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磁控溅射镀膜技术最新进展及发展趋势预测 被引量：22
1
作者 杨武保 《石油机械》 北大核心 2005年第6期73-76,共4页
磁控溅射技术已经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学及其他各种功能薄膜的重要手段。探讨了磁控溅射技术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控溅射等方面的进步,说明利用新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉... 磁控溅射技术已经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学及其他各种功能薄膜的重要手段。探讨了磁控溅射技术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控溅射等方面的进步,说明利用新型的磁控溅射技术能够实现薄膜的高速沉积、高纯薄膜制备、提高反应溅射沉积薄膜的质量等,并进一步取代电镀等传统表面处理技术。最后呼吁石化行业应大力发展和应用磁控溅射技术。 展开更多
关键词 发展趋势 镀膜技术 磁控溅射技术 预测 脉冲磁控溅射 反应溅射沉积 表面处理技术 非平衡磁场 功能薄膜 薄膜制备 石化行业 耐磨 耐蚀 高纯 电镀
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磁控溅射镀膜技术简述 被引量：13
2
作者 刘瑞鹏 李刘合 《中国青年科技》 2006年第8期56-59,共4页
上世纪80年代开始，磁控溅射技术得到迅猛的发展，其应用领域得到了极大地推广。现在磁控溅射技术已经在镀膜领域占有举足轻重的地位，在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。随着对薄膜质量要求的不断改变，此项技术也将不断地完善和... 上世纪80年代开始，磁控溅射技术得到迅猛的发展，其应用领域得到了极大地推广。现在磁控溅射技术已经在镀膜领域占有举足轻重的地位，在工业生产和科学领域发挥着极大的作用。随着对薄膜质量要求的不断改变，此项技术也将不断地完善和发展下去。本文将向读者介绍磁控溅射技术的发展历程，并详细讨论多靶闭环非平衡磁控溅射、脉冲磁控溅射。高速率磁控溅射及自溅射、可变场磁控溅射等各项技术的特点和应用。 展开更多
关键词 磁控溅射技术 镀膜技术 非平衡磁控溅射 脉冲磁控溅射 工业生产 质量要求 高速率 应用
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脉冲频率对高脉冲磁控溅射Cr/C镀层组织结构和耐蚀性的影响
3
作者 鲁媛媛 吴坤尧 +3 位作者 罗发 杨超群 刘伟锋 曹悦悦 《西安航空学院学报》 2024年第3期44-49,共6页
为研究磁控溅射脉冲频率对镀层组织结构和耐蚀性的影响,以200、300、400、500和600 Hz脉冲频率下制备的Cr/C镀层为对象,采用XRD、SEM、电化学工作站对其相组成、微观组织和耐蚀性进行了表征分析。结果表明:不同脉冲频率下制备的Cr/C镀... 为研究磁控溅射脉冲频率对镀层组织结构和耐蚀性的影响,以200、300、400、500和600 Hz脉冲频率下制备的Cr/C镀层为对象,采用XRD、SEM、电化学工作站对其相组成、微观组织和耐蚀性进行了表征分析。结果表明:不同脉冲频率下制备的Cr/C镀层相组成相同,均为Cr_(7)C_(3);Cr/C镀层的表面形貌均为菜花状颗粒,截面组织均为柱状晶;随着脉冲频率的增加,Cr/C镀层的组织变粗,柱状晶之间的空隙增大,致密性降低,表面粗糙度增加,镀层的厚度增大,镀层的平均沉积速率从18.45 nm·min^(-1)增大到28.08 nm·min^(-1);脉冲频率为500 Hz时镀层的腐蚀电位最高、腐蚀电流最低,腐蚀速率仅为0.00296 mm·a^(-1)。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 脉冲频率 Cr/C镀层 组织结构 耐蚀性
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V_2O_5薄膜的结构和光电性能研究 被引量：5
4
作者 许旻 邱家稳 贺德衍 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2003年第6期373-376,共4页
在O2 /Ar混合气氛中 ,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2 O5薄膜。对所沉积的薄膜进行 4 5 0℃退火。利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性能进行了分析 ,从 2 0 0nm～ 2 5 0 0nm光谱的透射和... 在O2 /Ar混合气氛中 ,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2 O5薄膜。对所沉积的薄膜进行 4 5 0℃退火。利用X射线衍射、原子力显微镜、分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的结构和性能进行了分析 ,从 2 0 0nm～ 2 5 0 0nm光谱的透射和反射测量结果 ,计算出薄膜的吸收系数。结果表明 ,V2 O5薄膜纯度高 ,结晶好 ,高低温电阻变化 2个量级。光学能隙为2 4 6eV。 展开更多
关键词 V2O5薄膜 电性能 吸收系数 脉冲磁控溅射 纯度 光学能隙
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偏压对MPP制备AlTiSiN纳米复合涂层结构及性能的影响 被引量：6
5
作者 贵宾华 周晖 +3 位作者 郑军 马占吉 杨拉毛草 张延帅 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期228-236,275,共10页
目的实现对AlTiSiN纳米复合涂层微观组织结构的调控及力学性能优化。方法利用可调控脉冲磁控溅射技术,通过调控基体偏压(-50^-250 V)制备了不同偏压条件下的AlTiSiN纳米复合涂层。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散... 目的实现对AlTiSiN纳米复合涂层微观组织结构的调控及力学性能优化。方法利用可调控脉冲磁控溅射技术,通过调控基体偏压(-50^-250 V)制备了不同偏压条件下的AlTiSiN纳米复合涂层。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、薄膜综合性能测试仪及球盘摩擦试验仪,测试了涂层的微观组织结构、组成成分、表面形貌、力学性能及摩擦学性能。结果偏压对涂层元素组成影响不大。微观组织结构方面,不同偏压条件下制备AlTiSiN纳米复合涂层的晶面衍射峰宽化现象明显,呈现纳米晶组织结构。-200 V条件下制备的涂层的晶面衍射峰呈“馒头峰”形态,表明涂层结晶性能出现明显下降,呈类非晶组织结构;偏压升至-250 V时,高能离子对涂层生长表面的持续轰击作用,使得涂层生长表面升温明显,导致结晶性能出现明显改善。涂层表面光滑致密,表面粗糙度最低可达1.753 nm。力学性能方面,随基体偏压的升高,涂层硬度在取得最大值后逐渐下降,最高硬度可达25.9 GPa,H/E^*系数可达0.13。摩擦学性能方面,偏压为-200 V时,涂层磨损率取得最小值4.7×10^-15 m^3/(N×m)。结论改变基体偏压,成功实现了涂层微观组织结构的调控生长,进而达到了优化涂层组织结构、力学性能及摩擦学性能的目的。 展开更多
关键词 AlTiSiN纳米复合涂层 脉冲磁控溅射 基体偏压 组织结构 力学性能 摩擦学性能
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不同基底的ITO薄膜制备及其光电性能 被引量：6
6
作者 杨坤 胡志强 +3 位作者 王海权 于洋 张海涛 王志昕 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2014年第2期135-138,共4页
采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间... 采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对不同基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了对比分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺条件对不同基底上制备的ITO薄膜的光透过率和光电性能的影响。结果表明,相同工艺条件下,石英玻璃上ITO薄膜的最佳方块电阻为13.3Ω,可见光透过率为91%;PET上ITO薄膜的最佳方块电阻为15Ω,可见光透过率为85%。二者相比,石英基底上ITO薄膜的光电性能更佳,膜表面的致密度、均匀性更好。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 石英 PET 氧化铟锡薄膜
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PET衬底上ITO薄膜的制备及光电性能 被引量：4
7
作者 杨坤 胡志强 +5 位作者 徐书林 王海权 于洋 刘贵山 姜妍彦 张海涛 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第3期71-76,共6页
用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的物相结构与表面形貌进行... 用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工艺条件对ITO薄膜光电性能的影响,并采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)对薄膜的物相结构与表面形貌进行了分析。结果表明:薄膜的平均晶粒尺寸随衬底温度的升高而增大;当溅射时间增加时,方块电阻与光透过率均减小;当衬底温度升高时,方块电阻减小,可见光透过率增大。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 氧化铟锡薄膜 PET
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FTO上溅射ITO薄膜及光电性能 被引量：4
8
作者 李亚玮 胡志强 徐书林 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2017年第4期279-282,共4页
通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响。采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻,用扫描电镜(SEM)... 通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响。采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。结果表明,随着溅射时间的增加以及衬底温度的升高,以FTO导电薄膜为基底制备的氧化铟锡(ITO)透明导电膜的电阻逐渐减小,而后基本保持不变。在基片温度为400℃、溅射时间为45min时,方块电阻最小值达到1.5Ω。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 透明导电薄膜 氧化铟锡薄膜
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车用316L不锈钢表面脉冲磁控溅射CrAlN涂层组织和摩擦性能分析 被引量：3
9
作者 杨晨 李伟 《热加工工艺》 北大核心 2019年第18期90-94,共5页
采用高功率脉冲与脉冲直流磁控溅射相结合的方法,在车用316L不锈钢表面制备得到CrAlN涂层,分析了各基体偏压状态下CrAlN涂层的化学成分及其组织和性能的变化。结果表明:当基体偏压提高后,涂层的(111)晶面衍射峰发生了小角度偏移的变化... 采用高功率脉冲与脉冲直流磁控溅射相结合的方法,在车用316L不锈钢表面制备得到CrAlN涂层,分析了各基体偏压状态下CrAlN涂层的化学成分及其组织和性能的变化。结果表明:当基体偏压提高后,涂层的(111)晶面衍射峰发生了小角度偏移的变化。随着偏压由0V逐渐增大至-25V时,得到的CrAlN涂层硬度和弹性模量分别升到最大值23.2GPa和228GPa。当基体偏压上升后,涂层厚度发生了先增大再降低的变化现象,最小涂层厚度约1.41μm。并且当偏压增大后CrAlN涂层也达到了更大的内应力,最大值出现于-100V,等于2.52GPa。当基体偏压提高后,得到的CrAlN涂层摩擦系数不断降低,从0.49减小为0.31,在0V下达到了最大的磨损率。可以发现,当基体偏压升高后,涂层的磨损作用降低,并且磨痕宽度也变小。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 CrAlN涂层 力学性能 磨擦性能
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脉冲磁控溅射法制备单斜相氧化铒涂层 被引量：2
10
作者 李新连 吴平 +2 位作者 邱宏 陈森 宋斌斌 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期530-536,共7页
用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78W,93W和124W以及衬底温度分别为室温,500℃及677℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜、纳米压痕、X射线衍射和掠入射X射线衍射法研究了涂层的形貌、力学性能及物相结构.测量了涂层的电学性能... 用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78W,93W和124W以及衬底温度分别为室温,500℃及677℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜、纳米压痕、X射线衍射和掠入射X射线衍射法研究了涂层的形貌、力学性能及物相结构.测量了涂层的电学性能.结果显示,脉冲磁控溅射沉积氧化铒涂层具有较高的沉积速率.实验制备得到了单斜相结构的氧化铒涂层.提高溅射功率时,沉积速率从28nm/min增大至68nm/min,涂层的结晶质量显著下降.提高衬底温度至500℃和677℃时,单斜相衍射峰强度下降.分析认为,较低的衬底温度和较高沉积速率有利于氧化铒涂层形成单斜相结构.涂层的硬度和弹性模量分别为11.9—15.7GPa和179—225GPa.室温至677℃制备的涂层均具有较高的电阻率,为(1.5—3.1)×1012Ω·cm,满足聚变堆包层绝缘涂层的应用要求. 展开更多
关键词 氧化铒 脉冲磁控溅射 单斜晶相
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脉冲磁控溅射MoS2-Ti涂层常温及高温真空摩擦磨损性能 被引量：2
11
作者 周毅 谌继明 +2 位作者 王平怀 但敏 金凡亚 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2020年第2期135-141,共7页
利用脉冲磁控溅射法,以铝青铜合金(C63200)和硅片为基底,制作不同Ti含量的MoS2-Ti复合涂层。通过XRD、SEM、EDS、光学显微镜、多环境摩擦试验机等表征了涂层的结构成分和摩擦性能。结果表明:随Ti含量的增加,涂层致密度提升,S、Mo原子比... 利用脉冲磁控溅射法,以铝青铜合金(C63200)和硅片为基底,制作不同Ti含量的MoS2-Ti复合涂层。通过XRD、SEM、EDS、光学显微镜、多环境摩擦试验机等表征了涂层的结构成分和摩擦性能。结果表明:随Ti含量的增加,涂层致密度提升,S、Mo原子比上升。Ti的掺入使涂层由高度结晶态向非晶态转变。Ti含量增加,涂层摩擦磨损性能先上升再下降,常温真空下含3%Ti的涂层拥有稳定和低至0.015的摩擦系数,23%Ti的涂层失去润滑性。温度升高到400℃,涂层摩擦系数由0.015~0.04上升至0.07~0.1,含13%Ti的涂层高温真空下在800s后润滑失效。磨痕形貌显示,含3%Ti的涂层磨痕最窄,温度升高宽度增加不大,含13%Ti的涂层磨损严重,400℃真空环境下很快磨穿,纯MoS2和13%Ti涂层摩擦时发现大量磨粒和破碎磨屑。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 MoS2-Ti ITER第一壁 低摩擦涂层 高温真空 摩擦磨损性能
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N2流量对刀具硬质合金表面磁控溅射TiAlSiN涂层组织和摩擦性的影响 被引量：2
12
作者 田伟华 张松锋 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期427-431,共5页
运用脉冲直流磁控溅射的方法在刀具硬质合金表面制备TiAlSiN复合涂层,实验测试N2流量对刀具硬质合金表面磁控溅射TiAlSiN涂层组织和摩擦性的影响。研究结果表明:TiAlSiN涂层出现TiSiN和AlN衍射峰。当N2浓度很高时,可以对晶粒生长起到阻... 运用脉冲直流磁控溅射的方法在刀具硬质合金表面制备TiAlSiN复合涂层,实验测试N2流量对刀具硬质合金表面磁控溅射TiAlSiN涂层组织和摩擦性的影响。研究结果表明:TiAlSiN涂层出现TiSiN和AlN衍射峰。当N2浓度很高时,可以对晶粒生长起到阻碍作用,从而获得更加致密的组织结构。当设定较小N2流量时,涂层获得了最高硬度;当N2流量到达100 mL/min时,硬度提高到25.2 GPa,弹性模量保持稳定。随着N2流量的增加,涂层残余应力表现出增加,涂层结合力表现为先增大后减小。随着N2流量的增加,涂层摩擦系数表现出增加,磨损率表现出减小。在N2流量100 mL/min条件下,摩擦系数到达最大值0.55,磨损率到达最小值2.12。设定较低的N2流量,生成许多磨屑,形成犁沟;设定更高的N2流量,表现出更好的耐摩擦磨损性能。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 TiAlSiN涂层 N2流量 摩擦系数 磨损率
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非晶氧化钒薄膜光学性质研究 被引量：1
13
作者 许旻 邱家稳 贺德衍 《真空与低温》 2003年第3期134-137,共4页
在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制... 在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制备的V2O5薄膜为非晶结构,光学能隙为2.46eV。 展开更多
关键词 非晶氧化钒薄膜 光学性质 脉冲磁控溅射 分光光度计 薄膜电池
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脉冲磁控溅射沉积微晶硅薄膜工艺研究 被引量：1
14
作者 梁凤敏 周灵平 +2 位作者 彭坤 朱家俊 李德意 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第22期47-50,共4页
采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和测试,研究了衬底温度、氢气稀释浓度和溅射功率对硅薄膜结构和性能的影响。结果表明:在一定范围内,通过... 采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和测试,研究了衬底温度、氢气稀释浓度和溅射功率对硅薄膜结构和性能的影响。结果表明:在一定范围内,通过控制合适的衬底温度、增大氢气稀释浓度及提高溅射功率,可以制备高质量的微晶硅薄膜。在衬底温度为400℃、氢气稀释浓度为90%及溅射功率为180W的条件下制备的微晶硅薄膜,其晶化率为72.2%,沉积速率为0.48nm/s。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 微晶硅薄膜 结晶性能 沉积速率
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石英基底的ITO薄膜制备及光电性能 被引量：1
15
作者 徐书林 胡志强 +2 位作者 张临安 聂铭歧 张海涛 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期60-63,共4页
采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备... 采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构及表面形貌进行了分析,并且研究了溅射气压、溅射时间和衬底温度等工艺参数条件对以石英玻璃作基底制备的ITO薄膜的光电性能的影响。结果表明,在以石英为基底的氧化铟锡透明导电膜,在气压0.7Pa、溅射功率45 W条件下,基片温度为300℃,溅射时间为45min时,可见光透过率达83%,方块电阻达到5Ω左右。 展开更多
关键词 氧化铟锡薄膜 脉冲磁控溅射 石英
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磁控溅射技术室温生长氢化ZnO：Ga薄膜及其特性研究 被引量：1
16
作者 王斐 陈新亮 +6 位作者 张翅 张德坤 魏长春 黄茜 张晓丹 赵颖 耿新华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1404-1409,共6页
采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入... 采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8×10-4Ω.cm,Hall迁移率达34.2 cm2/V.s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85%。此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 氧化锌 镓掺杂 H2流量 绒面结构
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氧氩比及基底温度对脉冲磁控溅射Cu2O薄膜结构和光学性能的影响 被引量：1
17
作者 自兴发 杨雯 +3 位作者 杨培志 段良飞 张力元 无 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1802-1807,共6页
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底温度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:在O2/Ar为30... 利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O2和Ar流量比(O2/Ar)及基底温度对沉积的Cu2O薄膜结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明:在O2/Ar为30∶80的气氛条件下,基底温度在室温(RT)和100℃时均可获得单相的Cu2O<111>薄膜;薄膜表面致密、颗粒呈球状,粗糙度的均方根(RMS)值随基底温度增加而增大;薄膜的光谱吸收范围为300～650 nm,紫外区吸收较强,可见光区吸收强度较弱,吸收强度隨基底温度的增加而增强,光学带隙(E g)随基底温度的增加而减小。 展开更多
关键词 脉冲磁控溅射 Cu2O薄膜 氧氩比 基底温度 光学特性
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Simulation of Discharge Plasma in Mid-frequency Pulsed DC Magnetron
18
作者 QIU Qingquan QU Fei GU Hongwei ZHANG Guomin DAI Shaotao 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第10期2526-2531,共6页
关键词 放电等离子体 脉冲磁控溅射 脉冲直流 模拟系统 中频 等离子体性能 粒子模型 等离子体密度
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磁控溅射制备内燃机用Ti600合金表面CrN/NbN涂层的性能表征分析
19
作者 张晓晖 姜广君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期337-341,共5页
为了提高内燃机用Ti600合金表面性能,通过脉冲磁控溅射的方式在其表面制备CrN/NbN涂层,分析了涂层组织结构与电压、占空比的关系。研究结果表明:在CrN/NbN涂层内形成了许多柱状外形的组织成分,并且当占空比以及电压提高后,形成了致密度... 为了提高内燃机用Ti600合金表面性能,通过脉冲磁控溅射的方式在其表面制备CrN/NbN涂层,分析了涂层组织结构与电压、占空比的关系。研究结果表明:在CrN/NbN涂层内形成了许多柱状外形的组织成分,并且当占空比以及电压提高后,形成了致密度更大的CrN/NbN涂层。厚度随着占空比和电压的增加表现出明显的增加规律,在占空比10μs和电压400 V时,涂层厚度最大值12μm左右。随着占空比和电压的增加,硬度和弹性模量均表现出单调增加。在占空比10μs和电压400 V时,涂层硬度和弹性模量达到最大值,分别为35.6和31.7 GPa。随着占空比增加,残余应力表现出单调减小;随着电压的增加,残余应力表现出先减小后增加,最小值发生在电压380 V时。各涂层试样都产生了具有完整结构的压痕,没有发生膜与基体剥离的情况。随着占空比和电压进一步增大,在试样的压痕边缘部位产生环状分布的裂纹。 展开更多
关键词 CrN/NbN涂层 脉冲磁控溅射 微观组织 硬度 力学性能
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磁控溅射在PI/石墨烯基体上制备氧化锌薄膜
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作者 刘思宁 周艳文 +4 位作者 沙天怡 齐艳萍 佟欣儒 王羽倩 吴法宇 《辽宁科技大学学报》 CAS 2015年第4期241-246,257,共7页
聚酰亚胺(PI)/石墨烯复合薄膜兼备了可挠曲性及透明、导电性,可作为柔性透明导电电极用于柔性电子器件中。但附着于PI上的石墨烯易划伤,使其导电性变差。本文采用脉冲直流磁控溅射法,以PI/石墨烯为基体,镀制保护石墨烯的氧化锌薄膜。分... 聚酰亚胺(PI)/石墨烯复合薄膜兼备了可挠曲性及透明、导电性,可作为柔性透明导电电极用于柔性电子器件中。但附着于PI上的石墨烯易划伤,使其导电性变差。本文采用脉冲直流磁控溅射法,以PI/石墨烯为基体,镀制保护石墨烯的氧化锌薄膜。分别采用原子力显微镜、X射线衍射仪、台阶仪、霍尔效应仪及紫外-可见分光光度计检测PI/石墨烯/ZnO复合薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜厚度及导电、透光性能。结果表明,PI/石墨烯/ZnO复合薄膜结构致密,氧化锌以(002)为择优取向,最低方阻为1.9×104Ω/sq,略低于石墨烯的方阻,可见光区平均透光率达80%。 展开更多
关键词 PI/石墨烯/ZnO复合薄膜 脉冲磁控溅射 透明导电电极
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