IGBT向大容量演变的若干问题被引量：4

The Evolvement and the Development Direction of IGBT

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摘要介绍了迄今为止演变出的五代IGBT产品的特点,指出IGBT今后的发展趋势和需要进一步解决的问题。 The paper has introduced the features of the 5 generations' IGBT products,which are evolved up to now,and has pointed the development trends in the near future and the problems,which need be solved,for IGBT.

作者王正元

机构地区 IEEE电力电子学会北京分会

出处《电力电子》 2004年第5期75-79,共5页 Power Electronics

关键词 IGBT 平面栅穿通型精密平面栅穿通型沟槽栅非穿通型电场截止型逆导型注入增强型高频型双向型 IGBT plane gate PT precise plane gate PT trench gate NPT FS RC IEGT HF double-direction

分类号 TN31 [电子电信—物理电子学]

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参考文献3

1L.洛伦茨,顾廉楚.先进功率半导体器件展示系统工程学的新方向[J].电力电子,2004,2(3):9-12. 被引量：1
2J.道奇,J.莫里森,许平,刘鹿生.最新技术的PT IGBT和功率MOS的比较[J].电力电子,2004,2(3):18-20. 被引量：3
3王正元.IGBT构思的实现是电力电子技术走向高频大功率化的里程碑[J].电力电子,2003,1(Z1):58-61. 被引量：2

二级参考文献9

1Fred C. Lee,,Xunwei Zhou.Power Management Issues for Future Generation Microprocessors[].Proc ISPSD ‘.1999 被引量：1
2L. Lorenz,G. Deboy.,A. Knapp,,M. Marz.CoolMOS?A New Milestone in High Voltage Power MOS[].Proc ISPSD ‘.1999 被引量：1
3H. Mitlehner,W. Bartsch.,K.O.Dohnke.,P. Friedrichs,,R. Kaltschmidt,U. Weinert,,B. Weis,,D. Stephani.Dynamic Characteristics of High Voltage 4H-SiC Vertical JEETs[].Proc ISPSD‘.1999 被引量：1
4T. Laska,M. Munzer.,F. Pfirsch.,C. Schaeffer.,T. Schmidt.The Field Stop IGBT( FS-IGBT)-A New Power Device Concept ith a Great Improvement Potential[].Proc ISPSD.2000 被引量：1
5A. W. Ludikhuize.A Review of the RESURF Technology[].Proc ISPSD.2000 被引量：1
6T. Fujihira.Theory of Semiconductor Superjunction Devices[].Japanese Journal of Applied Physics.1997 被引量：1
7P. Friedrichs,H. Mitlehner,,K.O. Dohnke.,D. Peters,,R. Schorner,U. Weinert,,E. Baudelot,,D. Stephani.SiC Power Devices with Low On-resistance for Fast Switching Applications[].Proc ISPSD.2000 被引量：1
8E. Griebel,,L. Lorenz,,M. Purschel.Light MOS a New Power Semiconductor Concept Dedicated for Lamp Ballast Ap-plication[].IEEE IAS.2003 被引量：1
9J. Dodge,,T. Loder.Latest Technology PT IGBTs vs,Power MOSFETs[].PCIM China ‘. 被引量：1

共引文献3

1许平.IGBT器件新结构及制造技术的新进展[J].电力电子,2005,3(1):21-26. 被引量：8
2柳超,李慧芬,董颖辉.MOSFET和IGBT的对比分析[J].计算机与数字工程,2013,41(11):1772-1773. 被引量：2
3尹丽晶.IGBT热可靠性分析简述[J].电子质量,2020(8):27-30. 被引量：2

同被引文献16

1王正元.电力半导体器件运行失效的若干基本问题的讨论[J].电力电子,2004,2(6):14-21. 被引量：1
2N.沃马罗,M.奥苏基,Y.霍希,S.约希沃塔里,T.米耶塞凯,Y.西基,花蕾.1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管[J].电力电子,2004,2(4):44-47. 被引量：2
3王正元,由宇义珍,宋高升.IGBT技术的发展历史和最新进展[J].电力电子,2004,2(5):7-12. 被引量：3
4梁苏军.IGBT-新概念、新模型、新器件[J].电力电子,2005,3(1):11-20. 被引量：1
5许平.IGBT器件新结构及制造技术的新进展[J].电力电子,2005,3(1):21-26. 被引量：8
6郑槐.新一代电力电子器件——IGBT[J].现代电子,1996(2):50-57. 被引量：1
7张为佐,白继彬.电力电子技术发展的新动向[J].电力电子技术,1996,30(4):1-5. 被引量：6
8亢宝位.IGBT发展概述[J].电力电子,2006,4(5):10-15. 被引量：18
9AGRAWAI J P. Power Electronic System Theory and Design[ M ]. Beijing: Tsinghua University Press, 2001,134 - 140. 被引量：1
10CARL B, CHRIS B. IGBT or MOSFET Choose Wisely [ J/ OL]. (2006 -01 - 18) [2006 -03 -07]. http://www. irf. com/technical-info/papers. 被引量：1

引证文献4

1郭红霞,杨金明.IGBT的发展[J].电源世界,2006(9):51-56. 被引量：11
2曹金台.大功率高频感应电源的发展[J].焊管,2007,30(1):41-44. 被引量：2
3范晓波,王峰瀛,耿涛.浅谈IGBT的结构设计[J].中国科技纵横,2011(19):324-324.
4范晓波.绝缘栅双极晶体管(IGBT)表面耐压结构仿真研究[J].中国设备工程,2019,0(18):118-119.

二级引证文献13

1彭智刚,金新民,童亦斌,梁京哲,战亮宇.IGBT驱动电路[J].电子产品世界,2007,14(2):122-123. 被引量：7
2赵定远,赵莉华.现代电力电子器件的发展[J].成都大学学报（自然科学版）,2007,26(3):210-214. 被引量：10
3叶立剑,邹勉,杨小慧.IGBT技术发展综述[J].半导体技术,2008,33(11):937-940. 被引量：30
4孙晓红.IEGT高压变频器在安钢大功率同步电机变频调速中的应用[J].安阳工学院学报,2009,8(4):33-35.
5史宏德,王宁,赖兴涛,李建新,付郁飞.宝钢HFW 610焊管机组的技术特点[J].焊管,2009,32(12):43-49. 被引量：3
6王丹,关艳霞.功率器件的新结构及其性能特点[J].电子设计工程,2010,18(2):118-120. 被引量：3
7张伊凡,王乐.浅析惠州油田变频柜升级改造[J].石油石化节能,2013,3(3):41-43.
8闻永祥,范伟宏,顾悦吉,刘琛,刘慧勇.功率器件IGBT槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究[J].中国集成电路,2013,22(6):65-69. 被引量：1
9王勋,李琳,高学敏,余志飞.基于IGBT串联的电压源换流器的电动力计算及振动分析[J].电力科学与工程,2014,30(3):29-34. 被引量：3
10仝蒙,傅蔡安,季坤,叶君剑.IGBT用铝基碳化硅基板制备及性能测试[J].热加工工艺,2014,43(10):121-124. 被引量：6

1IR针对DC-DC节能汽车应用推出高功率、高速度、高密度的分立解决方案[J].电源技术应用,2010,13(12):76-76.
2N.沃马罗,M.奥苏基,Y.霍希,S.约希沃塔里,T.米耶塞凯,Y.西基,花蕾.1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管[J].电力电子,2004,2(4):44-47. 被引量：2
3新产品[J].电子世界,2010(12):2-6.
4用于大功率、高性能工业应用的NPT IGBT[J].今日电子,2014,0(2):53-53.
5用于大功率、高性能工业应用的NPTIGBT[J].今日电子,2013(5):67-67.
6用于大功率、高性能工业应用的NPT IGBT[J].今日电子,2013(9):56-56.
7刘晖,余岳辉.一种新型非穿通型IGBT[J].微电子学,1994,24(5):49-51.
8我国成功研发出新型电力电子芯片[J].军民两用技术与产品,2011(12):23-23.
9APT85GRl2082／120L／120J：IGBT[J].世界电子元器件,2012(10):33-33.
10沈千行,张须坤,张广银,杨飞,谭骥,田晓丽,卢烁今,朱阳军.IGBT载流子增强技术发展概述[J].半导体技术,2016,41(10):751-758. 被引量：2

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