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稀土掺杂Ba(0.6)Sr(0.4)TiO3薄膜的介电及发光性能 被引量:5
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作者 余岛 刘茜 刘庆峰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第4期695-699,共5页
以钛酸锶钡和稀土氧化物粉末靶为靶材,用离子束溅射法在MgO(100)和Si(100)基片上组合制备了不同掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4TiO3∶Re(BST∶Re)薄膜样品阵列.沉积得到的多层无定形薄膜经低温扩散、高温晶化,形成BST∶Re多晶薄膜.以扫描近场微... 以钛酸锶钡和稀土氧化物粉末靶为靶材,用离子束溅射法在MgO(100)和Si(100)基片上组合制备了不同掺杂浓度的Ba0.6Sr0.4TiO3∶Re(BST∶Re)薄膜样品阵列.沉积得到的多层无定形薄膜经低温扩散、高温晶化,形成BST∶Re多晶薄膜.以扫描近场微波显微镜测定BST∶Re/MgO(Re=Er,Eu,Pr/Al)样品的介电常数,研究掺杂种类及掺杂浓度对BST薄膜介电常数的影响.结果表明,稀土离子的适量掺杂使BST薄膜介电常数有所提高,其中,Er3+和Eu3+的最佳掺杂浓度分别为4.5%及5.7%(原子分数)左右时,介电常数值达到最高.而共掺杂Pr3+和Al3+的样品则在n(AL)∶n(Pr)为4-8之间介电性能最佳.另外,测量了BST∶Re/Si(Re=Er,Eu)样品的光致发光谱,发现Er3+和Eu3+在BST薄膜样品中的发光猝灭浓度分别为4.20%和8.95%(原子分数). 展开更多
关键词 钛酸锶钡 稀土掺杂 介电 发光 组合材料芯片
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二元组合材料芯片电化学性能的高通量表征 被引量:1
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作者 林玉彤 杨杨 +3 位作者 庞晓露 乔利杰 宿彦京 高克玮 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期561-570,共10页
尝试了利用丝束电极方法(wire beam electrode,WBE)对Cu-Cr,Ni-Cr系二元成分连续分布组合材料芯片的腐蚀电位、电偶电流密度等电化学性能进行了高通量测试和表征,并与常规电化学方法(交流(AC)阻抗、电偶腐蚀实验)的结果进行了对比。丝... 尝试了利用丝束电极方法(wire beam electrode,WBE)对Cu-Cr,Ni-Cr系二元成分连续分布组合材料芯片的腐蚀电位、电偶电流密度等电化学性能进行了高通量测试和表征,并与常规电化学方法(交流(AC)阻抗、电偶腐蚀实验)的结果进行了对比。丝束电极方法测试二元组合材料芯片的结果表明,对于Cu-Cr系二元组合材料芯片而言,随着组合材料芯片中Cr含量的不断增加,腐蚀电位不断正移,电偶电流密度不断减小,耐蚀性能增强;对于Ni-Cr系二元组合材料芯片而言,随着组合材料芯片中Cr含量的不断增加,腐蚀电位不断正移,耐蚀性能增强。同时,电偶电流密度也随着Cr含量的增加而增大,这主要与Cr含量较高的芯片区域中出现第二相有关。丝束电极方法在100 s内就完成了对二元组合材料芯片的高通量电化学测量,且与常规电化学方法测试的结果一致,证明了丝束电极方法作为一种新的高通量电化学表征方法具有可行性。 展开更多
关键词 组合材料芯片 高通量电化学表征 丝束电极
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Individualized Pixel Synthesis and Characterization of Combinatorial Materials Chips 被引量:7
3
作者 Xiao-Dong Xiang Gang Wang +2 位作者 Xiaokun Zhang Yong Xiang Hong Wang 《Engineering》 SCIE EI 2015年第2期225-233,共9页
Conventionally, an experimentally determined phase diagram requires studies of phase formation at a range of temperatures for each composition, which takes years of effort from multiple research groups. Combinatorial ... Conventionally, an experimentally determined phase diagram requires studies of phase formation at a range of temperatures for each composition, which takes years of effort from multiple research groups. Combinatorial materials chip technology, featuring high-throughput synthesis and characterization, is able to determine the phase diagram of an entire composition spread of a binary or ternary system at a single temperature on one materials library, which, though significantly increasing efficiency, still requires many libraries processed at a series of temperatures in order to complete a phase diagram. In this paper, we propose a "one-chip method" to construct a complete phase diagram by individually synthesizing each pixel step by step with a progressive pulse of energy to heat at different temperatures while monitoring the phase evolution on the pixel in situ in real time. Repeating this process pixel by pixel throughout the whole chip allows the entire binary or ternary phase diagram to be mapped on one chip in a single experiment. The feasibility of this methodology is demonstrated in a study of a Ge-Sb-Te ternary alloy system, on which the amorphouscrystalline phase boundary is determined. 展开更多
关键词 combinatorial materials chip phase diagram pixel synthesis in-situ characterization phase-boundary determination
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Ti对Zn-Al合金薄膜耐腐蚀性能的影响 被引量:6
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作者 张静玉 刘庆峰 刘茜 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1166-1170,共5页
应用组合材料芯片技术,以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜(Al和Zn质量分数分别为55%和45%)样品阵列.沉积得到的多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成合金薄膜.以电化学方法测定合金薄膜在浓度(质量分数)为3.5... 应用组合材料芯片技术,以离子束溅射法在低碳钢基片上制备了不同Ti掺杂量的Zn-Al-Ti薄膜(Al和Zn质量分数分别为55%和45%)样品阵列.沉积得到的多层薄膜经低温扩散和高温晶化形成合金薄膜.以电化学方法测定合金薄膜在浓度(质量分数)为3.5%的中性NaCl水溶液中的耐蚀性能,并进一步研究了优选出的组分的耐蚀性.结果表明,Ti的适量掺杂可使合金薄膜的耐蚀性能明显提高.其中,Ti的质量分数在6%左右时耐蚀性能最佳.采用XRD及SEM对6%Ti的合金薄膜的相结构和表面形貌进行了表征,并与未掺杂Ti的薄膜进行了比较.此外,分析了Zn-Al-6%Ti合金薄膜的腐蚀机理,为进一步优化薄膜体系提供了依据. 展开更多
关键词 Ti掺杂 Zn-Al合金薄膜 耐腐蚀 组合材料芯片技术
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Gd_(1-x)AlO_3:Eu_x^(3+)梯度材料芯片制备及发光性能 被引量:5
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作者 罗岚 刘庆峰 刘茜 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1310-1313,共4页
将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3:Eux3+(发光峰主峰位置为615nm,对应Eu5D0→7F2电子跃迁)的激活剂掺杂量优化。获得如下的研究结果:在紫外激发下(254nm)Gd1-xAlO3:Eux材料中的x值为0.09;Pr共掺杂时会降低发... 将组合材料芯片技术中梯度组合法应用于新型发光材料Gd1-xAlO3:Eux3+(发光峰主峰位置为615nm,对应Eu5D0→7F2电子跃迁)的激活剂掺杂量优化。获得如下的研究结果:在紫外激发下(254nm)Gd1-xAlO3:Eux材料中的x值为0.09;Pr共掺杂时会降低发光强度(n(Pr):n(Eu)<1:10)。光谱分析表明:Pr,Eu间声子支持的共振能量传递,是Pr降低Gd1-xAlO3:Eux3+(简写为:GAP:Eu)发光强度的主要原因。优化的结果与柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体掺杂量优化实验结果一致。实验结果表明组合法在发光材料开发中具有高效性。 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 铝酸钆 发光材料 柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法 共振能量传递
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组合材料芯片技术应用最新进展——新型合金材料的快速发现和优选 被引量:4
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作者 刘茜 陈伟 +3 位作者 刘庆峰 归林华 朱丽慧 王利 《科技导报》 CAS CSCD 2007年第23期64-68,共5页
综述了国内外在组合材料芯片技术研究和应用领域的最新进展。近年来,随着微小样品的结构和成分检测系统、纳米压痕测试系统等的发展,先进组合材料芯片技术在合金材料研究领域的应用日益深入,包括精细相图研究、合金的力学/磁学/耐蚀性... 综述了国内外在组合材料芯片技术研究和应用领域的最新进展。近年来,随着微小样品的结构和成分检测系统、纳米压痕测试系统等的发展,先进组合材料芯片技术在合金材料研究领域的应用日益深入,包括精细相图研究、合金的力学/磁学/耐蚀性能等研究,充分展示了组合方法在新型合金材料研发进程中所表现的快速和高效双重特点。 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 合金材料 相图研究 力学性能 耐蚀性
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耐蚀锌基合金镀层的研究现状和趋势 被引量:2
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作者 张静玉 刘庆峰 刘茜 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期644-648,共5页
本文围绕提高金属镀层的耐蚀性能,综述了目前热点研究的耐蚀性能优异的Zn基合金镀层及其国际最新研究进展和发展趋势。内容包括:组分的优选,制备工艺的优化,新型制备方法的尝试及对镀层耐蚀机理的分析。此外还介绍了本课题组近几年来使... 本文围绕提高金属镀层的耐蚀性能,综述了目前热点研究的耐蚀性能优异的Zn基合金镀层及其国际最新研究进展和发展趋势。内容包括:组分的优选,制备工艺的优化,新型制备方法的尝试及对镀层耐蚀机理的分析。此外还介绍了本课题组近几年来使用组合材料芯片技术快速制备和筛选Zn基耐蚀合金镀层所取得的成果。本文还展望了Zn基耐蚀合金镀层的未来研究发展方向。 展开更多
关键词 锌基合金 镀层 耐蚀性能 组合材料芯片技术
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组合材料芯片技术及其在金属材料研究中的应用 被引量:2
8
作者 朱丽慧 朱硕金 +2 位作者 刘茜 刘庆峰 王利 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期1-4,共4页
介绍了一种快速发现和优化新材料的方法——组合材料芯片技术,并举例说明了其在金属材料研究领域中的应用;同时分析了该方法的先进性和局限性以及应用到金属材料时要解决的主要问题。
关键词 组合材料芯片技术 金属材料 应用
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组合材料芯片技术在Zn-Al合金镀层组分优选中的应用 被引量:2
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作者 朱丽慧 朱烁金 +2 位作者 刘茜 刘庆峰 王利 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期492-497,共6页
组合材料芯片技术是材料研究的一种全新方法,能够高效、快速地筛选、优化新材料.按照组合材料芯片技术筛选结果,具有良好力学和耐蚀性能的Zn—Al合金中Al含量应控制在50%~75%,其中Al含量为72.6%时性能最佳.选择纯锌、55Al-Zn... 组合材料芯片技术是材料研究的一种全新方法,能够高效、快速地筛选、优化新材料.按照组合材料芯片技术筛选结果,具有良好力学和耐蚀性能的Zn—Al合金中Al含量应控制在50%~75%,其中Al含量为72.6%时性能最佳.选择纯锌、55Al-Zn和72Al-Zn三种组分进行热浸镀和耐蚀性比较及机理研究.结果表明,72Al-Zn合金的耐蚀性稍优于55Al-Zn,都明显优于纯锌.这与组合材料芯片技术筛选结果一致,表明该组合材料芯片技术在优选Zn—Al耐蚀合金镀层组分方面是可靠的. 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 热浸镀锌 耐蚀性
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Gd_(1-x)Al_yO_z:Eu_x梯度组合芯片的组织结构和发光性能 被引量:2
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作者 罗岚 熊志华 +1 位作者 周耐根 周浪 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1260-1264,共5页
将组合材料芯片技术用于Gd1-xAlyOz:Eux荧光材料的研究。通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制备Gd1-xAlyOz:Eux梯度组合材料芯片。通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸... 将组合材料芯片技术用于Gd1-xAlyOz:Eux荧光材料的研究。通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制备Gd1-xAlyOz:Eux梯度组合材料芯片。通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-Al2O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成。紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAlyOz:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5D0–7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相。材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致。 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 钆铝酸盐 发光 离子束溅射
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耐蚀Zn-Al合金材料的组合材料芯片方法优选 被引量:2
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作者 霍伟亮 刘庆峰 +2 位作者 刘茜 朱丽慧 王利 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1703-1708,共6页
应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.... 应用组合材料芯片方法,通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列.沉积得到的多层薄膜经370℃扩散处理2h形成合金薄膜.通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征.结果显示,在低温退火后,合金薄膜成分均匀,结晶良好,表面致密.材料芯片上的样品在0.1mol·L-1氯化钠溶液中的极化电阻测试结果表明,对于全组分的Zn-Al合金薄膜,Al摩尔分数在87%附近的成分具有最高的极化电阻值.进一步的实验发现,在83%-86%这一较宽的摩尔分数区间内,极化电阻值均保持在105Ω·cm-2以上,比传统热镀锌镀层的极化电阻高1个数量级. 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 锌铝合金薄膜 耐腐蚀性能 离子束溅射
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Gd_(3(1-x))Al_5O_(12)∶RE_(3X)分立材料芯片制备及发光性能研究 被引量:1
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作者 罗岚 刘庆峰 刘茜 《感光科学与光化学》 EI CAS CSCD 2005年第6期447-452,共6页
将组合材料芯片技术中四元组合法应用于新型发光材料Gd3(1-x)Al5O12∶RE3X的RE激活剂和敏化剂种类优选.由Gd3Al5O12基体材料芯片获得如下的研究结果:1)在紫外激发下(254 nm)Gd3(1-x)Al5O3∶Eu3x材料具有红色荧光性能;2)Pr(n(Pr)∶n(Eu)&... 将组合材料芯片技术中四元组合法应用于新型发光材料Gd3(1-x)Al5O12∶RE3X的RE激活剂和敏化剂种类优选.由Gd3Al5O12基体材料芯片获得如下的研究结果:1)在紫外激发下(254 nm)Gd3(1-x)Al5O3∶Eu3x材料具有红色荧光性能;2)Pr(n(Pr)∶n(Eu)<1∶10)、Ce(n(Ce)∶n(Eu)<1∶10)共掺杂时会降低发光强度.光谱分析表明:Pr、Ce能级嵌入,使得激活剂和敏化剂发生共振能量传递,是Gd3Al5O12∶Eu(简称为GAG∶Eu)发光效率降低的主要原因.筛选结果得到柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法制备粉体筛选实验结果验证.实验结果表明组合法在发光材料开发上具有高效性. 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 铝酸钆 发光材料 柠檬酸盐硝酸盐溶胶凝胶法 共振能量传递
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组合材料芯片技术应用及Zn-Al合金镀层材料优选
13
作者 刘茜 陈伟 +3 位作者 刘庆峰 归林华 朱丽慧 王利 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期10-16,共7页
基于组合材料芯片技术原理,通过离子束溅射方法,在低碳钢基片上快速制备了全组份范围的二元Zn-Al薄膜材料样品库,研究了不同热处理条件对薄膜组份互扩散过程的影响.使用XRD及EDS等手段表征薄膜的成分和结构,并采用原子力显微镜和透射电... 基于组合材料芯片技术原理,通过离子束溅射方法,在低碳钢基片上快速制备了全组份范围的二元Zn-Al薄膜材料样品库,研究了不同热处理条件对薄膜组份互扩散过程的影响.使用XRD及EDS等手段表征薄膜的成分和结构,并采用原子力显微镜和透射电子显微镜观察形貌;使用纳米压痕仪测试材料芯片样品的压痕硬度和弹性模量;使用电化学方法测试平衡电位和极化电阻.在获得薄膜材料样品组成-结构-性能(力学性能和耐腐蚀性能)关联特性的基础上,对具有良好力学性能和耐腐蚀性能的二元Zn-Al合金镀层材料提出了成分设计和优化方案,即选择兼具良好力学性能和耐蚀性能的Al-Zn镀层材料,成分配比应控制为约30at%Zn含量. 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 Zn-Al合金薄膜 力学性能 耐腐蚀性能
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组合材料芯片技术在钛合金研究中的应用
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作者 秦冬阳 卢亚锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期94-97,102,共5页
综述了组合材料芯片技术在钛合金研究中应用的新进展。利用组合材料芯片技术在短周期内制备出合金元素梯度变化的多元钛合金样品,由于样品的加工状态和热处理条件相同,可以确定某种合金元素含量与整个钛合金体系组织和力学性能的定量关... 综述了组合材料芯片技术在钛合金研究中应用的新进展。利用组合材料芯片技术在短周期内制备出合金元素梯度变化的多元钛合金样品,由于样品的加工状态和热处理条件相同,可以确定某种合金元素含量与整个钛合金体系组织和力学性能的定量关系。利用多种表征手段,从样品库中系统地分析组织和力学性能的变化规律并筛选出目标成分,显示出组合材料芯片技术在钛合金相变研究和合金设计中的优势。 展开更多
关键词 组合材料芯片技术 钛合金 相变 组织与力学性能
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国内科技期刊亮点
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《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期15-15,共1页
开沟起垄式水稻精量穴直播机研制成功;组合材料芯片技术优化Zn—Al合金镀层材料;经典1型糖尿病患者存在胰岛素抵抗;汶川大地震对生态系统影响的研究获新成果;
关键词 科技期刊 组合材料芯片技术 国内 胰岛素抵抗 开沟起垄 镀层材料 AL合金 生态系统
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