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表面层型半导体陶瓷电容器 被引量:1
1
作者 王振平 赵俊斌 +1 位作者 李勇 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第5期13-16,共4页
对表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构原理、关键生产技术、关键设计参数、关键生产设备以及电容器规格和典型特性作了简要介绍。
关键词 表面层 半导体陶瓷电容器 烧结 再氧化
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表面层型半导体陶瓷电容器的开发及产业化 被引量:1
2
作者 王振平 赵俊斌 +1 位作者 李勇 章士瀛 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第9期66-68,共3页
表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工... 表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等。 展开更多
关键词 表面层 结构 原理 半导体陶瓷电容器 产业化
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表面层型半导体陶瓷电容器
3
作者 王振平 赵俊斌李勇 章士瀛 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期142-142,138,共2页
关键词 表面层 半导体陶瓷电容器
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Finder-1000 X射线能谱仪在半导体陶瓷电容器制程中的应用
4
作者 李静 王振平 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期528-529,共2页
关键词 Finder-1000X射线能谱仪 EDX 半导体陶瓷电容器 表面层半导体瓷片 表面污染黑斑 表面疵病
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电容器
5
《电子科技文摘》 2000年第12期12-12,共1页
Y2000-62135-245 0019861采用 PECVD 氮化物用于混合信号和射频电路的高密度金属绝缘体金属电容器=High density metal insula-tor metal capacitors using PECVD Nitride for mixed sig-nal and RF circuits[会,英]/Kar-Roy,A.& Hu... Y2000-62135-245 0019861采用 PECVD 氮化物用于混合信号和射频电路的高密度金属绝缘体金属电容器=High density metal insula-tor metal capacitors using PECVD Nitride for mixed sig-nal and RF circuits[会,英]/Kar-Roy,A.& Hu,C.//1999 IEEE Proceedings of InternationaI InterconnectTechnology Conference.-245~247(EC) 展开更多
关键词 高压铝电解电容器 金属绝缘体金属 射频电路 氮化物 混合信号 高密度 电子元件 电解质 去极化剂 表面层半导体陶瓷电容器
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