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4°偏轴SiC衬底外延工艺研究 被引量：1
1
作者 李赟 尹志军 +2 位作者 朱志明 赵志飞 陆东赛 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期68-71,共4页
4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓... 4°偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌,外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C/Si比及生长前刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀工艺,结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计,在4°偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC SBD结构外延材料。利用优化工艺生长的4°偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600～1 700V SBD器件的研制。 展开更多
关键词 同质外延 衬底偏角 台阶形貌 肖特基二极管
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分子束外延InSb薄膜材料的表面微观形貌研究
2
作者 周朋 刘铭 《红外》 CAS 2017年第2期7-10,共4页
用原子力显微镜等方法研究了在InSb(001)衬底和(001)偏(111)B面2°衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌。对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原... 用原子力显微镜等方法研究了在InSb(001)衬底和(001)偏(111)B面2°衬底上分子束外延生长的同质外延薄膜和掺Al薄膜样品表面的微观形貌。对比了不同衬底同质外延时生长模式的差异,并观察了加入Al后引入的交叉影线,分析了其产生的原因。研究表明,使用有偏角的衬底更有利于减少分子束外延薄膜的表面缺陷。 展开更多
关键词 InSb薄膜材料 原子力显微镜 微观形貌 衬底偏角
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