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间歇供N_2闭炉的纯氮离子渗氮工艺
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作者 钟厉 韩西 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期22-25,共4页
基于纯N2 离解产生活性氮原子能量条件的基本理论和纯氮离子渗氮模型 ,研究了间歇供N2 闭炉纯氮离子渗氮新工艺以实现纯氮代替氨或氮 氢的离子渗氮。通过对渗氮层显微组织、相组成和硬度梯度的测定与分析 ,对纯氮离子渗氮工艺中N2 分... 基于纯N2 离解产生活性氮原子能量条件的基本理论和纯氮离子渗氮模型 ,研究了间歇供N2 闭炉纯氮离子渗氮新工艺以实现纯氮代替氨或氮 氢的离子渗氮。通过对渗氮层显微组织、相组成和硬度梯度的测定与分析 ,对纯氮离子渗氮工艺中N2 分子临界离解能进行了理论计算和试验验证。结果表明 ,纯氮离子渗氮存在电压门槛值 ,只有在 70 0V左右的高电压下 ,并且采用间歇供N2 闭炉方式进行离子渗氮 ,才能产生明显的渗氮效果。在相同的渗氮时间里 ,间歇供N2 闭炉的纯氮离子渗氮可获得比常规纯氨离子渗氮更好的渗氮效果. 展开更多
关键词 离子渗氮工艺 间歇供 闭炉 活性原子
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