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多晶硅中甲基氯硅烷转化研究 被引量:2
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作者 王芳 杨典 +3 位作者 孙强 万烨 张晓伟 付强 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2022年第1期49-53,共5页
三氯氢硅中的甲基氯硅烷是造成多晶硅碳杂质超标的重要原因,为了深度去除氯硅烷中的甲基氯硅烷,本文通过对三氯氢硅氢还原法各工序中的甲基氯硅烷含量进行检测和分析,研究甲基氯硅烷杂质的转化规律,得出以下结论:在氢化系统中,甲基二氯... 三氯氢硅中的甲基氯硅烷是造成多晶硅碳杂质超标的重要原因,为了深度去除氯硅烷中的甲基氯硅烷,本文通过对三氯氢硅氢还原法各工序中的甲基氯硅烷含量进行检测和分析,研究甲基氯硅烷杂质的转化规律,得出以下结论:在氢化系统中,甲基二氯硅烷和甲基三氯硅烷存在转化平衡关系,甲基二氯硅烷经氢化系统后出口平衡浓度在7μg/g附近;在还原系统中,甲基二氯硅烷会转化成甲基三氯硅烷,根据进出物流甲基二氯硅烷含量对比相对转化量基本一致;在反歧化系统,甲基氯硅烷不会发生转化,可以推断甲基氯硅烷需要在适当的温度和压力下才会发生转化;提纯系统是甲基氯硅烷组分的转移分离过程,适当组织提纯塔对甲基氯硅烷分布提纯,有利于三氯氢硅中甲基二氯硅烷的净化。 展开更多
关键词 高纯多晶硅 氢还原法 杂质含量 三氯氢硅(TCS) 甲基二氯硅烷(MDCS) 甲基三氯硅烷(MTCS) 转化规律 三氯氢硅回收率
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钽粉中碳的来源及其对电性能影响的研究 被引量:3
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作者 王小明 赵春霞 王晓明 《湖南有色金属》 CAS 2019年第6期49-50,66,共3页
主要介绍了钽粉中碳杂质的来源以及不同碳含量对钽粉电性能的影响,重点分析了不同碳含量对钽粉电性能的影响,并提出了有效控制钽粉中碳杂质含量的建议,以求达到降低钽粉中碳杂质含量的目的。
关键词 钽粉 杂质含量 电性能
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