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稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性
被引量：
21
1
作者
李健
白素杰
通拉嘎
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第5期9-11,14,共4页
研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大,薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经...
研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大,薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经掺Nd(质量分数为4.96×10-2)后纳米ZnO薄膜对乙醇气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善。在1.5×10-3体积分数的乙醇气体中最高灵敏度为34,相应的薄膜工作温度为200℃。
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关键词
真空气相沉积
稀土
nd
掺杂
ZNO薄膜
气敏特性
气体传感器
下载PDF
职称材料
不同衬底制备稀土Nd^(+3)掺杂SnO_2薄膜的XRD、SEM分析
被引量：
1
2
作者
白海平
李健
吉雅图
《真空》
CAS
北大核心
2006年第6期15-18,共4页
采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。实验显示,不同衬底制备SnO2薄膜在未掺钕时结构有明显区别,采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜...
采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。实验显示,不同衬底制备SnO2薄膜在未掺钕时结构有明显区别,采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜没有显示择优生长;在硅衬底上制备未掺钕SnO2薄膜显示出沿[101]晶向择优生长趋势。掺钕(5 at%)玻璃衬底制备的薄膜沿[110]衍射峰较强,但薄膜基本呈现自由生长;掺钕后硅衬底制备的薄膜则强烈沿[110]晶向择优生长,随掺钕含量增加择优生长趋势消失,当掺钕含量为(5 at%)时薄膜呈自由生长结构较完善。SEM给出在玻璃基片生长的薄膜表面形貌呈均匀小颗粒状,平均晶粒尺寸在30 nm左右。硅基片制备的薄膜表面则呈紧密均匀带孔颗粒状;颗粒尺寸约1000 nm与计算值相差较大。两种衬底制备的SnO2薄膜经稀土钕掺杂可抑制晶粒生长。本实验中钕掺杂量为5 at%(热处理T=500℃,t=45 m in)时薄膜结构特性最佳。
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关键词
真空气相沉积
稀土
nd
掺杂
SNO2薄膜
XRD
SEM分析
下载PDF
职称材料
题名
稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性
被引量：
21
1
作者
李健
白素杰
通拉嘎
机构
内蒙古大学理工学院物理系
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第5期9-11,14,共4页
基金
内蒙古自然科学基金资助项目(20028020209)
文摘
研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大,薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经掺Nd(质量分数为4.96×10-2)后纳米ZnO薄膜对乙醇气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善。在1.5×10-3体积分数的乙醇气体中最高灵敏度为34,相应的薄膜工作温度为200℃。
关键词
真空气相沉积
稀土
nd
掺杂
ZNO薄膜
气敏特性
气体传感器
Keywords
nanometer
vapor phase deposition
gas sensing
ZnO thin films
nd
-doping
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
不同衬底制备稀土Nd^(+3)掺杂SnO_2薄膜的XRD、SEM分析
被引量：
1
2
作者
白海平
李健
吉雅图
机构
内蒙古大学理工学院物理系
出处
《真空》
CAS
北大核心
2006年第6期15-18,共4页
基金
内蒙古自然科学基金项目(200208020209)
内蒙古自治区高等学校科学研究项目(NJ05030)
文摘
采用真空气相沉积法在玻璃和单晶硅衬底[111]上制备纳米SnO2及稀土金属钕掺杂薄膜,并对薄膜进行热处理。对薄膜进行XRD、SEM测试。实验显示,不同衬底制备SnO2薄膜在未掺钕时结构有明显区别,采用同样工艺条件在玻璃衬底上制备的SnO2薄膜没有显示择优生长;在硅衬底上制备未掺钕SnO2薄膜显示出沿[101]晶向择优生长趋势。掺钕(5 at%)玻璃衬底制备的薄膜沿[110]衍射峰较强,但薄膜基本呈现自由生长;掺钕后硅衬底制备的薄膜则强烈沿[110]晶向择优生长,随掺钕含量增加择优生长趋势消失,当掺钕含量为(5 at%)时薄膜呈自由生长结构较完善。SEM给出在玻璃基片生长的薄膜表面形貌呈均匀小颗粒状,平均晶粒尺寸在30 nm左右。硅基片制备的薄膜表面则呈紧密均匀带孔颗粒状;颗粒尺寸约1000 nm与计算值相差较大。两种衬底制备的SnO2薄膜经稀土钕掺杂可抑制晶粒生长。本实验中钕掺杂量为5 at%(热处理T=500℃,t=45 m in)时薄膜结构特性最佳。
关键词
真空气相沉积
稀土
nd
掺杂
SNO2薄膜
XRD
SEM分析
Keywords
vacuum deposition
nd
-doping
SnO2 film
XRD
SEM
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性
李健
白素杰
通拉嘎
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004
21
下载PDF
职称材料
2
不同衬底制备稀土Nd^(+3)掺杂SnO_2薄膜的XRD、SEM分析
白海平
李健
吉雅图
《真空》
CAS
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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