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在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究
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作者 樊路嘉 秦明 《电子器件》 CAS 2002年第2期157-159,共3页
本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅... 本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应 (PDE) ,并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响。结果表明 :即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜 ,也未曾观察到PDE。 展开更多
关键词 硅化物 多晶栅耗尽效应 硅化镍膜
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