinica
基金
国家自然科学基金
