直流偏场和面内场联合作用下第二类哑铃畴的自发收缩 被引量：3

1

作者 孙会元 唐贵德 +3 位作者 郭革新 聂向富 王远飞 韩宝善 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期824-828,共5页

实验研究了第二类哑铃畴在直流偏场和面内场联合作用下的自发收缩现象，发现第二类哑铃畴的自发收缩不仅与面内场的大小有关，而且还与第二类哑铃畴在面内场中所处方向有关．采用照相法形象地揭示出：当第二类哑铃畴与面内场垂直时最容... 实验研究了第二类哑铃畴在直流偏场和面内场联合作用下的自发收缩现象，发现第二类哑铃畴的自发收缩不仅与面内场的大小有关，而且还与第二类哑铃畴在面内场中所处方向有关．采用照相法形象地揭示出：当第二类哑铃畴与面内场垂直时最容易发生自发收缩；当第二类哑铃畴与面内场平行时最难发生自发收缩． 展开更多

关键词 磁致收缩 哑铃畴 磁泡薄膜 直流偏场 面内场

原文传递

金属软磁粉芯的损耗和交直流叠加 被引量：1

2

作者 陈一平 《磁性元件与电源》 2015年第2期133-135,共3页

文章对金属软磁粉芯的损耗和交直流叠加等问题进行了较详细的描述和讨论，以使大家对金属软磁粉芯损耗低、直流偏场稳定性好这两项优良特性能有全面的了解和认识，以利于生产和设计使用.

关键词 磁损 交直流叠加 直流偏场

原文传递

直流偏场和面内场交替作用对普通硬泡的影响

3

作者 孙会元 倪振成 聂向富 《河北轻化工学院学报》 1997年第4期27-29,共3页

实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ，Ｈ（２）ｉｐ］，证明了面内场作用下普通硬磁泡... 实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律。发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的临界面内场范围［Ｈ（０）ｉｐ，Ｈ（２）ｉｐ］，证明了面内场作用下普通硬磁泡畴壁中ＶＢＬ的消失与其畴壁中所含ＶＢＬ数目的多少无关。 展开更多

关键词 普通硬磁泡 整形 磁泡 直流偏场 面内场

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硬磁畴动态特性的进一步研究 被引量：1

4

作者 贾莲芝 顾建军 +1 位作者 封顺珍 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第6期586-589,共4页

实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.

关键词 硬磁畴 直流偏场 转动 上升 证明 VBL 状态 首次 实验研究 固定

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面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响 被引量：1

5

作者 顾建军 李秀玲 +1 位作者 张丽娇 孙会元 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第6期590-592,共3页

实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应... 实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的. 展开更多

关键词 临界面内场 垂直布洛赫线 VBL 哑铃畴 直流偏场 随机分布 证明 过程 最大 范围

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面内场对第Ⅰ类哑铃畴“切尾”后畴壁内VBLs解体的影响 被引量：1

6

作者 王丽娜 郭革新 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第3期290-292,共3页

实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs... 实验研究了直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的解体.通过实验得到了3个重要的面内场Hi(p1),Hip*和Hi(p2).通过“切尾”实验可以证明面内场对垂直布洛赫线链(VBLs)的丢失有影响;而VBLs的丢失又影响到了ID的行为. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 第Ⅰ类哑铃畴 直流偏场 面内场 “切尾”

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直流偏场和面内场作用下ID畴壁中VBL链的消失

7

作者 郭革新 马丽梅 +1 位作者 孙会元 聂向富 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第6期577-580,共4页

研究了直流偏场和面内场联合作用下第 类哑铃畴畴壁中 VBL链的消失 ,即软化过程 .实验发现 ,当直流偏场 Hb>Hsb′时 ,第 类哑铃畴的起始软化面内场 (Hip) OHB和临界面内场 Hip′的数值都比不加直流偏场时的数值低 。

关键词 ID畴壁 VBL链 直流偏场 面内场 第I类哑铃畴 垂直布络赫线链 石榴石磁泡膜

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直流偏场和面内场共同作用下第Ⅰ类哑铃畴的条泡转变 被引量：1

8

作者 吴佺 郭革新 +4 位作者 聂向富 王丽娜 翟晓霞 刘琳 李静 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2006年第2期185-187,共3页

实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场... 实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴(IDs)的条泡转变现象.实验表明:1)存在3个特征直流偏场,即:条泡转变后的磁畴均为软泡的磁场以及条泡转变后的磁畴中依次出现普通硬磁泡和第Ⅰ类哑铃畴的磁场;2)IDs的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场均随直流偏场的增加而减小. 展开更多

关键词 直流偏场 面内场 第Ⅰ类哑铃畴 条泡转变

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硬磁泡畴壁中VBL特性的进一步研究 被引量：1

9

作者 赵国良 顾建军 孙会元 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期352-354,共3页

实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀... 实验对在固定直流偏场下产生的硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的分布均匀性进行了研究.实验发现,泡径越大的硬泡,缩灭场就越大,VBL数目就越多;泡径越小的硬泡,缩灭场就越小,VBL数目就越少,即硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是均匀分布的,且存在一个平衡间距.实验结果验证了均匀旋转模型的正确性. 展开更多

关键词 硬磁泡 垂直布洛赫线 直流偏场

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石榴石磁泡膜中3类硬磁畴的形成方法

10

作者 郭革新 徐建萍 何文辰 《物理实验》 北大核心 2004年第5期13-16,共4页

研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .... 研究石榴石磁泡膜中硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的稳定性可为研制布洛赫线存储器提供有益的帮助 .3类硬磁畴的形成是研究硬磁畴稳定性的前提 .本文综述了在石榴石磁泡膜上形成硬磁畴的 2类方法———“脉冲偏场法”和“低直流偏场法” .结合文献中的典型样品 ,对用“脉冲偏场法”和“低直流偏场法”形成 3类硬磁畴的过程进行了简单介绍 . 展开更多

关键词 硬磁畴 石榴石磁泡膜 枝状畴 脉冲偏场 直流偏场

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直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性

11

作者 王丽娜 吴佺 +1 位作者 聂向富 郭革新 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2005年第4期354-356,共3页

研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速... 研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 第Ⅰ类哑铃畴 直流偏场 面内场

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面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响

12

作者 李秀玲 王丽娜 +1 位作者 郭革新 李静 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第2期188-190,199,共4页

实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时... 实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄. 展开更多

关键词 垂直布洛赫线 直流偏场 面内场

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直流偏场下BST电性能计算机测试系统

13

作者 孔宁 林晓牧 +3 位作者 马韬 曹伯承 金学淼 姜胜林 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期89-93,共5页

针对BaxSr1-xTiO3（BST，钛酸锶钡）材料在直流偏场下的电性能的变化，设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试结果通过串口输入计算机，通过LabVIEW编写的虚拟仪器程序实时处理与显示材料在不同偏压下的介电常数... 针对BaxSr1-xTiO3（BST，钛酸锶钡）材料在直流偏场下的电性能的变化，设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试结果通过串口输入计算机，通过LabVIEW编写的虚拟仪器程序实时处理与显示材料在不同偏压下的介电常数-温度曲线与损耗曲线，从中引申出了一种外加直流偏场下热释电系数的测试方法。利用该系统在25～70℃，200V与400V偏压下，对BST样片进行了测量，得到了相关曲线与数据，其中400V下材料相对介电常数峰值与热释电系数峰值在42．2℃达到6795．51与1．17×10^-7C／cm^2·K，测量结果对于研究BST材料的红外探测性能具有现实意义。 展开更多

关键词 BST 直流偏场 计算机测试系统 LABVIEW

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面内场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与直流偏场关系的…

14

作者 王洪信 唐贵德 《河北师范学院学报（自然科学版）》 1996年第3期48-51,共4页

本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏场（Ｈｂ）ｆ的增加而减小；（２）存在一个特征直流偏场（Ｈｂ）... 本文研究面内磁场作用下第一类哑铃畴的条泡转变与固定直流偏场（Ｈｂ）ｆ的关系。实验结果显示：（１）使ＩＤ发生条泡转变包需的面内场（Ｈｉｐ）ｓｂ随所高定的直流偏场（Ｈｂ）ｆ的增加而减小；（２）存在一个特征直流偏场（Ｈｂ）ｆ１，当（Ｈｂ）ｆ１时。 展开更多

关键词 磁泡 哑铃畴 布洛赫线 条泡转变 直流偏场

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直流偏场和面内场作用下OHB的条泡转变

15

作者 李静 郭革新 +2 位作者 聂向富 李亚琴 王莉 《河北师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2007年第4期458-459,468,共3页

实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)I和(Hb)II,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)II时,条泡转变后... 实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转变后存在2个特征偏场(Hb)I和(Hb)II,当Hb≤(Hb)I时,条泡转变后的泡畴全是软泡,当Hb≥(Hb)II时,条泡转变后的泡畴全是硬磁泡.随着直流偏场的升高,普通硬磁泡的最小条泡转变面内场和最大条泡转变面内场逐渐降低. 展开更多

关键词 普通硬磁泡 面内场 直流偏场 条泡转变

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枝状畴的形状与硬磁畴种类的对应关系 被引量：1

16

作者 郭革新 聂向富 +1 位作者 孙会元 韩宝善 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1996年第5期75-76,共2页

本文用“低直流偏场法”

关键词 枝状畴 硬磁畴 磁泡膜 低直流偏场法

全文增补中