808nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究 被引量：5

1

作者 田增霞 崔碧峰 +3 位作者 徐晨 舒雄文 张蕾 沈光地 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期201-204,共4页

对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率... 对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率降低了36.8%。实验表明,硫钝化时间对激光器钝化效果有很大影响,激光器腔面硫钝化时间过长会造成其损伤,使其可靠性反而下降;硫钝化5 m in效果为最佳。 展开更多

关键词 半导体激光器 腔面 硫钝化 可靠性

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的硫钝化 被引量：3

2

作者 袁泽亮 侯晓远 王迅 《物理》 CAS 1998年第6期349-353,共5页

Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题．８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力．文章对有关硫钝化技术使Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件性能得到的改善以及所存在的问题进行了综述．

关键词 表面钝化 硫钝化 Ⅲ-Ⅴ族 半导体器件

原文传递

表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响 被引量：5

3

作者 夏宁 方铉 +8 位作者 容天宇 王登魁 房丹 唐吉龙 王新伟 王晓华 李永峰 姚斌 魏志鹏 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期92-97,共6页

采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调... 采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓(GaAs)材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。 展开更多

关键词 薄膜 砷化镓 光致发光 硫钝化 光电流 光响应

原文传递

GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化 被引量：2

4

作者 曹先安 陈溪滢 +6 位作者 李喆深 苏润洲 丁训民 侯晓远 钱峰 姚晓峨 陈效建 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期76-80,共5页

本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响... 本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺． 展开更多

关键词 硫钝化 砷化镓 HBT

下载PDF 职称材料

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究 被引量：2

5

作者 孙玉明 陆尔东 +5 位作者 徐法强 徐世红 余小江 张发培 徐彭寿 张新夷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期19-24,共6页

利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化... 利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层，对钝化表面退火，Ｐ－Ｓ键逐渐消失，而仅仅留下了Ｇａ－Ｓ键．Ｇｄ淀积到硫钝化退火的ＧａＰ表面，Ｐ的扩散被有效地阻止，而Ｓ仍保持在界面处，Ｇｄ与表面的元素态Ｐ和二聚体Ｇａ反应，形成金属Ｇａ向淀积的Ｇｄ金属层扩散，导致金属Ｇａ在表面偏析． 展开更多

关键词 磷化镓 硫钝化 稀土金属 钆 同步辐射

下载PDF 职称材料

硫钝化GaAs MESFET的机理研究 被引量：3

6

作者 邢东 李效白 刘立浩 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期61-64,共4页

研究了硫钝化对GaAs MESFET 直流特性的影响,并通过对钝化前后击穿电压的分析,认为负电荷表面态的增加减弱了栅靠漏一侧的电场强度,是导致器件击穿电压升高的原因。

关键词 硫钝化 GAASMESFET 击穿电压 负电荷表面态

下载PDF 职称材料

硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜 被引量：2

7

作者 袁泽亮 侯晓远 王迅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期170-175,共6页

表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。

关键词 表面钝化 硫钝化 Ⅲ-Ⅴ族半导体 半导体薄膜技术

下载PDF 职称材料

GaAs(100)表面硫钝化的新方法:CH_3CSNH_2/NH_4OH处理 被引量：2

8

作者 陆尔东 徐彭寿 +3 位作者 余小江 徐世红 潘海斌 张新夷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期715-720,共6页

建立了一种硫钝化GaAs(100)表面的新方法,即CH_3CSNH_2/NH_4OH溶液处理,应用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)表征了该钝化液处理的n-GaAs(100)表面的成键,特性和电子态.结果表明,经过处理的n-GaAs(100)表面,S既与As成... 建立了一种硫钝化GaAs(100)表面的新方法,即CH_3CSNH_2/NH_4OH溶液处理,应用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)表征了该钝化液处理的n-GaAs(100)表面的成键,特性和电子态.结果表明,经过处理的n-GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成S与GaAs的新界面,并且Ga和As的氧化物被移走,这标志着CH_3CSNH_2/NH_4OH溶液处理的n-GaAs(100)表面具有明显的钝化作用.钝化表面退火处理,从体态的Ga和As的3d芯能级谱,测得结合能向高端位移了0.22eV,这个值对应钝化引起的能带弯曲效应,意味着硫钝化后n-GaAs(100)表面态密度的降低和解除了因Ga和As的氧化物存在引起的表面费密能级的钉扎. 展开更多

关键词 砷化镓 硫钝化 钝化液处理

原文传递

电子束辐照对InP（100）表面硫钝化的增强作用 被引量：2

9

作者 陈维德 李秀琼 +1 位作者 段俐宏 谢小龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期518-521,共4页

采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫... 采用含有过量硫的（ＮＨ４）２Ｓｘ对ＩｎＰ（１００）表面进行化学钝化和辉光放电电子束辐照处理，液氮下光致发光强度比未辐照的光致发光强度提高了１．５倍，比未钝化的提高了５倍．利用Ｘ射线光电子谱研究了电子辐照对ＩｎＰ表面硫钝化的影响．结果表明，硫钝化ＩｎＰ表面经电子束辐照可以促使Ｓ与ＩｎＰ中的Ｉｎ更好的化合． 展开更多

关键词 电子束辐照 磷化铟 硫钝化 表面处理

下载PDF 职称材料

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响 被引量：2

10

作者 徐彭寿 张发培 +4 位作者 祝传刚 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期340-345,共6页

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .

关键词 硫钝化 半导体界面 电子结构 磁性

下载PDF 职称材料

钝化处理对Al_2O_3/InP MOS电容界面特性的影响 被引量：1

11

作者 李海鸥 李玺 +5 位作者 李跃 刘英博 孙堂友 李琦 李陈成 陈永和 《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第6期438-443,共6页

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到... 制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×10^(10) cm^(-2)·eV^(-1)。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×10^(12) cm^(-2)·V^(-1)降低至5.9×10^(11) cm^(-2)·V^(-1),同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。 展开更多

关键词 氮等离子体钝化 硫钝化 界面态密度 边界陷阱密度 隧穿电流

下载PDF 职称材料

用Franz-Keldysh效应研究GaAs表面硫化学钝化 被引量：1

12

作者 廖友贵 金鹏 +3 位作者 李乙钢 张存洲 潘士宏 梁基本 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期1004-1009,共6页

硫钝化是一种比较有效的钝化ＧａＡｓ 表面的方法．本文使用Ｎａ２Ｓ、Ｓ２Ｃｌ２ 和ＣＨ３ＣＳＮＨ２三种化学试剂对表面本征层重掺杂层（ｓｉｎ＋ ）结构的ＧａＡｓ 样品进行了钝化，利用光调制反射谱观察到许多个Ｆｒａｎｚ... 硫钝化是一种比较有效的钝化ＧａＡｓ 表面的方法．本文使用Ｎａ２Ｓ、Ｓ２Ｃｌ２ 和ＣＨ３ＣＳＮＨ２三种化学试剂对表面本征层重掺杂层（ｓｉｎ＋ ）结构的ＧａＡｓ 样品进行了钝化，利用光调制反射谱观察到许多个ＦｒａｎｚＫｅｌｄｙｓｈ 振荡，测量出本征层的电场强度，研究了ＧａＡｓ表面硫钝化前后费米能级的变化，并且比较了各种钝化方法的钝化效果． 展开更多

关键词 砷化镓 硫钝化 F-K效应 半导体表面

下载PDF 职称材料

硫钝化表面改善GaAs MESFET电特性 被引量：1

13

作者 邢东 蒋敬旗 《半导体杂志》 1996年第4期4-7,共4页

本文介绍了一种适用于GaAs MESFET表面钝化的新方法。通过对器件进行硫砘化处理,我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认为造成这种现象的原因,是由于硫钝化减少了栅漏附近的GaAs表面态密度。

关键词 硫钝化 半导体器件 表面纯化

下载PDF 职称材料

GaAsFET的表面漏电

14

作者 李效白 马农农 侯晓远 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期47-52,共6页

GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表... GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表面漏电的研究进展。 展开更多

关键词 砷化镓场效应管 击穿电压 漏虫 Na^+沾污 硫钝化

原文传递

氧化铝薄膜对硫钝化InP材料光学稳定性的影响

15

作者 田珊珊 魏志鹏 +9 位作者 赵海峰 高娴 方铉 唐吉龙 楚学影 方芳 李金华 王晓华 李梅 马晓辉 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第24期18-21,共4页

利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征。硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发... 利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征。硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高。而样品表面的Al2O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能。 展开更多

关键词 INP 光致发光 硫钝化 表面态密度 AL2O3 薄膜

下载PDF 职称材料

硫钝化对GaAs MESFET饱和源漏电流影响的实验研究

16

作者 李晓光 王同祥 +1 位作者 李效白 杨瑞霞 《河北工业大学学报》 CAS 2004年第3期42-44,共3页

硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导... 硫钝化对GaAsFET的电特性有重要影响[1].本文分析了硫钝化后GaAsMESFET饱和源漏电流(IDss)下降的原因,认为硫处理降低了和/(为施主缺陷密度;为受主缺陷密度),表面费米能级向价带顶移动,能带弯曲加剧,表面耗尽层变厚,导电沟道变窄,是导致饱和源漏电流下降的主要因素.对样品进行225℃退火可使饱和源漏电流恢复到钝化前的水平. 展开更多

关键词 硫钝化 场效应晶体管 饱和源漏电流 施主缺陷 受主缺陷

下载PDF 职称材料

硫钝化对Fe、Co/GaAs(100)界面形成和磁性质的影响

17

作者 徐彭寿 张发培 +3 位作者 陆尔东 徐法强 潘海斌 张新夷 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期361-367,共7页

利用同步辐射和铁磁共振研究了经硫代乙酰胺硫钝化处理的GaAs(1 0 0 )表面生长的Fe、Co超薄膜与衬底的界面形成及磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止As向Fe、Co超薄膜扩散 ,减弱As和Fe、Co的相互作用并增强在GaAs(1 0 0 )

关键词 硫钝化 界面 磁性 砷化镓 铁磁金属薄膜 生长

下载PDF 职称材料

GaSb晶片钝化工艺对抛光表面的影响

18

作者 卢伟涛 程红娟 +1 位作者 张弛 高飞 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期808-810,共3页

锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验... 锑化镓(GaSb)作为常用的III-V型半导体材料,因其易于氧化的性质而限制了其应用效果,而硫钝化是一种常见而有效的应对手段。该文选取了硫化铵溶液,对化学机械抛光后的晶片表面进行处理,以研究硫钝化工艺中钝化时间对抛光面的影响。实验结果通过原子力显微镜(AFM)和X线光电子能谱(XPS)进行了表征,研究发现,经硫化铵溶液处理后,与Ga相比,Sb的硫化程度更完全,且该程度会随着硫化时间的延长而逐渐加大。另外,处理时间长会加重GaSb晶片表面的腐蚀,使其表面起伏加剧,表面粗糙度增大。 展开更多

关键词 锑化镓(GaSb) 化学机械抛光 硫钝化 原子力显微镜(AFM) X线光电子能谱(XPS)

下载PDF 职称材料

钼基碳掺杂二硫化钼电极的硫氧化反应性能

19

作者 王忠远 周青青 +1 位作者 胡浩 王家德 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第28期3846-3856,共11页

硫钝化是阻碍硫化物氧化反应(sulfur oxidation reaction,SOR)在硫锂电池、电化学脱硫、含硫污染物资源化等领域高效进行的重要因素.二硫化钼(MoS2)因其优异的抗硫性和可调的二维层状结构而具有良好的SOR潜能,但其本征半导体性质限制了... 硫钝化是阻碍硫化物氧化反应(sulfur oxidation reaction,SOR)在硫锂电池、电化学脱硫、含硫污染物资源化等领域高效进行的重要因素.二硫化钼(MoS2)因其优异的抗硫性和可调的二维层状结构而具有良好的SOR潜能,但其本征半导体性质限制了电子传递过程.本文报道了一种抗硫性钼基碳掺杂二硫化钼电极(Mo/C-MoS2),通过碳掺杂使MoS2电极具有接近热中性的硫吸附吉布斯自由能和快速转换多硫化物的能力,有效避免了硫钝化.实验结果显示,Mo/C-MoS2能以0.37 V驱动SOR反应达到10 mA/cm2,低于Mo/MoS2电极(0.41 V)和Pt电极(0.68 V),并在恒电位电解测试中保持16.5 h的抗硫钝化稳定性.透射电子显微镜(transmission electron microscope,TEM)、X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy,XPS)、拉曼散射光谱表征证实,CMoS2具有1T导电相晶体结构,提升了催化反应速率.密度泛函理论(density functional theory,DFT)计算进一步阐明,碳掺杂增强了MoS2与Na2S之间的相互作用,促使元素硫向可溶性多硫化物转换,为Mo/C-MoS2电极高效SOR和稳定抗硫性的实验结论提供了理论支撑. 展开更多

关键词 电化学 硫氧化反应 抗硫钝化 多硫化物转换 二硫化钼 碳掺杂调控

原文传递

砷化镓表面硫钝化技术的研究进展 被引量：2

20

作者 刘传军 赵权 《半导体情报》 1999年第6期12-16,共5页

综述了国内外砷化镓表面硫钝化技术的研究现状和发展趋势， 并对其钝化机理及钝化方法等进行了介绍。

关键词 表面钝化 硫钝化技术 砷化镓

下载PDF 职称材料