摘要
表面层型半导体陶瓷电容器的开发成功,是我国新型元件领域中的一项高新技木及其产业化的突破。重点介绍了表面层型半导体陶瓷电容器的基本结构和原理。本项目开发创新成果:隧道式气氛烧结组合炉,还原气氛的获取,半导化及再氧化技术,工程中设计参数及氧化层厚度观察及量测技术等。
The successful introduction of semiconductor ceramic capacitor of surface layer is a break throughachievement in the field of new type electronic components. This paper describes the basic structure and operating principles of semiconductor ceramic capacitor and the achievements obtained by the project .including combination tun nel furance with an H2 + N3 atmosphere; the way of getting get H2+ N2;the technology of reduction and re-oxulation; design parameter for engineering .and microstructural obsevatlon etc
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第9期66-68,共3页
Materials Reports
关键词
表面层型
结构
原理
半导体陶瓷电容器
产业化
surface layer type,grain boundary layer type .reduction,re-oxidation
