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激光照射下磁光盘片结构的热学优化新方法
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作者 周健 宋惠忠 +1 位作者 荀坤 沈德芳 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期1197-1202,共6页
以激光照射下 Tb Fe Co 四层结构为例, 基于麦克斯韦( Maxw ell) 方程和坡印廷( Poyingting)矢量定理, 提出了一种磁光盘片膜层结构的热学优化新方法。与常规的设计方法相比, 该方法不仅考虑了实际应用... 以激光照射下 Tb Fe Co 四层结构为例, 基于麦克斯韦( Maxw ell) 方程和坡印廷( Poyingting)矢量定理, 提出了一种磁光盘片膜层结构的热学优化新方法。与常规的设计方法相比, 该方法不仅考虑了实际应用中的道跟踪需要, 而且运算更为简便, 因而对其它多层膜体系的优化设计有一定的参考价值。实验上, 根据该设计用直流共溅射方法成功地制备了 Tb Fe Co 四层膜并进行了相关测试, 结果表明, 设计的样盘有良好的静、动态读写性能。 展开更多
关键词 磁光盘 微盘 直流共溅射 热学优化 激光照射
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电气和电子工程用材料科学
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《中国无线电电子学文摘》 1996年第2期2-5,共4页
关键词 电子束蒸发沉积 材料科学 单分子层膜 复合膜 复合薄膜 复合靶 电子科技大学学报 直流共溅射 薄膜衰减器 化学吸附
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p型透明导电Cu-Al-O薄膜的直流共溅射法制备
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作者 杨兵初 马学龙 +1 位作者 张丽 颜建堂 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期684-686,691,共4页
采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所制备的p型透明导电Cu-Al-O薄膜经高温退火后,其结晶质量和导电... 采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分光光度计对样品进行了表征。结果表明,对所制备的p型透明导电Cu-Al-O薄膜经高温退火后,其结晶质量和导电性能均有一定提高,薄膜在可见光区的平均透过率接近70%,禁带宽度约为3.75 eV。 展开更多
关键词 直流共溅射 P型透明导电薄膜 Cu—Al—O薄膜 高温退火
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V含量对ZnO薄膜结构及光学特性的影响 被引量:5
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作者 阮宜斌 孟立建 梁二军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2247-2252,共6页
Vanadium-doped zinc oxide thin films with preferred c-axis orientation were deposited on glass substrates by DC-reactive co-sputtering. The deposited films were characterized by SEM, EDS, XRD and optical transmittance... Vanadium-doped zinc oxide thin films with preferred c-axis orientation were deposited on glass substrates by DC-reactive co-sputtering. The deposited films were characterized by SEM, EDS, XRD and optical transmittance spectrum. The effect of V doping on the structural and optical properties of ZnO thin films was studied. It is found that the sample has a highly c-axis orientation and a comparatively good crystallization with lower mass percentage of vanadium doping. All the V-dopped ZnO thin films are in compressive stress condition and compression stress increases as vanadium content is increased. Refractive index n is lowered firstly and then increased, while extinction coefficient k has a trend of rising, and optical band gap rises a little bit firstly and then diminishes obviously when vanadium content is increased. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 V掺杂 直流反应共溅射 光学性质
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NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征 被引量:2
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作者 唐立丹 张跃 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1145-1149,共5页
采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优... 采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优取向,并且薄膜表面平整,结构紧密,晶粒大小均匀,无明显空洞和裂缝,具有良好的表面质量,晶粒尺寸约为40—60nm,薄膜的导电类型由n型转变为p型. 展开更多
关键词 P型ZNO Al+N掺杂 直流/射频共溅射
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磁控双靶共溅射磁致伸缩TbFe薄膜的研究 被引量:1
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作者 王伟 宓一鸣 +1 位作者 钱士强 周细应 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2008年第2期17-19,24,共4页
采用直流磁控双靶共溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶态的TbFe磁致伸缩薄膜,研究了溅射功率、工作气压等工艺参数对薄膜成分的影响。研究结果表明:当溅射功率从20 W增加到100 W时,TbFe薄膜中Tb含量从35.77at%增加到44.54at%;工作气压从0... 采用直流磁控双靶共溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶态的TbFe磁致伸缩薄膜,研究了溅射功率、工作气压等工艺参数对薄膜成分的影响。研究结果表明:当溅射功率从20 W增加到100 W时,TbFe薄膜中Tb含量从35.77at%增加到44.54at%;工作气压从0.2 Pa增加到1.0 Pa时,TbFe薄膜中Tb含量从38.02at%增加到44.1at%。重点研究了真空退火处理对TbFe薄膜磁性及磁致伸缩性能的影响。结果表明,真空退火处理有利于提高平行于膜面的饱和磁化强度和磁导率;350℃真空退火60 min,在外加磁场为5 kOe条件下,TbFe薄膜的磁致伸缩系数可达到351×10-6。 展开更多
关键词 磁致伸缩 TbFe薄膜 直流磁控共溅射 真空退火
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FeMn掺杂AlN薄膜的制备及其特性研究
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作者 蓝雷雷 胡新宇 +2 位作者 顾广瑞 姜丽娜 吴宝嘉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第21期363-369,共7页
采用直流磁控共溅射技术,以Ar与N2为源气体,硅片为衬底成功地制备了Fe,Mn掺杂AlN薄膜.利用X射线衍射和拉曼光谱研究了工作电流、靶基距离等工艺参数的改变对薄膜结构的影响.利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对薄膜的表面形貌和组成成分... 采用直流磁控共溅射技术,以Ar与N2为源气体,硅片为衬底成功地制备了Fe,Mn掺杂AlN薄膜.利用X射线衍射和拉曼光谱研究了工作电流、靶基距离等工艺参数的改变对薄膜结构的影响.利用扫描电子显微镜和能谱分析仪对薄膜的表面形貌和组成成分进行了分析.利用振动样品磁强计在室温下对Fe,Mn掺杂AlN薄膜进行了磁性表征.Mn掺杂AlN薄膜表现出顺磁性的原因可能是由于Mn掺杂浓度较高,在沉积过程部分Mn以团簇的形式存在,反铁磁性的Mn团簇减弱了体系的铁磁交换作用.Fe掺杂AlN薄膜表现出室温铁磁性,这可能是AlFeN三元化合物作用的结果.随着Fe掺杂AlN薄膜中Fe原子浓度从6.81%增加到16.17%,其饱和磁化强度Ms由0.27 emu·cm-3逐渐下降到0.20 emu·cm-3,而矫顽力Hc则由57 Oe增大到115 Oe(1 Oe=79.5775 A/m),这一现象与Fe离子间距离的缩短及反铁磁耦合作用增强有关. 展开更多
关键词 直流磁控共溅射 氮化铝薄膜 结构 磁性
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掺铜TiO2薄膜的制备及结构与光学性能的研究 被引量:4
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作者 高飞 吴再华 刘晓艳 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期87-89,98,共4页
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结晶质量,提高薄膜的光吸收性能。随着掺铜量的增... 采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催化性能的影响。结果表明:掺Cu能够改善薄膜的表面形貌与结晶质量,提高薄膜的光吸收性能。随着掺铜量的增加,TiO2薄膜的锐钛矿(101)衍射峰越来越强,且吸收边逐渐红移。Cu靶的溅射功率大于3 W,薄膜中就会出现CuO晶相。掺Cu后,TiO2薄膜的光催化性能明显增强。随着Cu的溅射功率的增大,TiO2薄膜的光催化性能先增强,后减弱。Cu的溅射功率为5 W的样品光催化性能最好。 展开更多
关键词 TIO2薄膜 双靶直流磁控共溅射 铜掺杂
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