高性能X波段单片数控移相器 被引量：7

1

作者 张博 曹曼 吴昊谦 《电子设计工程》 2018年第21期110-114,共5页

采用0.25μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺设计了一款X波段六位数字移相器,移相器采用高低通和全通网络结构,通过控制不同移相单元的状态从而形成64种移相状态。运用了提高相移精度和抑制级联散射的方法,6个移相单元按照180&... 采用0.25μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺设计了一款X波段六位数字移相器,移相器采用高低通和全通网络结构,通过控制不同移相单元的状态从而形成64种移相状态。运用了提高相移精度和抑制级联散射的方法,6个移相单元按照180°/45°/11.25°/5.625°/22.5°/90°的顺序级联。在8～10 GHz频率范围内,数字移相器的64种状态的相位均方根误差小于1.6°,各态幅度均衡度小于0.7 dB,插入损耗低于5.5 dB,输入输出端口的回波损耗均优于15 dB。除此之外,芯片尺寸为2.2 mm×0.7 mm,可广泛用于相控阵雷达与电子对抗等系统。 展开更多

关键词 砷化镓 数字移相 移相精度 抑制级联散射

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X波段4位数控移相器MMIC研究 被引量：4

2

作者 乔明昌 王宗成 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第8期831-833,851,共4页

采用0.25μmGaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数。电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式。结果表明,... 采用0.25μmGaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数。电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式。结果表明,在7.5~8.7 GHz频段内插入损耗≤7 dB,电压驻波比≤1.8∶1,开关时间≤30 ns,移相精度22.5°±2°,45°±3°,90°±3°,180°±3°,所有状态均方根移相误差≤5,控制电压-5 V或0 V。 展开更多

关键词 X波段 数控移相器 插入损耗 移相精度

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毫米波多通道接收组件隔离度对移相的影响 被引量：3

3

作者 武红玉 厉志强 +1 位作者 乔明昌 赵子润 《舰船电子对抗》 2016年第3期79-82,共4页

介绍了多通道接收组件的典型原理框图,给出了通道隔离度、耦合度、移相精度和移相寄生调幅的概念,使用相量法推导了通道耦合度对移相精度和移相寄生调幅影响的计算公式,指出理论上隔离度对移相指标的影响与频率无关。利用软件仿真了通... 介绍了多通道接收组件的典型原理框图,给出了通道隔离度、耦合度、移相精度和移相寄生调幅的概念,使用相量法推导了通道耦合度对移相精度和移相寄生调幅影响的计算公式,指出理论上隔离度对移相指标的影响与频率无关。利用软件仿真了通道隔离度对移相精度和移相寄生调幅的影响,得到了与公式计算相同的数值,两者互相得到了验证。提出了改善通道隔离度的方法,设计加工了一种Ka波段的四通道接收组件,改善了通道隔离度,具有较好的移相精度和移相寄生调幅指标。 展开更多

关键词 毫米波 多通道 隔离度 移相精度 移相寄生调幅

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一种矢量调制移相器的反馈补偿设计方法 被引量：2

4

作者 钟军涛 史东湖 《飞行器测控学报》 CSCD 2014年第5期377-381,共5页

针对矢量调制移相器存在的移相误差和增益波动问题,提出一种矢量调制移相器的反馈补偿设计方法。在分析了矢量调制的移相原理及影响移相精度和增益稳定性的误差因素的基础上,根据反馈补偿原理对误差因素进行补偿校正。首先通过自动化的... 针对矢量调制移相器存在的移相误差和增益波动问题,提出一种矢量调制移相器的反馈补偿设计方法。在分析了矢量调制的移相原理及影响移相精度和增益稳定性的误差因素的基础上,根据反馈补偿原理对误差因素进行补偿校正。首先通过自动化的测试和处理流程,得到移相器的相位和增益误差特性表,然后将该误差特性表反馈至移相器监控单元,最后监控单元利用插值算法和归一化原理实现对误差量的补偿校正。对采用该方法设计的移相器进行实际测试,结果表明:其移相精度小于1°,增益随相位变化波动小于0.4dB,对比补偿校正之前,移相精度和增益稳定性得到了大幅提高和改善,从而验证了该方法的有效性。 展开更多

关键词 矢量调制 移相器 反馈补偿 移相精度 增益稳定性

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S波段6位高性能数字移相器 被引量：1

5

作者 张飞 曹智慧 +2 位作者 叶坤 于天新 汤正波 《电子与封装》 2022年第12期58-62,共5页

采用0.25μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2.3~3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器。移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°... 采用0.25μm砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2.3~3.8 GHz频段的低插入损耗、高精度、小尺寸且集成数字驱动器的6位数字移相器。移相器中的6个移相单元按45°/90°/5.625°/11.25°/180°/22.5°的顺序级联。为了改善移相精度和抑制级联散射,进一步优化了移相单元的电路设计。在2.3~3.8 GHz频率范围内,数字移相器的相位均方根误差最大值为4°,输入输出电压驻波比小于1.4,插入损耗小于4 dB,各状态的幅度波动小于0.8 dB,芯片尺寸为2.44 mm×1.52 mm。 展开更多

关键词 数字移相器 砷化镓 移相精度 级联散射抑制

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多路DAM自动测试系统设计 被引量：1

6

作者 李国清 张玲 《雷达科学与技术》 北大核心 2017年第2期220-224,228,共6页

数字阵列模块(Digital Array Module,DAM)是数字阵列雷达的核心部件,其设计高度集成,技术指标繁多,传统的测试系统效率不高。通过多路DAM自动测试系统设计的可行性分析,优化各技术指标的测试流程和方法,采用高速光纤调制解调、多路发射... 数字阵列模块(Digital Array Module,DAM)是数字阵列雷达的核心部件,其设计高度集成,技术指标繁多,传统的测试系统效率不高。通过多路DAM自动测试系统设计的可行性分析,优化各技术指标的测试流程和方法,采用高速光纤调制解调、多路发射同步测试、移相精度快速测试等一系列测试技术,完成了4路DAM并行测试的多路DAM自动测试系统设计,并在生产线上进行了测试验证,在自测模式下完成4路DAM的测试时间小于50min,测试效率大幅提高,为我国某重点型号雷达的科研生产提供了重要支撑和保障。 展开更多

关键词 数字阵列模块 多路 测试系统 移相精度

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金属陶瓷贴片封装的S波段六位数控移相器

7

作者 赵霞 潘晓枫 +1 位作者 孙玢 黄念宁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期568-572,共5页

介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该移相器在工作频带2.8～3.6GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5dB、输入输... 介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该移相器在工作频带2.8～3.6GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡ΔIL<0.3dB、1分贝压缩输入功率大于25dBm、切换时间ton、toff均小于10ns。外形尺寸为10mm×10mm×2mm。 展开更多

关键词 数控单片移相器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 移相精度

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高稳定性数字钟的分析与实现

8

作者 黄佩诚 《中国科学院上海天文台年刊》 2004年第25期120-127,共8页

介绍一种高稳定、低功耗、多功能、小型化的数字钟 ,由数字钟插入相位噪声引起的 1pps输出信号相位抖动为 5 .3ps,前沿上升时间为 4 .6ns ,指标测量通过 2m长 5 0Ω高频同轴电缆并接 5 0Ω电阻性负载 ,输入信号为 10MHz正弦波信号 ,移... 介绍一种高稳定、低功耗、多功能、小型化的数字钟 ,由数字钟插入相位噪声引起的 1pps输出信号相位抖动为 5 .3ps,前沿上升时间为 4 .6ns ,指标测量通过 2m长 5 0Ω高频同轴电缆并接 5 0Ω电阻性负载 ,输入信号为 10MHz正弦波信号 ,移相精度为 10 0ns,同步精度≤ 10 0ns,通过RS 2 32接口每秒一次的速率以ASCII码格式输出时间信息 (年、月、日、时、分、秒 ) ,在接数显钟面时其功耗为2W ,不接数显钟面时为 1.2W。 展开更多

关键词 数字钟 相位噪声 触发误差 移相精度

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K波段T/R组件高移相精度的研究

9

作者 巨景超 王耀召 李宝新 《现代导航》 2017年第1期56-60,64,共6页

T/R组件作为有源相控阵雷达中的核心部件,其移相精度决定着雷达的性能好坏。本文对K波段的高频T/R组件进行了研究,在单独采用数控移相器移相精度较差不满足项目指标要求的情况下,采用数控移相器和小位移相器相结合的方法,使T/R组件的移... T/R组件作为有源相控阵雷达中的核心部件,其移相精度决定着雷达的性能好坏。本文对K波段的高频T/R组件进行了研究,在单独采用数控移相器移相精度较差不满足项目指标要求的情况下,采用数控移相器和小位移相器相结合的方法,使T/R组件的移相精度有了很大的改善.测试结果移相均方根误差RMS小于2.3°,同时各移相态的移相精度保持在8°以内,大大提高了T/R组件的移相精度,保证了系统的扫描精度。 展开更多

关键词 K波段 T/R组件 移相精度 数控移相器 小位移相器

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0.3~3.0GHz超宽带高精度数控移相器的设计 被引量：1

10

作者 李光超 蒋乐 +2 位作者 豆兴昆 于天新 褚水清 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第4期324-328,共5页

基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3~3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°~360°移相范围。5.625
... 基于0.15μm GaAs赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,研制了一款应用于相控阵系统的集成数字驱动器的0.3~3.0 GHz高精度6 bit数控移相器芯片,通过级联6个不同移相单元可实现最小步进为5.625°的0°~360°移相范围。5.625°、11.25°、22.5°移相单元采用开关切换单阶磁耦合全通网络结构,45°移相单元采用开关切换电容补偿单阶磁耦合全通网络结构,90°、180°采用开关切换高通补偿两阶磁耦合全通网络结构。在片测试结果表明:在0.3~3.0 GHz频段内,数控移相器芯片64态移相均方根误差小于3°,插入损耗小于18 dB,全态移相附加调幅小于±1 dB,输入输出驻波小于1.9,静态功耗为3 mA@-5 V。芯片版图面积为5.00 mm×3.45 mm。 展开更多

关键词 砷化镓 超宽带 高移相精度 数控移相器 数字驱动器 磁耦合全通网络结构

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论述移相器发展历程及工作原理 被引量：2

11

作者 叶宝江 桑飞 杜运 《通讯世界》 2015年第8期251-251,共1页

移相器是雷达和通信系统中的重要器件,它是通过改变微波组件的相位一致性,来提高微波组件输出功率合成效率或回波信号的合成效率,提高雷达或通信系统监视能力。移相器发展大致可以分为四个阶段:微带式移相器、数控式移相器、数字式移相... 移相器是雷达和通信系统中的重要器件,它是通过改变微波组件的相位一致性,来提高微波组件输出功率合成效率或回波信号的合成效率,提高雷达或通信系统监视能力。移相器发展大致可以分为四个阶段:微带式移相器、数控式移相器、数字式移相器、直接数字合成(DDS)芯片,移相器的每次进步都给终端设备功能带来跳跃式的发展。 展开更多

关键词 微带 移相精度 栅极

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