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掺Mn的Pt/Co多层膜磁性和磁光特性的研究 被引量：3
1
作者 周勋 王海 +2 位作者 陈熹 吉世印 唐云俊 《物理实验》 2000年第4期13-15,12,共4页
用磁控溅射设备制备了 Pt Mn/ Co多层薄膜 ,介绍了制作该多层膜的方法 ,并通过测定不同杂质浓度、不同光子能量下克尔角的变化 ,发现随 Mn含量的增加 ,其克尔角下降 ,说明其磁光特性 ;测定不同掺杂浓度下样品的磁滞回线 ,发现其饱和磁... 用磁控溅射设备制备了 Pt Mn/ Co多层薄膜 ,介绍了制作该多层膜的方法 ,并通过测定不同杂质浓度、不同光子能量下克尔角的变化 ,发现随 Mn含量的增加 ,其克尔角下降 ,说明其磁光特性 ;测定不同掺杂浓度下样品的磁滞回线 ,发现其饱和磁化强度增加 ,剩磁比、矫顽力下降 ,分析其产生的机制 . 展开更多
关键词 磁控测射 饱和磁化强度 多层膜 磁性 磁光特性
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非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究
2
作者 王锋 许辉鳄 杨少贵 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1658-1663,共6页
采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]2... 采用射频磁控溅射的方法制备了非晶[Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜。随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应。扣除Ge层的抗磁性,制备态的[Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度M s可达33 emu/cm3。提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制。 展开更多
关键词 非晶多层膜 磁控测射 磁性 导电机理
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SmFe纳米颗粒磁性能研究
3
作者 李晓园 祝要民 +1 位作者 宋晓平 陈强 《金属功能材料》 CAS 2003年第1期13-15,共3页
磁性纳米颗粒由于晶粒尺寸处于纳米级 ,可以做到完全单畴 ,很多研究表明这种结构下其磁性能与同样相成分的块体材料相比 ,具有明显的不同。本文采用磁控溅射方法得到非晶SmFe薄膜 ,通过时效处理后 ,得到均匀分布在铜基体上的磁性纳米颗... 磁性纳米颗粒由于晶粒尺寸处于纳米级 ,可以做到完全单畴 ,很多研究表明这种结构下其磁性能与同样相成分的块体材料相比 ,具有明显的不同。本文采用磁控溅射方法得到非晶SmFe薄膜 ,通过时效处理后 ,得到均匀分布在铜基体上的磁性纳米颗粒。研究表明 。 展开更多
关键词 SmFe纳米颗粒 磁性能 磁控测射 磁性薄膜 磁性材料
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Si衬底(Pb_(1-x)Sr_x)TiO_3系铁电薄膜的制备与性能研究
4
作者 王茂祥 陈淑燕 孙平 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期138-141,共4页
性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其... 性能优良的 Si衬底铁电薄膜的制备对制作 Si基单片集成非制冷焦平面阵列 (UFPA)器件意义重大。文中采用磁控测射技术在 Si衬底上成功地制备了 (Pb1 - x Srx) Ti O3系铁电薄膜 ,该薄膜以 LSCO/ITO复合薄膜作底电极 ,Au薄膜作顶电极 ,其制备工艺可与 Si微电子技术兼容。测试结果表明 ,其微观结构致密 ,绝缘性较好 ,电阻率可高达 1 0 1 1 Ω· cm量级 ,介电常数与热释电系数分别可达 1 0 2 及 1 0 - 2 μC/cm2 K量级。 展开更多
关键词 硅衬底 铁电薄膜 (Pb1—xSrx)TiO3 磁控测射
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反应磁控溅射沉积ITO膜的X射线衍射结构分析
5
作者 茅昕辉 陈国平 《电子器件》 CAS 1996年第2期77-84,共8页
本文报道了对反应磁控溅射技术沉积的ＩＴＯ透明导电膜进行Ｘ射线衍射结构分析的结果。
关键词 氧化铟锡 ITO膜 反应磁控测射 X射线 衍射
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