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一种超低功耗能隙源设计及其电源噪声抑制分析 被引量：4
1
作者 李强 韩益锋 +1 位作者 谢文录 闵昊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1474-1478,共5页
对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析 .给出了简单而又有效的频域分析模型 ,并将其电源噪声抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其 SPICE仿真结果进行比较 .在 Charted 0 .35μm CMOS工艺流片实现了这一结构的能隙源 ,实测... 对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析 .给出了简单而又有效的频域分析模型 ,并将其电源噪声抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其 SPICE仿真结果进行比较 .在 Charted 0 .35μm CMOS工艺流片实现了这一结构的能隙源 ,实测最低工作电压为 1.3V,工作电流为 7.8μA,基准电压为 5 0 0 m V,温度系数为 4 0 ppm /℃ ,芯片面积为 0 .0 6 mm2 .最后提出了本结构能隙源提高电源噪声抑制的方法 . 展开更多
关键词 能隙源 超低功耗 电源噪声抑制
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1V电源的CMOS能隙电压基准源 被引量：8
2
作者 盛敬刚 陈志良 石秉学 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期826-829,共4页
采用SMIC0.35μmCMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从室温到100℃的范围内,温度系数不超过3.6×10-5/K.
关键词 低压 能隙基准源 CMOS模拟电路
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一种CMOS能隙电压参考源的温度曲率校正设计
3
作者 薛庆华 周玉梅 《河北工业大学学报》 CAS 2003年第3期5-8,共4页
介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源。电路没有采用运算放大器,从而使设计得到了简化。采用2μmp阱CMOS工艺模型模拟分析,可以发现该参考源在0℃～100℃温度范围内有较好的... 介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源。电路没有采用运算放大器,从而使设计得到了简化。采用2μmp阱CMOS工艺模型模拟分析,可以发现该参考源在0℃～100℃温度范围内有较好的温度特性。 展开更多
关键词 CMOS工艺 能隙电压源 曲率校正 温度系数 硅的带隙电压
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一种输出可调CMOS能隙基准源电路的设计 被引量：1
4
作者 吴玉广 钟国华 +1 位作者 贺荣华 刘道广 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期578-581,共4页
　从分析典型的能隙基准电路的一般原理入手,重点讨论了一种输出可调节的CMOS能隙基准电路的设计。通过增加一些辅助电路,提高了电路的电源抑制比。简单介绍了电路中双极晶体管在CMOS工艺中的实现方法。所设计的电路具有输出可调的功能... 　从分析典型的能隙基准电路的一般原理入手,重点讨论了一种输出可调节的CMOS能隙基准电路的设计。通过增加一些辅助电路,提高了电路的电源抑制比。简单介绍了电路中双极晶体管在CMOS工艺中的实现方法。所设计的电路具有输出可调的功能和良好的温度特性。 展开更多
关键词 能隙基准源 输出可调 CMOS 温度系数 电源抑制比
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典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析
5
作者 李瑞宾 林东生 +4 位作者 陈伟 王桂珍 杨善潮 白小燕 金晓明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期701-704,共4页
分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐... 分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐射后输出电平降至零电平附近,致使稳压器输出降低,并且电平恢复时间与剂量率成对数关系,与理论分析结果一致。 展开更多
关键词 瞬时电离辐射 能隙基准源 集成稳压器
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一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源 被引量：11
6
作者 刘韬 徐志伟 程君侠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期128-131,140,共5页
介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。
关键词 能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 IC
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一种高性能CMOS能隙基准电压源电路设计 被引量：8
7
作者 孟波 邹雪城 孟超 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第8期161-162,166,共3页
文章介绍了一种0.35滋m工艺制作的能隙基准电压源电路。该电路具有高电压抑制比、低温度系数、抗失配的特点。该电路能被广泛的应用到一些精密集成电路中。
关键词 模拟集成电路 数模混合集成电路 O.35μm工艺 高性能CMOS能隙基准电压源电路 电路设计
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一种双极型低压低温漂能隙基准源 被引量：1
8
作者 蒋亚平 刘卫中 《微电子技术》 2003年第6期29-30,共2页
本文详细介绍了一种双极型低压低温漂能隙基准源 ,它可以应用于各种低压集成电路的基准电压部分 。
关键词 温度漂移 双极型低压低温漂能隙基准源 低压集成电路 基准电压
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一种高性能CMOS能隙电压参考源的设计 被引量：5
9
作者 薛庆华 周玉梅 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第10期38-40,共3页
本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好... 本文介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理,设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源.本电路采用温度补偿,从而使设计得到了简化.采用2μ mp阱CMOS工艺模型模拟分析可以发现该参考源在温度0℃～100℃范围内能够有较好的温度特性. 展开更多
关键词 数字电路 模拟电路 温度补偿 CMOS工艺 电流模式 能隙电压参考源 设计
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一种用于高速串行接口电路的偏置产生方法及实现
10
作者 李浩亮 叶会英 徐力平 《郑州大学学报（工学版）》 CAS 2007年第2期68-72,共5页
提出了一种符合USB高速模式的偏置产生方法，针对常规偏置设计方法特点，将偏置电路融合于接口电路本身．介绍了USB高速串行接口电路架构，分析了其中偏置电路的产生机理、设计方法，最后，给出了偏置电路的完整实现，电路前后仿真基于C... 提出了一种符合USB高速模式的偏置产生方法，针对常规偏置设计方法特点，将偏置电路融合于接口电路本身．介绍了USB高速串行接口电路架构，分析了其中偏置电路的产生机理、设计方法，最后，给出了偏置电路的完整实现，电路前后仿真基于Cadence的spectre仿真软件，电路设计和流片基于TSMC的CMOS0．25um混合信号模型，前后仿真实验和流片测试结果表明：基于所设计的偏置，USB高速模式下的发送器、接收器均可正确工作；能隙基准部分在输入电压为2．5V，在-50～70℃范围内，输出电压稳定在1．2337～1.2356V，输出电压变化率为0.154％， 展开更多
关键词 高速串行接口 偏置 能隙基准电压源 发送器 接收器
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