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100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
被引量:
1
1
作者
董志江
靳彩霞
+4 位作者
杨新民
艾常涛
何建波
易贤
李鸿建
《现代显示》
2010年第5期196-200,共5页
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良...
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。
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关键词
蓝宝石
图形化
衬底
发光二极管
发光效率
下载PDF
职称材料
LED蓝宝石图形化衬底制备工艺研讨
2
作者
蒋准
侯旭鹏
《科技风》
2013年第7期136-136,共1页
近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并...
近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。
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关键词
LED
GAN
蓝宝石
图形化
衬底
出光效率
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职称材料
题名
100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
被引量:
1
1
作者
董志江
靳彩霞
杨新民
艾常涛
何建波
易贤
李鸿建
机构
武汉迪源光电科技有限公司
出处
《现代显示》
2010年第5期196-200,共5页
基金
国家高技术研究发展计划(863计划)新材料技术领域重大项目“半导体照明工程”资助,课题编号:2008AA03A184.
文摘
本研究基于蓝宝石图形衬底(PSS)制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。
关键词
蓝宝石
图形化
衬底
发光二极管
发光效率
Keywords
patterned sapphire substrate
LED
extraction efficiency
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
LED蓝宝石图形化衬底制备工艺研讨
2
作者
蒋准
侯旭鹏
机构
信息产业电子第十一设计研究院科技工程股份有限公司
出处
《科技风》
2013年第7期136-136,共1页
文摘
近年来发展起来的蓝宝石图形化衬底(PSS)技术,不仅能减少生长在蓝宝石衬底上GaN外延材料的位错密度,延长LED使用寿命,还能提高LED芯片的出光效率,从而提高LED发光效率。本文着重介绍了蓝宝石图形化衬底的两种主流制备工艺及其优缺点,并比较了两种不同图形尺寸制备蓝宝石图形衬底的特点及对LED的光输出功率的改善,并展望了图形化衬底技术未来的发展方向。
关键词
LED
GAN
蓝宝石
图形化
衬底
出光效率
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
100Im/W照明用LED大功率芯片的产业化研究
董志江
靳彩霞
杨新民
艾常涛
何建波
易贤
李鸿建
《现代显示》
2010
1
下载PDF
职称材料
2
LED蓝宝石图形化衬底制备工艺研讨
蒋准
侯旭鹏
《科技风》
2013
0
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职称材料
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