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SiC电力电子器件金属接触研究现状与进展 被引量：3
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作者 黄玲琴 朱靖 +4 位作者 马跃 梁庭 雷程 李永伟 谷晓钢 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第20期257-264,共8页
碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异性能,在高温、高频、大功率、低功耗器件领域具有广阔的应用前景,因此,高效节能的SiC电力电子器件研究备受关注.然而,阻碍SiC器件发展应用的一个重要瓶颈是高性能的金属接... 碳化硅(SiC)半导体具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率等优异性能,在高温、高频、大功率、低功耗器件领域具有广阔的应用前景,因此,高效节能的SiC电力电子器件研究备受关注.然而,阻碍SiC器件发展应用的一个重要瓶颈是高性能的金属接触制备困难.本文通过对比分析SiC器件欧姆接触和肖特基接触制备的研究现状,揭示了金属/SiC接触界面特性复杂,肖特基势垒不可控等关键问题;对金属/SiC接触势垒及界面态性质的研究现状进行分析,强调了对界面势垒进行有效调控的重要意义;重点分析了近年来金属/SiC接触界面调控技术方面的重要进展,同时,对金属/SiC接触界面态本质及界面调控技术研究未来发展的方向进行了展望. 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 欧姆接触 肖特基接触 肖特基势垒调控
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