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基于自旋阀结构的磁传感器的研究 被引量：3
1
作者 刘鹏 《中国集成电路》 2008年第12期66-69,共4页
自旋阀结构的发现为磁电子学以及磁传感器的研究揭开了新的一页。基于自旋阀结构的磁传感器由于具有灵敏度高、功耗小、高集成度等优点,因此在传感器工业中具有广泛的应用前景。本文介绍了基于自旋阀结构的磁传感器的研究方法。首先介... 自旋阀结构的发现为磁电子学以及磁传感器的研究揭开了新的一页。基于自旋阀结构的磁传感器由于具有灵敏度高、功耗小、高集成度等优点,因此在传感器工业中具有广泛的应用前景。本文介绍了基于自旋阀结构的磁传感器的研究方法。首先介绍了自旋阀结构及其特性,然后介绍了基于自旋阀结构的磁性薄膜的制备方法和结构优化,其次介绍了基于自旋阀薄膜的磁传感器芯片的制造工艺,最后介绍了基于惠斯通电桥结构的自旋阀磁传感器芯片。 展开更多
关键词 自旋阀结构 自旋阀薄膜 自旋阀磁传感器芯片
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Ta/NiO_x/Ni_(81)Fe_(19)/Ta和Co/AlO_x/Co磁性薄膜中原子的化学状态 被引量：2
2
作者 于广华 朱逢吾 柴春林 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第23期1944-1947,共4页
用射频/直流磁控溅射法制备了Ta/NiOX/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜,并利用X射线光电子能谱（XPS）和振动样品磁强计（VSM）研究了Ar/O2比与NiOx化学状态以及Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta薄膜磁性之间的关系.结果表明:当溅射气压为0.57Pa,Ar... 用射频/直流磁控溅射法制备了Ta/NiOX/Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜,并利用X射线光电子能谱（XPS）和振动样品磁强计（VSM）研究了Ar/O2比与NiOx化学状态以及Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta薄膜磁性之间的关系.结果表明:当溅射气压为0.57Pa,Ar/O2为7:1时,制备的NiOx中的x=1,镍为+2价,相应的交换耦合场（Hex）最大;Ar/O2比偏离7:1时,NiOx层中出现单质镍和+3价的镍,相应的Hex也下降,单质镍的出现还会增大该磁性薄膜的矫顽力（Hc）.用XPS还研究了Co/AlOx/Co磁性薄膜中AlOx对Co膜的覆盖状况,Al层将Co膜完全覆盖所需要的最小厚度约1.8nm,采用角分辨XPS方法测出的Al的氧化物为Al2O3,氧化厚度为1.2nm. 展开更多
关键词 交换耦合 Co/AlOx/Co X射线光电子能谱 化学状态 Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta 磁性薄膜 自旋阀结构
原文传递
垂直磁各向异性自旋阀结构中磁性相图
3
作者 王日兴 吴彦 《湖南文理学院学报（自然科学版）》 CAS 2016年第3期26-29,共4页
通过线性展开包含自旋转移矩项的Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,并且使用稳定性分析的方法,建立了垂直磁各向异性自旋阀结构中的磁性相图。研究发现:通过调节外磁场强度的大小以及直流电流密度,可实现磁矩从稳定态到进动态之间的转... 通过线性展开包含自旋转移矩项的Landau-Lifshitz-Gilbert(LLG)方程,并且使用稳定性分析的方法,建立了垂直磁各向异性自旋阀结构中的磁性相图。研究发现:通过调节外磁场强度的大小以及直流电流密度,可实现磁矩从稳定态到进动态之间的转化,以及在不同稳定态之间的翻转。 展开更多
关键词 自旋阀结构 垂直磁各向异性 稳定性分析 自旋转移矩
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