硅中与钼有关能级的研究 被引量：2

1

作者 周洁 卢励吾 +1 位作者 韩志勇 吴汲安 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期8-13,共6页

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术,并通过电子辐照、等时热退火等物理过程,鉴别了Si中与钼有关能级的本质.钼在Si中产生两个主要能级E(0.53)和H(0.36),前者为受主态,后者为施主态,这两个能级都与替位Mo原子有关.

关键词 硅 钼 能级 能级瞬态谱 电子辐照

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ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响 被引量：13

2

作者 刘磁辉 朱俊杰 +4 位作者 林碧霞 陈宇林 彭聪 杨震 傅竹西 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期218-222,共5页

利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 ... 利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 DLTS PL谱 光致发光谱 发光强度 ZnO/p-Si异质结 半导体材料 深能级 氧化锌/磷-硅异质结

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CdS/CdTe薄膜太阳电池的深能级瞬态谱和光致发光研究 被引量：7

3

作者 黎兵 刘才 +9 位作者 冯良桓 张静全 郑家贵 蔡亚平 蔡伟 武莉莉 李卫 雷智 曾广根 夏庚培 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1987-1991,共5页

用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在EV+0.365eV和EV+0.282eV的深中心,它们的浓度分别为1.67×1012cm-3和3.86×... 用深能级瞬态谱和光致发光研究了无背接触层的CdS/CdTe薄膜太阳电池的杂质分布和深能级中心.得到了净掺杂浓度在器件中的分布.确定了两个能级位置分别在EV+0.365eV和EV+0.282eV的深中心,它们的浓度分别为1.67×1012cm-3和3.86×1011cm-2,俘获截面分别为1.43×10-14cm2和1.53×10-16cm2.它们来源于以化学杂质形式存在的Au和(或)TeCd-复合体,或与氩氧气氛下沉积CdTe时的氧原子相关. 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 光致发光 CdS/CdTe太阳电池

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正电子深能级瞬态谱在Ga As缺陷研究中的应用 被引量：4

4

作者 张英杰 邓爱红 +4 位作者 幸浩洋 龙娟娟 喻菁 于鑫翔 程祥 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期586-590,共5页

本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半... 本文介绍的正电子深能级瞬态谱（PDLTS）技术是结合了对固体缺陷有很高灵敏度的正电子湮没谱（PAS）和一些深能级瞬态谱（DLTS）技术而成新的实验方法．该技术能用来研究Ⅲ～Ⅴ，Ⅱ～Ⅵ族等半导体材料的缺陷特征，它的优点不仅能研究半导体材料中缺陷的电学特征而且还能够同时揭示这些电活性缺陷的微观结构信息．本文将介绍砷化镓中EL2缺陷能级的PDLTS研究，运用该技术并结合深能级Arrhenius分析，得到EL2能级值为0．82±0．02eV． 展开更多

关键词 正电子 半导体 深能级瞬态谱(DLTS) 正电子深能级瞬态谱(PDLTS)

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深能级瞬态谱技术在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池辐照损伤微观分析中的应用

5

作者 李盟 艾尔肯·阿不都瓦衣提 +5 位作者 王忠旭 唐光海 张淑艺 王亭保 杨鑫 庄玉 《现代应用物理》 2024年第2期1-17,共17页

首先介绍了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)技术在GaAs,GaInP及多结太阳电池辐照损伤微观分析中的应用,然后对DLTS技术在退火对GaAs,GaInP中主要陷阱的影响中如何发挥作用进行了综述,最后梳理了DLTS、时间分辨荧... 首先介绍了深能级瞬态谱(deep level transient spectroscopy,DLTS)技术在GaAs,GaInP及多结太阳电池辐照损伤微观分析中的应用,然后对DLTS技术在退火对GaAs,GaInP中主要陷阱的影响中如何发挥作用进行了综述,最后梳理了DLTS、时间分辨荧光光谱(time-resolved photoluminescence,TRPL)、光致发光谱(photoluminescence spectroscopy,PL)等测试手段及计算机仿真模拟在后续研究中的应用说明。可为粒子辐照诱发太阳电池缺陷产生及其影响机制的研究提供参考。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 缺陷 辐照损伤 Ⅲ-Ⅴ族太阳电池 损伤机理

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γ辐照对GaP发光二极管深能级和亮度的影响 被引量：4

6

作者 崔连森 《潍坊学院学报》 2004年第2期16-18,共3页

首次应用深能级瞬态谱(DLTS)技术,研究了γ射线辐照Gap红色发光二级管深能和亮度的影响。结果表明,γ射线辐照射后,Gap红色发光二级管中的zn-O对的浓度增大,亮度也提高。

关键词 γ射线 辐照 磷化镓 发光二极管 亮度 DLTS 深能级瞬态谱

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电子辐照对4H-SiC MOS材料缺陷的影响

7

作者 刘帅 熊慧凡 +3 位作者 杨霞 杨德仁 皮孝东 宋立辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第9期1536-1541,共6页

4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下... 4H-SiC金属氧化物半导体(MOS)基器件在电子辐照环境下应用时可能产生新的材料缺陷,导致其电学性能发生退化。本文选取结构最简单的MOS基器件(4H-SiC MOS电容器)为对象,研究了一系列电子辐照剂量下材料缺陷的演变情况。在10 MeV电子束下对MOS样品进行30、50、100、500、1 000 kGy剂量的辐照,对辐照前、后样品进行深能级瞬态谱测试(DLTS)和电容-电压(C-V)曲线表征。DLTS实验结果表明,低剂量电子辐照前、后4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处的缺陷没有发生明显变化,而高剂量辐照导致双碳间隙原子缺陷的构型发生了改变,演变后的构型能级位置更深,化学结构更加稳定。C-V曲线测试结果发现,不同电子辐照剂量导致MOS电容器平带电压发生不同程度的负向漂移,这很可能是SiO_(2)氧化层中氧空位数量和4H-SiC/SiO_(2)界面及近界面处缺陷数量共同影响的结果。本文研究结果对研发和优化抗电子辐照的4H-SiC MOS制备工艺具有一定的参考价值。 展开更多

关键词 4H-SiC MOS 电子辐照 缺陷变化 双碳间隙原子 深能级瞬态谱

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不同温度下制备的CdTe薄膜对太阳电池光电性能的影响 被引量：4

8

作者 李愿杰 郑家贵 +8 位作者 冯良桓 黎兵 曾广根 蔡亚平 张静全 李卫 雷智 武莉莉 蔡伟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期625-629,共5页

在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了CdTe多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的CdTe薄膜对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄... 在不同温度下用近空间升华法(CSS)制备了CdTe多晶薄膜,结合I-V,C-V特性及深能级瞬态谱研究了不同温度制备的CdTe薄膜对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,制备温度对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.在此研究基础上制备出了面积为300mm×400mm,组件转换效率为8.2%的大面积CdTe太阳电池. 展开更多

关键词 制备温度 CDTE薄膜 深能级瞬态谱(DLTS) CdS/CdTe太阳电池

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高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷 被引量：1

9

作者 董志远 赵有文 +2 位作者 曾一平 段满龙 李晋闽 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2004年第5期510-515,共6页

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的... 用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64eV两个缺陷,而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24,0.42,0.54和0.64eV4个缺陷,退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64eV两个缺陷,有的只有0.13eV一个缺陷.根据这些结果,讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理. 展开更多

关键词 高温退火处理 磷化铟 深能级缺陷 退火气氛 半导体材料 深能级瞬态谱

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深能级瞬态谱技术 被引量：3

10

作者 黄波 《半导体技术》 CAS 1985年第2期44-46,39,共4页

深能级,是指半导体中远离导带底或价带顶的杂质能级或缺陷能级.深能级的存在对半导体的电学、热学和光学性质有很大影响.有很多半导体器件,其性能直接与深能级的存在有关.如发光二极管的发光颜色和亮度,开关晶体管的开关速度,CCD器件的... 深能级,是指半导体中远离导带底或价带顶的杂质能级或缺陷能级.深能级的存在对半导体的电学、热学和光学性质有很大影响.有很多半导体器件,其性能直接与深能级的存在有关.如发光二极管的发光颜色和亮度,开关晶体管的开关速度,CCD器件的电荷转移效率等都受到深能级杂质的类别和浓度的影响.因此,检测和研究半导体中的深能级,在理论上和器件生产上都有重要意义. 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 电子 轻子 空间电荷区 能级 DLTS 反向偏置电压

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纳米金刚石薄膜紫外探测器研究 被引量：3

11

作者 王兰喜 陈学康 +4 位作者 王云飞 郭晚土 吴敢 曹生珠 尚凯文 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第S1期16-20,共5页

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,制备了高表面光洁度(其表面的高度标准偏差约为8.6nm)的纳米金刚石薄膜,在其表面上制作了共平面MSM结构的紫外探测器。电荷-深能级瞬态谱(Q-DLTS)测试表明,纳米金刚石薄膜的带隙中引入了一个能... 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,制备了高表面光洁度(其表面的高度标准偏差约为8.6nm)的纳米金刚石薄膜,在其表面上制作了共平面MSM结构的紫外探测器。电荷-深能级瞬态谱(Q-DLTS)测试表明,纳米金刚石薄膜的带隙中引入了一个能级,能级激活能E_a=0.134eV,俘获截面σ_s=2.81×10^(-22)cm^2,能级密度N_I～10^(12)cm^(-2)。利用脉冲氙灯作为光源对器件的紫外探测性能进行了测试,器件在10V偏压下的脉冲光电流峰值可达9μA,光电流的响应时间为ms量级。分析得出,纳米金刚石薄膜中存在的这个浅能级,由于其低的激活能和小的俘获截面起到非平衡载流子的陷阱作用,导致紫外探测器具有较慢的响应速度和较高的光电流。 展开更多

关键词 纳米金刚石薄膜 紫外探测器 粗糙度 深能级 电荷-深能级瞬态谱

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GaAs／Si／AlAs异质结的DLTS实验研究 被引量：2

12

作者 李永平 田强 牛智川 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期923-926,共4页

利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分... 利用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了Si夹层和GaAs层不同生长温度对GaAs／AlAs异质结晶体 品质的影响。发现Si夹层的引入并没有引起明显深能级缺陷,而不同温度下生长的GaAs／Si／AlAs异质结随着 温度的降低,深能级缺陷明显增加,并进行了分析,得到深能级是由Ga空位引起的,在600℃时生长的晶体 质量最佳。 展开更多

关键词 光电子学 深能级瞬态谱 深能级缺陷 Si夹层 GaAs/AlAs异质结

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NiO/Ga_(2)O_(3) p+-n异质结功率二极管中陷阱介导双极型电荷输运研究 被引量：1

13

作者 汪正鹏 巩贺贺 +7 位作者 郁鑫鑫 纪晓丽 任芳芳 杨燚 顾书林 郑有炓 张荣 叶建东 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第3期1157-1164,共8页

构筑NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结是克服Ga_(2)O_(3)p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、... 构筑NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结是克服Ga_(2)O_(3)p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、俘获和复合动力学之间的内在关联特性.变温电流-电压特性的量化分析表明,在正偏亚阈值区,陷阱辅助隧穿占据主导地位,符合多数载流子陷阱介导的Shockley-Read-Hall复合模型,其陷阱激活能为0.64 eV,与深能级瞬态谱测试的陷阱能级位置(EC-0.67 eV)非常吻合;当正向偏压大于器件开启电压时,器件输运特性由少数载流子扩散所主导,器件理想因子接近于1.在反向偏置的高场作用下,器件漏电机制则由β-Ga_(2)O_(3)体材料中的陷阱引起的PooleFrenkel(PF)发射所导致.PF发射的势垒高度为0.75 eV,与等温变频深能级瞬态谱测得的陷阱能级位置(EC-0.75 eV)相一致.这一工作有助于建立NiO/Ga_(2)O_(3)p+-n异质结中双极型电荷输运和深能级缺陷行为间的内在关联,对理解和发展Ga_(2)O_(3)双极型功率整流器件具有重要的参考价值. 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 双极型 功率电子器件 电荷输运 功率二极管 载流子输运 开启电压 亚阈值区

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GaN基光发射二极管中深能级研究 被引量：1

14

作者 毕朝霞 张荣 +4 位作者 邓娜 顾书林 沈波 施毅 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期371-374,共4页

利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 ... 利用深能级瞬态谱 (DLTS)仪对 Si C衬底上 Ga N基光发射二极管 (LED)中 n-In0 .2 5Ga0 .75N层的深能级进行了研究。在 77K到 3 0 0 K的温度扫描范围内只测量到一个 DLTS峰。该 DLTS峰在反向偏压为 3 V时有一极大值 ,说明 n-In0 .2 5Ga0 .75N层此时全部被耗尽。改变测量的率窗 ,得到该深能级在导带下 0 .2 4e V处 ,浓度为 2 .2 % ND,俘获截面为 1 .93× 1 0 - 1 5cm2。在 Ga N材料中 ,其他小组也报道了此位置上的深能级结果。结合文中的工作 ,该深能级可能和 n-In0 .2 5Ga0 .75N层中的线位错有关。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 光发射二级管 铟镓氮

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掺铂和电子辐照对快恢复二极管性能的影响 被引量：2

15

作者 赵豹 贾云鹏 +4 位作者 吴郁 胡冬青 周璇 李哲 谭健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期37-41,共5页

寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在... 寿命控制技术是现在广泛使用的方法,该方法旨在减少快恢复二极管(FRD)基区载流子寿命从而实现更小的反向恢复时间,同时不可避免地引起其他性能的变化。通过高能电子辐照和扩铂对1 200 V FRD进行了寿命控制,并对铂扩散和电子辐照样品在正向压降温度特性、静态和反向恢复特性等方面进行了对比分析,发现铂扩散样品随扩铂温度的增加,其击穿电压变大;高能电子辐照器件呈现电压正温度系数,其正向压降和反向恢复时间(VF-trr)折中曲线更靠近原点。实验结果表明,高能电子辐照样品具有更好的温度系数、更好的VF-trr折中特性,然而反向电流在125℃却高达约210μA。 展开更多

关键词 寿命控制 扩铂 电子辐照 快恢复二极管(FRD) 深能级瞬态谱(DLTS)

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基于深能级瞬态谱的深能级中心的仿真 被引量：1

16

作者 陆绮荣 黄彬 +1 位作者 韦艳冰 高冬美 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2011年第A01期159-162,共4页

介绍了深能级瞬态谱(DLTS)的基本原理,作了n型样品的深能级瞬态谱的计算。描述了DLTS信号的仿真方法,对n型6H-SiC中的一个深能级陷阱中心用Labview进行了仿真实验,探讨了率窗值等各参数对DLTS信号形状的影响。仿真结果表明,DLTS峰值温... 介绍了深能级瞬态谱(DLTS)的基本原理,作了n型样品的深能级瞬态谱的计算。描述了DLTS信号的仿真方法,对n型6H-SiC中的一个深能级陷阱中心用Labview进行了仿真实验,探讨了率窗值等各参数对DLTS信号形状的影响。仿真结果表明,DLTS峰值温度及半宽度随着所有的参数改变而变化,但峰值的高度只与率窗值的选择有关。 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 率窗 深能级 陷阱中心 仿真

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高阻In掺杂CdZnTe晶体缺陷能级的研究 被引量：1

17

作者 李刚 桑文斌 +4 位作者 闵嘉华 钱永彪 施朱斌 戴灵恩 赵岳 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期1049-1053,共5页

利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占... 利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于E_c-18meV的替代浅施主缺陷[In_(Cd)^+],同时[In_(Cd)^+]还与[V_(Cd)^(2-)]形成了能级位于E_v+163meV的复合缺陷[(In_(Cd)^+-V_(Cd)^(2-))^-].DLTS分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Te_(Cd)]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果. 展开更多

关键词 碲锌镉 低温PL 深能级瞬态谱 缺陷能级

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用DLTS和ODLTS技术研究ZnSe晶体中与Ga有关的深能级

18

作者 彭星国 黄波 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1989年第2期105-110,共6页

本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能... 本文应用深能级瞬态谱(DLTS)和光深能级瞬态谱(ODLTS)技术研究了掺Ga的ZnSe晶体中的深能级.发现ZnSe:Ga晶体中有一个与Ga有关的施主能级位于导带底下0.17eV处,两个与Ga有关的受主能级分别位于价带顶上0.65eV和0.72eV处.文中还对这些能级的起源进行了讨论. 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 光深能级瞬态谱 锌空位 络合体 自激活中心

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Si夹层对GaAs／AlAs异质结的影响 被引量：1

19

作者 李永平 刘杰 +1 位作者 姜永超 田强 《山东大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期40-42,48,共4页

用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了... 用MBE生长了GaAs/Si/AlAs异质结及其对比样,通过深能级瞬态谱技术(DLTS)和X射线光电子谱测量(XPS)研究了Si夹层的引入对异质结的影响,研究发现Si夹层的引入不会引起明显的深能级缺陷,异质结仍保持较好的质量,但使GaAs/AlAs的带阶发生了改变。 展开更多

关键词 GaAs/AlAs异质结 Si夹层 X射线光电子谱测量 深能级瞬态谱测量

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CdTe太阳电池中起因于Cu的深能级

20

作者 郑旭 黎兵 +9 位作者 王钊 张东廷 冯良桓 张静全 蔡亚平 郑家贵 武莉莉 李卫 雷智 曾广根 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期2783-2788,共6页

在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心.本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心.研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出Td场... 在CdTe太阳电池中,易引入并形成Cu深能级中心.本文采用深能级瞬态谱测试法研究了ZnTe背接触和石墨背接触CdTe太阳电池的部分深能级中心.研究中运用密度泛函相关理论,分析闪锌矿结构CdTe,Cd空位体系和掺Cu体系的电子态密度,计算得出Td场和C3v场下Cu2+d轨道的分裂情况.计算结果表明,CdTe太阳电池中的Ev+0.206eV和Ev+0.122eV两个深中心来源于Cu替代Cd原子.计算结果还表明,掺入Cu可降低CdTe体系能量. 展开更多

关键词 深能级瞬态谱 第一性原理 CDTE Cu杂质

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