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Cu(111)衬底上单层铁电GeS薄膜的原子和电子结构研究
1
作者 朱孟龙 杨俊 +5 位作者 董玉兰 周源 邵岩 侯海良 陈智慧 何军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期123-130,共8页
二维铁电材料因具有自发极化特性,在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用.特别是第Ⅳ主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性,适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料.... 二维铁电材料因具有自发极化特性,在铁电场效应晶体管、非易失性存储器和传感器中具有广泛的技术和器件应用.特别是第Ⅳ主族单硫属化合物具有最高的理论预测热电特性和本征的面内铁电极化特性,适合作为探索二维铁电极化特性的模型材料.然而,由于相对大的解理能,目前不容易获得高质量和大尺寸单层第Ⅳ主族单硫属化合物,严重阻碍了这些材料应用到快速发展的二维材料及其异质结研究中.本文采用分子束外延方法在Cu(111)衬底上成功制备单层GeS.通过高分辨扫描隧道显微镜,原位X射线光电子能谱和角分辨光电子能谱以及密度泛函理论计算,对单层GeS原子晶格和电子能带结构进行了系统表征.研究结果表明:单层GeS具有正交晶格结构和近似平带的电子能带结构.单层GeS的成功制备和表征使得制备高质量和大尺寸单层第Ⅳ主族单硫属化合物成为可能,有利于该主族材料应用到快速发展的二维铁电材料以及异质结研究中. 展开更多
关键词 二维铁电 过渡金属单硫属化合物 硫化锗 扫描隧道显微镜 X射线光电子能谱
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激光作用下GeS_2非晶半导体薄膜的性能及结构变化 被引量：2
2
作者 刘启明 干福熹 顾冬红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期805-810,共6页
采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边... 采用514.5石nm波长的氩离子激光器,结合X射线衍射分析（XRD）、红外光谱分析（IR）、扫描电镜分析（SEM）和透射光谱分析,研究了GeS2非晶半导体薄膜在激光辐照后的性能及结构变化.实验结果发现,经热处理和激光辐照后,薄膜的光学吸收边均移向短波长处,并且随着辐照激光强度和辐照时间的增加而增加,这种平移在退火薄膜中是可逆的.SEM结果分析表明,薄膜在激光辐照后有晶相出现,且随着辐照激光强度的增加,晶相更多. 展开更多
关键词 激光辐照 GES2 非晶半导体薄膜 性能 结构 氩离子 光致变化 硫化锗
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MoSe_(2)/GeS异质结的增强光致发光
3
作者 周泽一 郑文杰 +1 位作者 朱波 张瑞 《武汉理工大学学报》 CAS 2023年第7期21-25,共5页
二维半导体材料的光电性质调控是其器件应用的基础。研究了二维MoSe_(2)/GeS异质结的光致发光性质,观察到该p-型GeS半导体薄膜能够显著增强MoSe_(2)的荧光强度,且荧光增益随MoSe_(2)层数增加而衰减。该增强发光现象可能与异质结界面处... 二维半导体材料的光电性质调控是其器件应用的基础。研究了二维MoSe_(2)/GeS异质结的光致发光性质,观察到该p-型GeS半导体薄膜能够显著增强MoSe_(2)的荧光强度,且荧光增益随MoSe_(2)层数增加而衰减。该增强发光现象可能与异质结界面处电荷极化和共振能量转移相关。此研究为构建先进光电功能的范德华异质结提供了思路。 展开更多
关键词 二硒化钼 硫化锗 异质结 光致发光
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CZ法生长GeSi合金引晶过程中的偏析
4
作者 苏宇欢 《电子材料快报》 1999年第3期13-14,共2页
关键词 CZ法生长 硫化锗 合金 引晶过程
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“纳米花朵”有望大幅提高电池容量
5
《新材料产业》 2012年第11期87-88,共2页
据报道，近日，美国科学家在熔炉里烧制了一朵粉红的“花”。它虽然没香味，但却能储存大量能量，有望带来一场电池革命。“纳米花朵”由金属硫化锗的粉尘制成，而硫化锗是一种半导体材料。由于呈花瓣状，该物体虽然很小，但表面积很大... 据报道，近日，美国科学家在熔炉里烧制了一朵粉红的“花”。它虽然没香味，但却能储存大量能量，有望带来一场电池革命。“纳米花朵”由金属硫化锗的粉尘制成，而硫化锗是一种半导体材料。由于呈花瓣状，该物体虽然很小，但表面积很大，因此可储存不少的能量。 展开更多
关键词 电池容量 花朵 纳米 美国科学家 半导体材料 硫化锗 表面积 能量
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脉冲激光沉积硫化锗-硫化稼-硫化镉非晶薄膜的结构和性能(英文) 被引量：1
6
作者 顾少轩 马志军 +3 位作者 潘瑞琨 陶海征 赵修建 无 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1725-1729,共5页
用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)法在玻璃基片上沉积了组分为80GeS2-15Ga2S3-5CdS的硫系非晶薄膜,利用X射线衍射、分光光度计、扫描电镜、场发射扫描电镜、Raman光谱等研究了薄膜的性能和结构。对薄膜进行紫外脉冲激光极化... 用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)法在玻璃基片上沉积了组分为80GeS2-15Ga2S3-5CdS的硫系非晶薄膜,利用X射线衍射、分光光度计、扫描电镜、场发射扫描电镜、Raman光谱等研究了薄膜的性能和结构。对薄膜进行紫外脉冲激光极化,采用Maker条纹法测试薄膜的二阶非线性光学效应(second harmonic generation,SHG)。结果表明:获得的硫系GeS2-Ga2S3-CdS非晶薄膜表面光滑平整、厚度约为800 nm、透过率高达78%,与靶材相比,薄膜中的缺陷较多。在紫外脉冲激光极化的薄膜中观察到了明显的SHG,强度约为参考石英单晶的两倍。 展开更多
关键词 硫化锗–硫化稼–硫化镉非晶薄膜 二阶非线性光学效应 脉冲激光沉积法 紫外脉冲激光极化
原文传递
不同先驱体溶胶-凝胶法制备的硫化锗玻璃薄膜
7
作者 徐键 夏海平 +2 位作者 张约品 章践立 王金浩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1029-1032,共4页
分别使用氯化锗和正锗酸乙脂为溶胶凝胶先驱体 ,用 2种不同的操作步骤制备溶胶 ,采用旋转涂膜技术在单晶硅片和玻璃基片上制备了硫化锗薄膜。对所获得的样品进行了X射线衍射、远红外和Raman光谱测试 ,并用扫描电镜观察薄膜形貌。结果表... 分别使用氯化锗和正锗酸乙脂为溶胶凝胶先驱体 ,用 2种不同的操作步骤制备溶胶 ,采用旋转涂膜技术在单晶硅片和玻璃基片上制备了硫化锗薄膜。对所获得的样品进行了X射线衍射、远红外和Raman光谱测试 ,并用扫描电镜观察薄膜形貌。结果表明 :采用不同先驱体制备的溶胶凝胶硫化锗玻璃薄膜其玻璃结构具有差异 ,并导致薄膜折射率的不同 ;由GeCl4 所得玻璃薄膜为富锗相 ,其折射率约为 2 .8;而由Ge(OC2 H5) 4所得玻璃薄膜为富硫相 ,折射率约为 2 .2。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶 薄膜 硫化锗玻璃 玻璃结构
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“纳米花”电池
8
《机械工程师》 2012年第11期I0009-I0009,共1页
日前，美国科学家设计了一种微型电池，这种微小粉色纳米结构可以彻底颠覆传统电池设计，以独特的表面结构存储能量。这种“纳米花”是由硫化锗（一种半导体材料）制成，
关键词 纳米结构 微型电池 电池设计 美国科学家 半导体材料 表面结构 硫化锗
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GeSe基薄膜太阳电池模拟研究
9
作者 肖友鹏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第7期1270-1274,共5页
硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性,且组分简单、低毒和储量丰富,特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃... 硫化亚锗(GeSe)具有合适的禁带宽度、高的吸收系数和高的载流子迁移率等优异的光电特性,且组分简单、低毒和储量丰富,特别适合作为光伏吸收材料。本文基于新型太阳电池吸收层材料GeSe构筑了结构为金属栅线/AZO/i-ZnO/CdS/GeSe/Mo/玻璃的薄膜太阳电池,分别模拟分析了缓冲层和吸收层的厚度、掺杂浓度,以及吸收层体缺陷密度对器件性能的影响。经过优化CdS缓冲层厚度和掺杂浓度以及GeSe吸收层厚度和掺杂浓度,器件获得高达27.59%的转换效率。这些结果表明GeSe基薄膜太阳电池有成为高效光伏器件的潜力。 展开更多
关键词 硫化亚锗吸收层 硫化镉缓冲层 太阳电池 厚度 掺杂浓度 体缺陷 模拟
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