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BF_2^+注入加固硅栅PMOSFET的研究 被引量：8
1
作者 张廷庆 刘家璐 +5 位作者 李建军 王剑屏 张正选 徐娜军 赵元富 胡浴红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第12期2299-2303,共5页
系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了Ｂ... 系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明，ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用，ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ，分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 展开更多
关键词 PMOSFET MOS器件 离子注入 硅栅
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气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法 被引量：2
2
作者 黎修祺 骆如枋 毛平天 《低温与特气》 CAS 1986年第4期61-65,共5页
在半导体材料及电子器件生产中，要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体，气体纯度严重影响产品质量。如氢，氮等气体及其流经的系统中的水份和氧，对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中，氢中水份达100vpm时，硅外... 在半导体材料及电子器件生产中，要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体，气体纯度严重影响产品质量。如氢，氮等气体及其流经的系统中的水份和氧，对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中，氢中水份达100vpm时，硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中，若稀释气体中含有微量水份，使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”，从而在刻蚀多晶硅薄膜时，造成多晶硅脱落，致使电学性能变坏。由上可知，对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。 展开更多
关键词 微量水份 电容法 氧化铝 露点法 大规模集成电路 多晶硅薄膜 测定 高纯气体 半导体材料 电子器件 产品质量 气体纯度 外延工艺 多晶结构 硅外延层 薄膜工艺 稀释气体 电学性能 化合物 MOS 氧化硅 微量氧 系统 杂质 硅栅
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BF_2^+注入多晶硅栅的SIMS分析 被引量：1
3
作者 刘家璐 张廷庆 +1 位作者 张正选 赵元富 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第5期541-544,共4页
文本采用SIMS技术,分析了BF_2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10^(15)和5×10^(15)cm^(-2) BF_2^+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_... 文本采用SIMS技术,分析了BF_2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO_2中的迁移特性。结果表明,80keV,2×10^(15)和5×10^(15)cm^(-2) BF_2^+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO_a中。F在多晶硅和SiO_2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。 展开更多
关键词 三氟化硼 硅栅 离子注入 SIMS
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多晶硅/氧化硅界面的二次离子质谱分析 被引量：1
4
作者 赵杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期64-67,72,共5页
利用二次离子质谱仪对多晶硅/氧化硅界面进行分析,发现多晶硅/氧化硅界面不是突变的,而存在着一个过渡区;根据多晶硅薄膜的成核理论,分析该过渡区形成的物理起源和机理,并利用“氧化层电导”模型,定量分析过渡区对器件栅氧化层电导的影响。
关键词 多晶硅 氧化硅 界面 二次离子质谱分析 过渡区 栅氧化层电导 硅栅
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双端口2.5μm硅栅CMOS静态RAM(L68HC34)的工艺研究 被引量：1
5
作者 郭玉璞 《微处理机》 1997年第2期13-16,共4页
介绍了双端口2．5μm硅栅CMOS静态RAM（L68HC34）的研制过程、工艺设计和工艺控制；分析了控制VT及降低R多的各种方法；并阐述了对发展IC的重要意义。
关键词 SRAM 单晶硅 多晶硅 硅栅 掺杂 IC CMOS
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90nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究
6
作者 张庆钊 谢常青 +3 位作者 刘明 李兵 朱效立 马杰 《微细加工技术》 2007年第5期44-47,共4页
进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅... 进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要。重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。 展开更多
关键词 90 NM 硅栅 干法刻蚀
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硅化物支持先进的栅叠层结构 被引量：1
7
作者 Ruth DeJule 《集成电路应用》 2007年第7期29-33,共5页
在多晶硅／二氧化硅栅被使用了40多年之后。产业界面临着转向高k／金属栅堆叠的挑战。我们正在目睹一个时代的结束。
关键词 叠层结构 硅化物 二氧化 多晶硅 金属栅 硅栅 堆叠
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芯片制造三巨头的次世代光刻技术战略对比分析 被引量：1
8
作者 沈熙磊 《半导体信息》 2011年第2期25-27,共3页
台积电与Globalfoundries是一对芯片代工行业的死对头,不过他们对付彼此的战略手段则各有不同。举例而言,在提供的产品方面,Globalfoundries在28nm制程仅提供HKMG工艺的代工服务(至少从对外公布的路线图上看是这样),而相比之下,台积电的28
关键词 芯片制造 光刻技术 次世代 硅栅 掩模 电子束光刻 对比分析 林本 推进者 研究力量
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硅栅CMOS集成电路测试图形的研究
9
作者 桂力敏 贺德洪 +6 位作者 丁瑞军 董胜强 谢嘉慧 陈承 陈康民 陈谷平 徐士美 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第1期53-63,共11页
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。
关键词 硅栅 CMOSIC 测试图形 组合结构
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短沟道器件阈电压模型
10
作者 孙彦卿 石广源 +1 位作者 唐仁兴 李蓬 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第3期20-25,共6页
本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。
关键词 阈电压 表面势 层电荷 电压模型 短沟效应 硅栅 开关速度 按比例缩小 功函数 模型理论
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各种MOS工艺的特点
11
作者 张成勋 《微电子学与计算机》 1972年第2期63-70,共8页
当考虑不同的MOS工艺时,要注意的两个最主要的特点是使用价值和成本。诚然,封装密度、功率、易设计性、可靠性、与TTL的匹配和速度也是重要的。没有一种工艺或几种工艺的组合能同时满足这些要求。因此,选用那种工艺视使用要求而定。
关键词 MOS 离子注入 氮化硅 TTL 离子掺杂 四氮化三硅 氮化物 硅栅
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硅栅和铝栅MOS器件的γ总剂量辐照比较
12
作者 李金华 林成鲁 《上海半导体》 1990年第1期5-8,共4页
关键词 硅栅 铝栅 MOS器件 Γ辐照
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他举电路的分析与设计
13
作者 孙彦卿 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1987年第1期29-34,共6页
本文分析他举电路的工作原理,给出该电路的n沟硅栅工艺设计方案,实验结果证明,该电路在驱动能力、工作速度等方面都是极好的。因此,可做为LSI和VLSI中的驱动电路。
关键词 硅栅 工艺设计方案 反相器 驱动能力 工作原理 按比例缩小 充电时间 静态功耗 器件尺寸 饱和区
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选择性外延隔离P^+多晶硅栅PMOSFET
14
作者 凌浩 熊大菁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期25-28,12,共5页
在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P^+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P^+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退... 在离子注入埋层的硅片上,以SiO_2层为掩膜和隔离,生长了选择性外延(SEG)单晶硅层,并在此外延层上制作了P^+掺杂的多晶硅栅PMOSFET。浅源漏结的P^+多晶硅栅PMOSFET是使用一次离子注入同时完成栅与源漏的掺杂注入,并由低温退火与快速热退火完成杂质的再分布推进。测试结果表明PMOSFET的短沟道效应明显减小。 展开更多
关键词 PMOSFET 单晶硅层 隔离 硅栅 掺杂
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单层布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar
15
作者 张钦海 万斌 +2 位作者 钱黎明 章开和 唐璞山 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期352-359,T001,T002,共10页
本文介绍了开发完成并实用化的单层铝布线硅栅CMOS门阵列设计系统Galstar.并从应用的角度,介绍 galstar系统的特点.
关键词 集成电路 设计 硅栅 CMOS 门阵列
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LC5208动物发声——音乐电路的设计和制造技术研究
16
作者 谢鸭江 《微处理机》 1990年第1期17-21,共5页
LC5208动物发声——音乐电路采用导通电阻极低的 N 型耗尽管进行 ROM、译码器及多路开关的编码,不仅增强了版图保密性、成倍提高了集成度,而且只要改变N 型耗尽管沟道注入区这一层掩模,就可以实现模拟不同动物发声的效果。
关键词 导通电阻 制造技术研究 LC5208 多路开关 版图设计 掩模 有源区 信号输入端 硅栅 设计规范
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超高频功率晶体管金属栅格电极结构的研究
17
作者 亢宝位 董利民 《半导体技术》 CAS 1981年第4期1-6,共6页
本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶... 本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶体管制造中进行试验,在不改变原生产用的版图和工艺的情况下,只在制造过程的中间加入制造铂硅栅格电极这步工艺就能把最大输出功率和额定功率下的功率增益提高为原来的1.5～2倍。同时本文也给出了发射区条长有效率的简明理论分析,所得公式和图表可以用来简单直接地计算出发射区条长有效率,从而根据有效率的改善来决定应取的铂硅栅格的薄层电阻率。 展开更多
关键词 功率晶体管 有效率 薄层电阻 自对准 巨型晶体管 电力电子器件 硅栅 发射区 栅格 电极结构 超高频 厘米波(10厘米-1厘米) 微波频率
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集成电路制造新技术—“自排列栅方式”
18
作者 李世兴 《微电子学》 CAS 1972年第2期91-92,共2页
日本“富士通”公司最近研究了新的集成电路制造技术—“自排列栅方式”。实现了应用该方式的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(集成电路、大规模集成电路)的产品化。
关键词 硅栅 二氧化硅
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N沟硅栅(6μm)E/D工艺探讨
19
作者 郭玉璞 《微处理机》 1990年第4期39-44,共6页
本文以 LN6845(其面积较大,功能较复杂)为例,对 E/D 工艺中的若干问题,如:工艺路线、材料选取、参数规范、工艺环境、工艺条件控制以及成品率决定因素等有关方面均做了详细探讨与介绍,对器件性能的提高以及成品率的稳定也做了实际探讨... 本文以 LN6845(其面积较大,功能较复杂)为例,对 E/D 工艺中的若干问题,如:工艺路线、材料选取、参数规范、工艺环境、工艺条件控制以及成品率决定因素等有关方面均做了详细探讨与介绍,对器件性能的提高以及成品率的稳定也做了实际探讨与介绍,以使工艺条件逐步最佳化。 展开更多
关键词 工艺路线 E/D 工艺条件 硅栅 器件性能 材料选取 等平面工艺 淀积 氮化硅 底膜
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自对准MOS工艺
20
作者 刘思荣 《微电子学》 CAS 1973年第4期39-41,共3页
现今由于使高封装密度的MOS电路实现了大规模集成,但它的开关速度仍较低,其限制因素主要是MOS晶体管栅与漏之间的电容。这种电容可以用硅栅或离子注入源、漏区的自对准方法来降低。一种新的称之为“自对准厚氧化物”工艺(Self-Aligned T... 现今由于使高封装密度的MOS电路实现了大规模集成,但它的开关速度仍较低,其限制因素主要是MOS晶体管栅与漏之间的电容。这种电容可以用硅栅或离子注入源、漏区的自对准方法来降低。一种新的称之为“自对准厚氧化物”工艺(Self-Aligned Thick-Oxide,简称SATO)的自对准栅方法则可更灵活和更可靠。它更多的采用和标准MOS器件一样的工艺,但却允许在片子上作两层或者三层互连,并允许广泛选用栅绝缘材料及栅电极材料。它能够按标准MOS电路所使用的同样掩模来加工,从而提高了速度。在标准MOS电路中,栅与漏重叠的典型值大约是5微米,而由于加工过程中掩模的误对准则往往可能重叠10微米之多。虽然5或10微米并不算限大。 展开更多
关键词 自对准 离子注入 掩模 硅栅 离子掺杂 MOS 漏区
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