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题名浅析硅单晶COP缺陷的产生和消除
被引量：1
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作者
尚海波
丁玲
叶祖超
谢江华
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机构
上海合晶硅材料有限公司
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出处
《上海有色金属》
CAS
2010年第2期78-81,共4页
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文摘
在集成电路飞速发展的过程中,特征线宽逐渐缩小,并要求无缺陷的衬底硅片。但由于单晶生长过程中会产生空洞性缺陷COP,直接影响了CMOS器件的GOI。通过改变热场温度梯度,可以有效改善单晶的COP,改善后的重掺Sb衬底经外延后,COP被"覆盖",而不对外延层造成影响。
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关键词
硅单晶
空洞型原生微缺陷
热场温度梯度
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Keywords
single crystal silicon
COP
temperature field
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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题名300 mm单晶硅生长过程中直径的功率控制方法
被引量：3
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作者
张俊
林勇刚
高宇
李阳健
曹建伟
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机构
浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室
浙江晶盛机电股份有限公司
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出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第6期687-694,共8页
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基金
国家科技重大专项项目(2009ZX02011-001)资助。
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文摘
直拉法硅单晶生长过程微缺陷的形成和长大遵循Voronkov提出的V/G(V是晶体生长速度,G是晶体生长界面的轴向温度梯度)理论。在G由热场设计和液面位置决定的前提下,单晶硅生长过程中晶体提升速度的精确控制是生长无空洞型原生微缺陷大尺寸单晶硅的关键。为控制晶体的提升速度处于无原生微缺陷单晶硅生长所需的范围内,同时获得±1 mm的直径控制效果,需要解决复杂的热传递过程导致晶体直径变化相对于功率调节大滞后性的问题。研究了通过调节加热功率控制晶体直径的时滞系统理论模型,提出了模糊比例、积分、微分(PID)控制结合Smith预估控制器的控制策略。结果表明,Smith预估控制器能有效消除系统迟滞对控制器的影响,大幅提高系统的稳定性。同时结合Smith预估控制器,普通PID控制策略和模糊PID控制策略均有较好的控制效果,且模糊PID响应更为快速,系统鲁棒性和抗干扰能力更强。在30 mm·h^(-1)晶体提升速度的条件下,降低晶体内流动图形缺陷(FPD)密度,并实现了直径300 mm单晶硅晶体直径的精确控制,精度达到±1 mm。
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关键词
直拉法(CZ)
单晶硅
无空洞型原生微缺陷(COP)
直径控制
恒定拉速
加热功率
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Keywords
czochralski(CZ)
silicon single crystal
crystal orginal particles(COP)
diameter control
constant lift rate
heater power
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分类号
TP23
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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