固结磨料研磨蓝宝石单晶过程中研磨液的作用 被引量：24

1

作者 王建彬 朱永伟 +2 位作者 谢春祥 徐俊 居志兰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期3004-3011,共8页

开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝... 开展了固结磨料研磨单晶蓝宝石面板的实验研究,探索了不同研磨液对材料去除速率和工件表面质量的影响。分析了研磨液对蓝宝石表面的化学作用,探索了固结磨料研磨蓝宝石晶体的材料去除机理。实验显示:使用W14镀镍金刚石固结磨料研磨蓝宝石单晶,研磨液仅为去离子水时,材料去除率(MRR)为149.8nm/min、表面粗糙度(Ra)为76.2nm;而研磨液中加入2%的乙二醇后,相应的MRR为224.1nm/min,Ra为50.7nm。用光电子能谱仪(XPS)分析了工件表面,结果表明含有乙二醇的研磨液能够增加蓝宝石工件表面的活性。得到的结果显示:在溶液中加入乙二醇有利于表面软化层的生成并增加蓝宝石表面的活性,说明研磨液对蓝宝石单晶研磨效率的提升和表面质量的改善具有促进作用。 展开更多

关键词 固结磨料 研磨液 乙二醇 蓝宝石晶片

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蓝宝石晶片机械化学研磨抛光新方法研究 被引量：19

2

作者 王吉翠 邓乾发 +2 位作者 周兆忠 李振 袁巨龙 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期101-103,共3页

以SiO2为磨料,同时将MgF2微粉作为固相反应催化剂加入到SiO2磨料中,利用蓝宝石和SiO2之间的固相反应,通过去除生成的软质反应层的方法,对蓝宝石晶片进行机械化学研磨抛光,在获得良好的表面加工质量的同时,提高蓝宝石晶片加工效率。

关键词 蓝宝石晶片 固相反应 SIO2 催化剂 MGF2

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SiO_2/CeO_2复合磨粒的制备及在蓝宝石晶片抛光中的应用 被引量：13

3

作者 白林山 熊伟 +2 位作者 储向峰 董永平 张王兵 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1289-1295,共7页

采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜... 采用均相沉淀法制备了SiO2/CeO2复合磨料,并利用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)等对样品的相组成和形貌进行了表征。将所制备的SiO2/CeO2复合磨料用于蓝宝石晶片的化学机械抛光,利用原子力显微镜检测抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度。结果表明:所制备的SiO2/CeO2复合磨粒呈球形,粒径在40-50nm;在相同条件下,经过复合磨料抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.32nm,材料去除速率为16.4nm/min,而SiO2抛光后的蓝宝石晶片表面粗糙度为0.92nm,材料去除速率为20.1nm/min。实验显示,复合磨料的材料去除速率略低于单一SiO2磨料,但它获得了较好的表面质量,基本满足蓝宝石作发光二极管(LED)衬底的工艺要求。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 化学机械抛光 表面粗糙度 SiO2/CeO2 复合磨料

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基于蓝宝石晶片的光纤法布里-珀罗高温传感器 被引量：8

4

作者 梁伟龙 周次明 +4 位作者 范典 欧艺文 田涛 桂新旺 李岩 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期13-17,共5页

提出并研制了一种基于蓝宝石晶片的光纤法布里－珀罗（法珀）高温传感器．该传感器采用斜端面蓝宝石光纤作传输波导，蓝宝石晶片作法珀干涉仪，“陶瓷插芯－陶瓷套管”结构做为传感器的固定结构．通过傅里叶变换－最小均方差联合算法解... 提出并研制了一种基于蓝宝石晶片的光纤法布里－珀罗（法珀）高温传感器．该传感器采用斜端面蓝宝石光纤作传输波导，蓝宝石晶片作法珀干涉仪，“陶瓷插芯－陶瓷套管”结构做为传感器的固定结构．通过傅里叶变换－最小均方差联合算法解调传感器的反射光谱，实现了20℃～1000℃范围内的温度测量，测试准确度为±2．5℃．该传感器具有体积小、成本低、制作简单以及重复性高的优点，可用于高温环境下稳定、精确的温度测量． 展开更多

关键词 光纤法珀传感器 蓝宝石晶片 高温测量 蓝宝石光纤 算法

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临近空间飞行高温真空光纤绝压传感器设计

5

作者 张雨彤 江毅 +1 位作者 杨水旺 张大有 《火箭推进》 CAS 北大核心 2024年第3期118-123,共6页

研制了一种用于临近空间飞行器在高温环境下的蓝宝石非本征法布里-珀罗干涉仪(extrinsic Fabry-Perot interferometer,EFPI)型光纤绝对压力传感器。蓝宝石晶片压力传感头由3片厚度不同的蓝宝石晶片键合构成,形成复合法布里-珀罗(Fabry-P... 研制了一种用于临近空间飞行器在高温环境下的蓝宝石非本征法布里-珀罗干涉仪(extrinsic Fabry-Perot interferometer,EFPI)型光纤绝对压力传感器。蓝宝石晶片压力传感头由3片厚度不同的蓝宝石晶片键合构成,形成复合法布里-珀罗(Fabry-Perot,FP)腔,可以同时测量温度和绝对压力,通过实时监测温度,对压力测量进行温度补偿,去除温度对压力测量的影响。实验结果表明:900℃内的每个温度点下,密封FP腔的光学腔长随压力线性变化;室温下,压力灵敏度为11.6 nm/kPa,压力灵敏度随温度的上升略微升高,压力测量的分辨率达到86 Pa。 展开更多

关键词 光纤压力传感器 非本征法布里-珀罗干涉仪 蓝宝石晶片 绝对压力测量

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蓝宝石精磨专用碳化硼微粉的制备及其分级研究 被引量：6

6

作者 李欣 都兴红 +3 位作者 李盼 邢鹏飞 王帅 杨肇春 《铁合金》 2017年第6期16-21,共6页

蓝宝石晶片需求量的猛增促使碳化硼作为其研磨材料的用量也逐渐增加。简述了蓝宝石精磨专用W5碳化硼微粉的制备新工艺,研究了分散剂种类、分散剂用量、沉降时间和抽料高度对微粉分级的影响,并对新工艺制备的微粉和普通的微粉进行了分析... 蓝宝石晶片需求量的猛增促使碳化硼作为其研磨材料的用量也逐渐增加。简述了蓝宝石精磨专用W5碳化硼微粉的制备新工艺,研究了分散剂种类、分散剂用量、沉降时间和抽料高度对微粉分级的影响,并对新工艺制备的微粉和普通的微粉进行了分析表征。研究表明,混合分散剂的(SHMP+KX-5060)分级效果最好,其最佳用量为0.4%;微粉分级的最佳沉降时间为3~4 h,抽料高度为20~25 cm;新工艺制备的微粉和普通微粉相比,具有圆形度高、颗粒尺寸分布范围窄(6.519~1.162μm)、研磨速率高、研磨效果好等优点。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 碳化硼微粉 分级 分散剂

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工艺参数对浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光蓝宝石晶片的影响

7

作者 黄展亮 柏显亭 +1 位作者 潘继生 阎秋生 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第18期144-155,共12页

目的为了实现蓝宝石晶片的高效超光滑表面加工,提出浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光方法,研究该方法对蓝宝石晶片的加工适应性。方法搭建了浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光系统,通过单因素实验探究接入电压、工件及抛光盘转速、偏... 目的为了实现蓝宝石晶片的高效超光滑表面加工,提出浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光方法,研究该方法对蓝宝石晶片的加工适应性。方法搭建了浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光系统,通过单因素实验探究接入电压、工件及抛光盘转速、偏摆移动速度、抛光时间及抛光垫类型对蓝宝石晶片的加工效果,并深入分析负介电泳效应对CMP加工过程的影响。结果直流介电泳辅助CMP方法可以显著提高蓝宝石晶片的抛光效果,在2000V的接入电压下,化学机械抛光的材料去除率MRR提高了99.97%,达到了7.53nm/min,表面粗糙度Ra降低至2.51nm,工件表面划痕数量明显减少。工件及抛光盘转速、偏摆移动速度的提升都会使抛光MRR和Ra先升后降,带槽的抛光垫对介电泳效应控制磨料起促进作用。各个因素的影响对提高有效磨料数起交互作用,负介电泳效应促使磨料聚集在抛光垫表面,而工件与抛光垫的相对运动促使磨料更新循环。结论采用接入电压2000 V、工件及抛光盘转速80 r/min、偏摆速度60 r/min,在精抛垫下抛光蓝宝石晶片90 min,可以获得表面粗糙度Ra为0.953 nm的光滑表面。 展开更多

关键词 介电泳效应 化学机械抛光 蓝宝石晶片 工艺参数 抛光垫 有效磨料数 加工效果

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固结磨料研磨蓝宝石晶片的工艺优化 被引量：6

8

作者 郑方志 朱永伟 +2 位作者 朱楠楠 王凯 沈琦 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2016年第1期11-15,共5页

为了满足蓝宝石晶片高效低损伤的加工要求,采用亲水性固结磨料研磨垫研磨蓝宝石晶片的工艺,研究基体中碳化硅粒度尺寸、基体类型、金刚石粒度尺寸及研磨液中磨料4个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响,并综合优化获得高加工效率和优表... 为了满足蓝宝石晶片高效低损伤的加工要求,采用亲水性固结磨料研磨垫研磨蓝宝石晶片的工艺,研究基体中碳化硅粒度尺寸、基体类型、金刚石粒度尺寸及研磨液中磨料4个因素对材料去除率和表面粗糙度的影响,并综合优化获得高加工效率和优表面质量的工艺参数。实验结果表明：基体中碳化硅粒度尺寸为10μm、基体类型为Ⅱ、研磨垫采用F公司粒度尺寸为35~45μm的金刚石、研磨液中磨料的粒度尺寸为5μm的碳化硅为最优工艺组合,亲水性固结磨料研磨蓝宝石的材料去除率为431.2nm/min,表面粗糙度值为Ra0.140 2μm。 展开更多

关键词 亲水性固结磨料 蓝宝石晶片 研磨 去除率 表面粗糙度

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阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响 被引量：5

9

作者 白亚雯 陈国美 +1 位作者 滕康 倪自丰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期470-475,共6页

为了探究阳离子表面活性剂对A向(1120)蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响,采用失重法计算蓝宝石的材料去除率(MRR)、原子力显微镜观察抛光后蓝宝石晶片表面粗糙度(Ra)。结果表明:纯二氧化硅磨粒抛光液中,蓝宝石晶片的MRR在p H8时最优(MR... 为了探究阳离子表面活性剂对A向(1120)蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响,采用失重法计算蓝宝石的材料去除率(MRR)、原子力显微镜观察抛光后蓝宝石晶片表面粗糙度(Ra)。结果表明:纯二氧化硅磨粒抛光液中,蓝宝石晶片的MRR在p H8时最优(MRR=1984/h),此时Ra为0.867 nm;添加一定浓度的阳离子表面活性剂可以提高蓝宝石晶片的抛光效率,其MRR在p H=9时达到最大(MRR=2366 nm/h),此时Ra=0.810 nm。通过粒径和Zeta电位分析,阳离子表面活性剂改变了二氧化硅磨粒表面的Zeta电位值,进而改变了磨粒与磨粒及磨粒与蓝宝石晶片的作用力,且在碱性条件下可以获得较高的MRR。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 化学机械拋光 阳离子表面活性剂 材料去除率 PH值

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蓝宝石晶片质量检测体系研究 被引量：4

10

作者 周海 姚绍峰 《应用科技》 CAS 2005年第11期21-24,共4页

阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性，根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系，结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况，提出了蓝宝石晶片质量检测体系，包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备，通过试验研究，该质量检... 阐述了蓝宝石晶片质量检测的重要性，根据蓝宝石晶片国家标准和国际质量保证体系，结合目前蓝宝石晶片生产和科研的实际情况，提出了蓝宝石晶片质量检测体系，包括蓝宝石晶片质量检测内容、检测方法和检测设备，通过试验研究，该质量检测体系能够满足光电子领域所需的蓝宝石晶片生产要求。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 质量检测 检测方法 质量控制

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A向蓝宝石晶片化学机械抛光研究

11

作者 陈国美 陈凤 +1 位作者 倪自丰 白亚雯 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第17期75-82,共8页

采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO_(2)、Al_(2)O_(3)和CeO_(2))和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(1120)化学机械抛光(CMP)效果的影响。通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显微... 采用正交试验和单因素实验,研究了磨粒种类(包括SiO_(2)、Al_(2)O_(3)和CeO_(2))和抛光工艺参数(包括抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量)对A向蓝宝石(1120)化学机械抛光(CMP)效果的影响。通过超精密分析天平计算材料去除率,原子力显微镜观察抛光表面形貌。结果表明:在A向蓝宝石晶片CMP抛光过程中,胶体SiO_(2)磨粒比Al_(2)O_(3)和CeO_(2)磨粒的抛光效果好。抛光工艺参数对A向蓝宝石材料去除率的影响程度主次顺序为抛光压力、抛光盘转速和抛光液流量。当抛光压力为14.5 kPa,抛光盘转速为80 r/min,抛光液流量为90 mL/min时,A向蓝宝石晶片抛光效果最优,材料去除率达到2 366 nm/h,表面粗糙度(Ra)为0.80 nm左右。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 化学机械抛光 磨粒 正交试验 材料去除率 表面粗糙度

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蓝宝石晶片表面净化技术研究 被引量：4

12

作者 周海 杭寅 姚绍峰 《电子机械工程》 2005年第6期42-45,共4页

阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。

关键词 蓝宝石晶片 净化工艺 清洗剂

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蓝宝石晶片粗磨工艺的研究 被引量：4

13

作者 董云娜 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2017年第3期88-90,共3页

采用碳化硼(粒度尺寸61μm)作为磨料配制的研磨液对蓝宝石表面进行粗磨,并研究其工艺。通过单因素实验,选用不同悬浮液、不同研磨压力、不同质量分数碳化硼进行实验。结果表明:当碳化硼磨料质量分数为20%,悬浮液为CM–F系列,研磨液流量2... 采用碳化硼(粒度尺寸61μm)作为磨料配制的研磨液对蓝宝石表面进行粗磨,并研究其工艺。通过单因素实验,选用不同悬浮液、不同研磨压力、不同质量分数碳化硼进行实验。结果表明:当碳化硼磨料质量分数为20%,悬浮液为CM–F系列,研磨液流量250mL/min,研磨盘转速80r/min,研磨时间30min,研磨压力2.8×10~4 Pa时,研磨效果好,材料去除率可达2.47μm/min,表面无肉眼可见划痕,在OLYMPUS–MX50下观察,晶片表面无明显划伤。 展开更多

关键词 悬浮液 碳化硼 蓝宝石晶片 材料去除率

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面向蓝宝石加工的纹理化研磨盘设计及试验研究

14

作者 万林林 郭晋伟 +2 位作者 刘伟 张先洋 冉晓茹 《航空制造技术》 CSCD 北大核心 2023年第21期95-101,共7页

蓝宝石晶片在研磨加工中会受到诸多因素的影响,为了提高蓝宝石研磨加工后的表面质量,本文从研磨液体积分布及流动均匀性出发,设计了研磨盘表面纹理。采用有限元计算对所设计的研磨盘进行流场模拟,同时对研磨盘表面应力分布进行了有限元... 蓝宝石晶片在研磨加工中会受到诸多因素的影响,为了提高蓝宝石研磨加工后的表面质量,本文从研磨液体积分布及流动均匀性出发,设计了研磨盘表面纹理。采用有限元计算对所设计的研磨盘进行流场模拟,同时对研磨盘表面应力分布进行了有限元模拟。为了验证研磨盘的加工性能,将所设计的研磨盘与无槽研磨盘进行研磨试验的对比。结果表明,采用槽宽2 mm、槽深1 mm的阿基米德螺旋线沟槽加径向沟槽的设计,蓝宝石晶片表面粗糙度为0.210μm,晶片表面无破碎、凹坑等损伤,加工效果明显优于无槽研磨盘,因此,本文所设计的研磨盘具有更好的加工性能。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 研磨盘 纹理设计 有限元方法 表面质量

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蓝宝石晶片研磨工艺的研究 被引量：4

15

作者 王永辉 赵慧峰 《三门峡职业技术学院学报》 2009年第1期119-121,共3页

通过对蓝宝石晶片研磨试验的研究,得出了不同磨料种类、不同磨料浓度和加工压力对表面粗糙度和材料去除率的影响。结果表明,在众多磨料中SiO2比较适宜研磨,用此磨料在浓度15wt%时材料去除率比较高,在压力9.8N时综合效果较佳,而MgO磨料... 通过对蓝宝石晶片研磨试验的研究,得出了不同磨料种类、不同磨料浓度和加工压力对表面粗糙度和材料去除率的影响。结果表明,在众多磨料中SiO2比较适宜研磨,用此磨料在浓度15wt%时材料去除率比较高,在压力9.8N时综合效果较佳,而MgO磨料适合获得理想表面粗糙度。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 研磨 工艺参数

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飞秒激光微加工蓝宝石晶片光纤压力传感器

16

作者 江毅 张雨彤 邓辉 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第15期80-87,共8页

提出了一种高温大量程的蓝宝石法布里-珀罗(F-P)干涉仪压力传感器。传感器由三层蓝宝石晶片直接键合而成,包括蓝宝石衬底、带通孔的蓝宝石晶片和感压蓝宝石晶片。飞秒激光用于在蓝宝石晶片的中心刻蚀通孔,并粗糙化感压蓝宝石晶片的外表... 提出了一种高温大量程的蓝宝石法布里-珀罗(F-P)干涉仪压力传感器。传感器由三层蓝宝石晶片直接键合而成,包括蓝宝石衬底、带通孔的蓝宝石晶片和感压蓝宝石晶片。飞秒激光用于在蓝宝石晶片的中心刻蚀通孔,并粗糙化感压蓝宝石晶片的外表面。利用蓝宝石晶片抛光面作为F-P腔的反射面,有助于降低解调出的光学腔长波动,提高压力分辨率。提出的传感器在室温、0~30 MPa的高压力范围内光学腔长随压力线性变化,压力灵敏度为0.1253μm/MPa,相对分辨率达到0.04%FS(full scale,全量程),且能在700℃下稳定工作。 展开更多

关键词 光纤光学 光纤压力传感器 非本征法布里-珀罗干涉仪 蓝宝石晶片 飞秒激光微加工 大压力量程

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蓝宝石晶片加工表面质量检测方法综述 被引量：3

17

作者 王吉翠 邓乾发 +2 位作者 周兆忠 李振 袁巨龙 《超硬材料工程》 CAS 2011年第5期51-55,共5页

蓝宝石(α-Al2O3)晶体因其具有硬度高、熔点高等优良特性而在国防、航空航天、工业以及生活领域都得到广泛应用,蓝宝石晶片加工质量对其应用有着重要的影响。文章总结了蓝宝石晶片加工表面损伤常用的检测方法,并比较分析了这些检测方法... 蓝宝石(α-Al2O3)晶体因其具有硬度高、熔点高等优良特性而在国防、航空航天、工业以及生活领域都得到广泛应用,蓝宝石晶片加工质量对其应用有着重要的影响。文章总结了蓝宝石晶片加工表面损伤常用的检测方法,并比较分析了这些检测方法的优缺点,提出了适用于加工需要的蓝宝石晶片表面损伤快速检测方案。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 表面损伤 检测

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纳米碳化硅抛光液的制备及其对蓝宝石晶片抛光性能的研究 被引量：3

18

作者 熊伟 储向峰 +3 位作者 董永平 张王兵 叶明富 孙文起 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2013年第5期17-21,共5页

制备了一种纳米SiC抛光液,用透射电镜观察其粒子形貌,通过纳米粒度仪研究了分散剂种类对悬浮液中SiC的粒径分布和Zeta电位的影响,并用制备的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光。使用原子力显微镜观察蓝宝石晶片抛光后的表面形貌。结... 制备了一种纳米SiC抛光液,用透射电镜观察其粒子形貌,通过纳米粒度仪研究了分散剂种类对悬浮液中SiC的粒径分布和Zeta电位的影响,并用制备的抛光液对蓝宝石晶片进行化学机械抛光。使用原子力显微镜观察蓝宝石晶片抛光后的表面形貌。结果表明:SiC磨料在以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为分散剂的悬浮液中分散效果最好;在相同试验条件下,采用质量分数1%的SiC抛光材料的去除速率最大,为24.0 nm/min,获得蓝宝石晶片表面质量较好,表面粗糙度R a为2.2 nm。 展开更多

关键词 SIC 蓝宝石晶片 化学机械抛光 分散剂

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蓝宝石晶片研磨工艺的研究 被引量：2

19

作者 董云娜 曹淑云 《当代化工》 CAS 2015年第10期2410-2412,共3页

利用碳化硼W5对蓝宝石研磨实验进行研究,得出不同磨料浓度、不同悬浮液黏度和加工压力对表面状态、粗糙程度和工件去除率的影响。结果表明,碳化硼W5比较适宜研磨,用此磨料在浓度为15%,悬浮液黏度为0.15%(黏度通过控制羧甲基纤维素的衍... 利用碳化硼W5对蓝宝石研磨实验进行研究,得出不同磨料浓度、不同悬浮液黏度和加工压力对表面状态、粗糙程度和工件去除率的影响。结果表明,碳化硼W5比较适宜研磨,用此磨料在浓度为15%,悬浮液黏度为0.15%(黏度通过控制羧甲基纤维素的衍生物的含量控制),研磨压力为4 N/cm2时效果较佳,去除率可达0.63μm/min,表面无划痕,粗糙度较理想。 展开更多

关键词 蓝宝石晶片 碳化硼W5 研磨 去除率 工艺参数

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蓝宝石晶片中微/纳米缺陷散射特性的仿真 被引量：1

20

作者 程洁 王湘宁 +1 位作者 肖永亮 喻更生 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第4期129-135,共7页

基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有... 基于广义Lorenz-Mie理论,对蓝宝石晶片中微体缺陷的散射特性进行了仿真,分析了散射光接收位置、缺陷大小、入射光波长对散射光强的影响。结果表明:前向散射方向上的空间散射光强信息量最大,检测结果最准确;缺陷大小对散射光强分布具有显著影响,可以将散射光强分布曲线的特征作为判断缺陷大小的依据;入射光波长越小,测量越准确。 展开更多

关键词 散射 MIE理论 蓝宝石晶片 微体缺陷 无损检测

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