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光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究 被引量：10
1
作者 全知觉 李志锋 +2 位作者 胡伟达 叶振华 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期92-96,共5页
报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出... 报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压(R-V)曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径.拟合程序中采用的暗电流机制包括了扩散电流机制,产生复合电流机制,陷阱辅助隧穿机制以及带到带直接隧穿电流机制.本文详细地给出了该拟合计算所采用的方法和途径,分析了拟合参数的误差范围.通过对实际器件的R-V特性曲线的拟合计算,给出了实际器件的基本特征参数,验证了该数据处理途径的实用性. 展开更多
关键词 碲镉汞(mct) 光伏探测器 暗电流 参数提取
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降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究 被引量：7
2
作者 全知觉 叶振华 +2 位作者 胡伟达 李志锋 陆卫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期329-332,337,共5页
研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法... 研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法,并利用商用器件模拟软件对Hg0.78Cd0.22Te器件进行了二维模拟.计算结果显示:当少子寿命为10 ns时,经过优化设计后的器件,光响应率增加了9.6%,光串音从未优化前的5.23%减小到1.05%. 展开更多
关键词 碲镉汞(mct) 焦平面阵列 光串音 器件模拟
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碲镉汞异质结能带结构的优化设计 被引量：3
3
作者 全知觉 孙立忠 +2 位作者 叶振华 李志锋 陆卫 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期3611-3616,共6页
分别对带隙较宽(较窄)的p型材料在带隙较窄(较宽)的n型材料之上的碲镉汞(MCT)异质结的能带结构进行了理论分析.在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导带非抛物线性,同时还考虑到了价带失配... 分别对带隙较宽(较窄)的p型材料在带隙较窄(较宽)的n型材料之上的碲镉汞(MCT)异质结的能带结构进行了理论分析.在应用的理论模型中提出了一个简单的载流子浓度近似模型用于计入载流子简并效应和导带非抛物线性,同时还考虑到了价带失配的影响.就p-n结位置(zB)和界面电荷密度(Q)两个参数对MCT异质结能带结构的影响进行了系统分析,发现这些影响是不可忽略的.根据这些影响特征,进一步得出了zB和Q参数之间的优化设计规律. 展开更多
关键词 碲镉汞(mct) 异质结 载流子浓度近似
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B在Hg_(0.75)Cd-(0.25)Te中掺杂效应的第一性原理研究 被引量：2
4
作者 唐冬华 薛林 +1 位作者 孙立忠 钟建新 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第2期383-392,共10页
基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中存在着两种主要形态:第一种是在完整的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中B稳定存在于六角间隙位置... 基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中存在着两种主要形态:第一种是在完整的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中B稳定存在于六角间隙位置而非替位.此时,B形成容易激活的三级施主使材料表现为n型.另一种是在有Hg空位存在的Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中B更容易与Hg空位结合形成缺陷复合体,其束缚能达到了0.96 eV这种复合体在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te材料中形成单施主也使材料表现为n型.考虑到辐照损伤形成的Hg空位受主,这种B与Hg空位的复合体是制约B离子在MCT中注入激活的一个重要因素. 展开更多
关键词 碲镉汞(mct) B掺杂 第一性原理 形成能
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液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究
5
作者 王静宇 宋林伟 +4 位作者 孔金丞 吴军 洪雁 张阳 李东升 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期925-930,共6页
基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工... 基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工艺能有效去除外延材料表面固有的竖纹、花纹、斜纹等宏观缺陷,同时可明显改善外延材料表面平整度及粗糙度,0.5 mm×0.5 mm范围内薄膜表面平整度值降低到20 nm以下,粗糙度值降低到4 nm以下,提高了碲镉汞外延材料表面质量。化学机械抛光后的长波材料经标准器件工艺制备出的焦平面器件可达到较好长波器件水平。 展开更多
关键词 碲镉汞(mct) 化学机械抛光(CMP) 液相外延 粗糙度 平整度
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退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响 被引量：2
6
作者 李雄军 孔金丞 +6 位作者 王光华 余连杰 孔令德 杨丽丽 邱锋 李悰 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2010年第5期255-258,共4页
对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响。结果表... 对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响。结果表明:经110℃、115℃和120℃退火后的a-MCT薄膜短程有序畴Rs由退火前的13.9分别增大至17.9、20.8和26.2;光敏性则由原来的1.17,分别增加至退火后的2.01、2.67和4.25。 展开更多
关键词 非晶态碲镉汞(a—mct) 退火 双体相关函数 光敏性
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