儿童穿通型毛母质瘤四例 被引量：6

1

作者 韩晓锋 张立新 +1 位作者 徐教生 马琳 《实用皮肤病学杂志》 2015年第3期234-235,237,共3页

毛母质瘤又称Malherbe钙化上皮瘤，首先由Malherbe和Chenantais于1880年报道[1]。临床上偶可见到穿通型毛母质瘤、水疱型毛母质瘤及巨大型毛母质瘤等罕见类型[2]。我科自2012—2014年共收治4例穿通型毛母质瘤患儿，现报告如下。

关键词 毛母质瘤 穿通型 儿童

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高灵敏度穿通型异质结光电晶体管 被引量：4

2

作者 李国辉 韩德俊 +4 位作者 韩卫 姬成周 朱恩均 周均铭 黄绮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期214-221,共8页

报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的Ｇ... 报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ），在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流基本为零，输出噪声电流大大下降，使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ穿通型光电晶体管（发射极直径φ＝４μｍ）。在５Ｖ工作电压下，对０．８μｍ，１．３ｎｗ和４３ｎｗ弱光的光电增益分别为１２６０和８１０８。折合到输入端暗电流为０．８３ｎＡ。 展开更多

关键词 高灵敏度 穿通型 异质结 光电晶体管

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手掌部穿通型光泽苔藓 被引量：3

3

作者 张倩 刘宇 李春英 《临床皮肤科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期231-232,共2页

报告1例手掌部穿通型光泽苔藓。患儿男,15岁。右手掌多个针尖至粟粒大肤色丘疹伴中央脐凹5年。皮损组织病理检查:致密角化过度,柱状角化不全,表皮增生,真皮乳头内巢状淋巴细胞及组织细胞致密浸润,周边表皮突呈抱球状,部分真皮乳头穿通表... 报告1例手掌部穿通型光泽苔藓。患儿男,15岁。右手掌多个针尖至粟粒大肤色丘疹伴中央脐凹5年。皮损组织病理检查:致密角化过度,柱状角化不全,表皮增生,真皮乳头内巢状淋巴细胞及组织细胞致密浸润,周边表皮突呈抱球状,部分真皮乳头穿通表皮,上覆角质物质。诊断:穿通型光泽苔藓。 展开更多

关键词 光泽苔藓 穿通型 手掌

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超高速脉冲晶闸管设计及特性 被引量：3

4

作者 朱玉德 刘小俐 +3 位作者 肖彦 张桥 吴拥军 颜家圣 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期73-76,共4页

介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开... 介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000V,电流上升率可以达到20kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构,采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术,使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且,该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化,使生产条件易满足。 展开更多

关键词 脉冲功率技术 晶闸管 穿通型 缓冲层 多元胞集成结构

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穿通型毛母质瘤 被引量：3

5

作者 夏颖 杨珍 +3 位作者 朱里 钱悦 黄长征 陈思远 《临床皮肤科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期293-294,共2页

报告1例穿通型毛母质瘤。患者女,58岁。颈部右侧一质硬性结节伴轻度瘙痒1年余。皮肤科检查:颈部右侧一大约1 cm×1 cm的圆形质硬结节,边界清楚,表面附有黑褐色痂。手术切除后行皮损组织病理学检查:真皮可见由嗜碱性细胞、过渡细胞... 报告1例穿通型毛母质瘤。患者女,58岁。颈部右侧一质硬性结节伴轻度瘙痒1年余。皮肤科检查:颈部右侧一大约1 cm×1 cm的圆形质硬结节,边界清楚,表面附有黑褐色痂。手术切除后行皮损组织病理学检查:真皮可见由嗜碱性细胞、过渡细胞及影细胞组成的肿瘤团块,并与表皮相通。结合临床及病理表现诊断为穿通型毛母质瘤。 展开更多

关键词 毛母质瘤 穿通型

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VDMOS器件击穿特性研究

6

作者 张雯 张桂兰 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第3期20-25,共6页

本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式．并通过与在ｎ／ｎ￣＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结果，进行比较，二者吻合的很好．

关键词 击穿电压 保护环 VDMOS器件 穿通型

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穿通型毛母质瘤 被引量：1

7

作者 徐澄 苏婷 +1 位作者 张美华 苏忠兰 《临床皮肤科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期257-259,共3页

患者女,55岁。主诉:右侧耳前结节、破溃伴疼痛半年。现病史:患者半年前右侧耳前无明显诱因出现丘疹,伴有疼痛,自行外用“夫西地酸乳膏”(每日二三次),无明显疗效,皮损逐渐增大成结节,表面暗红色并有破溃,伴有明显触痛,遂于2016年3月10... 患者女,55岁。主诉:右侧耳前结节、破溃伴疼痛半年。现病史:患者半年前右侧耳前无明显诱因出现丘疹,伴有疼痛,自行外用“夫西地酸乳膏”(每日二三次),无明显疗效,皮损逐渐增大成结节,表面暗红色并有破溃,伴有明显触痛,遂于2016年3月10日至我院就诊,予以“盐酸金霉素眼膏”局部外用,1周后皮损表面结痂。 展开更多

关键词 毛母质瘤 穿通型

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非感染性肉芽肿

8

《中国医学文摘（皮肤科学）》 2011年第5期316-317,共2页

20111683环状肉芽肿142例临床和组织病理分析/黄萌(武汉市一院皮科),陈柳青,覃莉,…∥临床皮肤科杂志.-2011,40(3).-142～144142例患者均经组织病理确诊为环状肉芽肿,男58例,女84例,局限型130例,泛发型6例,皮下型、巨大型各2例,穿通型... 20111683环状肉芽肿142例临床和组织病理分析/黄萌(武汉市一院皮科),陈柳青,覃莉,…∥临床皮肤科杂志.-2011,40(3).-142～144142例患者均经组织病理确诊为环状肉芽肿,男58例,女84例,局限型130例,泛发型6例,皮下型、巨大型各2例,穿通型、丘疹型各1例。局限型和泛发型皮损多由1个或多个丘疹组成,多为肉色, 展开更多

关键词 环状肉芽肿 组织病理 局限型 病理分析 穿通型 巨大型 皮肤科 武汉市 皮损 皮下结节

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穿通型pn结二极管的击穿电压

9

作者 高玉民 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第10期30-36,共7页

提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法．在大量数值计算基础上，获得了有效电离率系数随硅单边突变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式．把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果在大电压范围内与数... 提出了一种确定穿通型二极管轻掺杂区一系列参数的方法．在大量数值计算基础上，获得了有效电离率系数随硅单边突变结轻掺杂区材料导电类型和电阻率变化的经验公式．把这种解析方法与有效电离率参变量相结合所得结果在大电压范围内与数值计算结果符合得相当好． 展开更多

关键词 PN结二极管 击穿电压 数值计算 穿通型

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新结构多晶硅发射极光电晶体管

10

作者 王晓慧 李国辉 阎凤章 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期473-476,共4页

报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益... 报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管的光电增益提高了2倍；隔离环电极极大地提高了器件的灵敏度；穿通型的工作状态提高了器件的增益和响应速度．已研制成的这种新型结构的光电晶体管在10V工作电压下，对0．8μm，0．174μW的光增益达到了3083． 展开更多

关键词 多晶硅发射极 硅光电晶体管 隔离环 穿通型

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IGBT器件新结构及制造技术的新进展 被引量：8

11

作者 许平 《电力电子》 2005年第1期21-26,共6页

IGBT是一种新型的功率器件,经过几代重大技术改革,已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一,除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外,还存开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度,闸述IGBT在器件结... IGBT是一种新型的功率器件,经过几代重大技术改革,已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一,除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外,还存开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度,闸述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。 展开更多

关键词 穿通型IGBT 非穿通型IGBT 超大规模集成电路

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IGBT向大容量演变的若干问题 被引量：4

12

作者 王正元 《电力电子》 2004年第5期75-79,共5页

介绍了迄今为止演变出的五代IGBT产品的特点,指出IGBT今后的发展趋势和需要进一步解决的问题。

关键词 IGBT 平面栅穿通型 精密平面栅穿通型 沟槽栅 非穿通型 电场截止型 逆导型 注入增强型 高频型 双向型

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高压VDMOSFET导通电阻的优化设计 被引量：4

13

作者 白朝辉 王标 《现代电子技术》 2007年第16期174-176,共3页

以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系。给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通... 以500 V VDMOS为例,首先分析了高压VDMOS导通电阻与电压的关系,重点讨论穿通型VDMOS的外延厚度与器件的耐压和导通电阻的关系。给出对高压VDMOS外延层厚度的优化方案,并基于理论分析在器件仿真设计软件平台上成功完成了耐压500 V、导通电阻0.85Ω的功率VDMOS器件的设计和仿真。 展开更多

关键词 VDMOS 穿通型VDMOS 优化外延层 导通电阻

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NPT型IGBT静态模型分析及仿真

14

作者 廖家平 刘劲楠 《电工技术杂志》 2001年第11期4-7,共4页

对非穿通型绝缘栅双极晶体管 (NPT IGBT)的静态工作特性进行了理论分析。从IGBT结构入手 ,把它看作MOSFET驱动的BJT ,从其包含的BJT和MOSFET分别讨论。并且对比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法 ,详细讨论了用双极传输方... 对非穿通型绝缘栅双极晶体管 (NPT IGBT)的静态工作特性进行了理论分析。从IGBT结构入手 ,把它看作MOSFET驱动的BJT ,从其包含的BJT和MOSFET分别讨论。并且对比了传统BJT模型和IGBT中包含的BJT模型的分析方法 ,详细讨论了用双极传输方程分析BJT模型。在MATLAB的仿真环境中添加相应的模型描述语言S function ,实现静态特性 。 展开更多

关键词 非穿通型绝缘栅双极晶体管 静态模型 双极传输方程 仿真 NPT型 IGBT

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儿童穿通型毛母质瘤29例临床病理特点分析 被引量：3

15

作者 韩晓锋 孙娟 +2 位作者 邱磊 尉莉 马琳 《中华皮肤科杂志》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期196-199,共4页

目的分析儿童穿通型毛母质瘤的临床及病理特点,探讨其发生机制。方法回顾2014—2020年就诊于北京儿童医院皮肤科的29例穿通型毛母质瘤患儿资料,分析其临床及组织病理学特点。结果29例中男11例,女18例,男女比例为1∶1.64。发病年龄3个月... 目的分析儿童穿通型毛母质瘤的临床及病理特点,探讨其发生机制。方法回顾2014—2020年就诊于北京儿童医院皮肤科的29例穿通型毛母质瘤患儿资料,分析其临床及组织病理学特点。结果29例中男11例,女18例,男女比例为1∶1.64。发病年龄3个月至14岁10个月,中位发病年龄4.58岁。病程2个月至2年,平均8.72个月。发生穿通时间2 d到1年6个月,平均1.85个月。除1例外用鱼石脂治疗后破溃,3例局部搔抓或磕碰后破损,其余25例均无明确诱因自发破溃。自发病到肿物出现穿通的平均时间为6.87个月。发病部位:面部15例,侧颈部8例,上肢4例,头皮2例。临床上均表现为伴有皮肤结痂或溃疡的皮下质硬结节,其中溃疡型19例,皮角型8例,结痂型2例。肿物直径0.3~2.5 cm,平均1.2 cm。组织病理:肿瘤位于真皮浅中层,主要由嗜碱性细胞及影细胞组成,其中19例表现为瘤体通过穿孔的表皮通道排出皮肤,穿通部位两侧表皮增生并向下凹陷延伸,形成上皮性隧道包绕肿瘤;4例表现为瘤体表面皮肤受压变薄及破溃;6例因手术表皮与瘤体分离,无法观察到穿通部位表现。皮损均予手术切除,术后随访无感染及复发。结论儿童穿通型毛母质瘤最易发生于面颈部,一般进展快,可分为溃疡型、皮角型及结痂型,组织学提示经表皮消除现象是穿通型毛母质瘤发生穿通的重要机制。 展开更多

关键词 毛基质瘤 儿童 皮肤表现 病理过程 穿通型毛母质瘤 经表皮消除

原文传递

IGBT技术现状及发展趋势 被引量：2

16

作者 赵承贤 杨虎刚 +2 位作者 余晋杉 邓涛 郑金灿 《技术与市场》 2015年第4期28-29,31,共3页

介绍了IGBT的发展历史,重点说明商品化第一代到第五代IGBT的结构和性能,并展望未来IGBT的发展趋势。

关键词 IGBT MOSFET 穿通性 非穿通型 平面栅 沟槽栅 电场截止型FS

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反复短路运作下IGBT器件失效的研究

17

作者 Z.Khatir S.Lefebvre 寇茜 《电力电子》 2007年第1期35-38,7,共5页

本文描述600V穿通型、600V非穿通型和1200V非穿通型的IGBT,在其器件寿命期限内,对它施加不同能量来进行反复短路试验的结果。文中指出,一种和试验条件有关的临界能量,可以区分两种失效模式:具有累积退化效应的第一种失效模式,需要进行大... 本文描述600V穿通型、600V非穿通型和1200V非穿通型的IGBT,在其器件寿命期限内,对它施加不同能量来进行反复短路试验的结果。文中指出,一种和试验条件有关的临界能量,可以区分两种失效模式:具有累积退化效应的第一种失效模式,需要进行大约104次短路才损坏,而具有热击穿效应的第二种失效模式,在第一次短路时就损坏。基于试验和仿真的结果,详细描述了短路时的"极限能量"和"延缓"模式。事实上,临界能量对应阻挡结附近区域约650℃的临界温度,这点似乎和测试条件无关。尤其是,分析了短路后的漏泄电流,说明存在将两种失效模式明显区分开来的临界温度。 展开更多

关键词 短路试验 IGBT 器件失效 失效模式 运作 非穿通型 临界能量 临界温度

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逆导型非穿通绝缘栅双极晶体管仿真 被引量：1

18

作者 杨坤进 汪德文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期517-520,529,共5页

仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"... 仿真了逆导型(RC)非穿通-绝缘栅双极晶体管(NPT-IGBT)的器件结构及其"折回效应"现象的I-V特性曲线,研究了一些器件重要结构参数(背面阳极n+区域与p+区域尺寸比例Ln/Lp以及n-漂移区厚度)对所仿真的逆导型NPT-IGBT器件电流"折回效应"的影响。用"MOSFET+pin二极管"等效电路模型分析了仿真结果中得到的结论。结果表明,Ln/Lp与n-漂移区厚度对"折回效应"幅度影响显著。在n-漂移区厚度为60μm时,Ln/Lp尺寸比例在5/11和2/14(μm/μm)之间,"折回效应"幅度较低,并且反向二极管具有导通能力,可以成为对应RC-NPT-IGBT的工艺窗口;在n-漂移区厚度达到150μm时,"折回效应"接近消失,Ln/Lp尺寸比例可以有更宽的选择。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 非穿通型(NPT) 逆向导通(RC) “折回效应” 电导调制效应

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IGBT阻断能力的优化设计

19

作者 冯松 高勇 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2013年第7期99-100,共2页

阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度... 阻断能力是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的一个重要参数指标,阻断能力的好坏直接影响器件的整体特性。以平面穿通型IGBT为例,对IGBT的场限环终端结构进行了理论分析,通过器件模拟软件对IGBT的阻断特性进行了模拟,并优化了IGBT场限环的宽度、间距及数目,提高了IGBT的阻断能力,为IGBT的设计提供了参考。最终优化的结果,在场限环宽度分别为24μm,21μm,18μm,15μm,场限环间距为3μm,4μm,5μm,6μm,场限环数目为4个时,得到的阻断电压达到1 240V。 展开更多

关键词 绝缘栅双极型晶体管 平面穿通型 场限环 阻断能力

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IGBT的低温特性及计算机仿真

20

作者 张玉林 胡高宏 +1 位作者 丘明 齐智平 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第1期120-122,共3页

研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77～300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加。在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上... 研究了非穿通型(Non-PunchThrough,NPTI)GBT在77～300K之间的暂稳态特性。研究表明,低温环境下NPT-IGBT的通态压降、寄生PNP晶体管电流增益和关断时间均有减小,门槛电压和跨导增加。在总结并改进硅材料主要参数在低温区的温度模型基础上,分析了NPT-IGBT低温特性的物理机制,并实现其关键参数随温度变化趋势的计算机仿真,仿真结果与实验数据取得一致。 展开更多

关键词 晶体管 低温 仿真/绝缘栅双极晶体管 非穿通型

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